王 蕾,陳 楠,劉佳磊,金松哲(.長春理工大學(xué)光電信息學(xué)院機(jī)電工程分院;.長春工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,長春 300)
Ti-Al-N沉積態(tài)薄膜的制備
王 蕾1,陳 楠1,劉佳磊2,金松哲2
(1.長春理工大學(xué)光電信息學(xué)院機(jī)電工程分院;2.長春工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,長春 130012)
本文以06Cr18Ni9不銹鋼作為基體材料,采用多弧離子鍍進(jìn)行 Ti-Al-N沉積態(tài)薄膜的制備,并研究了多弧離子鍍對(duì) Ti-Al-N沉積態(tài)薄膜表面形貌的影響。研究表明:當(dāng)?shù)獨(dú)馔繛?0sccm時(shí),Ti-Al-N薄膜膜層表面的大顆粒消失,凹坑變得淺而平整均勻,但當(dāng)?shù)獨(dú)馔砍^40sccm時(shí),表面大顆粒反而變多而且分布不均勻,沉積的膜層表面相對(duì)較粗糙。
Ti2AlN薄膜;多弧離子鍍;表面形貌
Ti-Al-N系統(tǒng)中有兩種重要的三元化合物Ti2AlN和Ti4AlN3,均屬M(fèi)n+1AXn(n=0,1,2,3)相[1-2],兼具金屬和陶瓷的優(yōu)點(diǎn),常溫下,有很好的導(dǎo)熱和導(dǎo)電性能,同時(shí)它又具有較高的彈性模量、耐高溫和抗氧化等陶瓷的性能。近幾年對(duì)Ti-Al-N系薄膜的研究日益增多,本研究的是多弧離子鍍對(duì)TiAlN沉積態(tài)薄膜表面形貌的影響。
本研究采用304奧氏體不銹鋼(硬度≤90HRB,試樣尺寸為:20mm×15mm×2mm),采用Ti/Al 1∶1混合靶進(jìn)行鍍膜。為提高實(shí)驗(yàn)效果,在實(shí)驗(yàn)過程中通入氬氣,通入氬氣首先可保證試件順利的完成實(shí)驗(yàn),其次可以作為本次實(shí)驗(yàn)的反應(yīng)氣體形成Ti-Al-N薄膜。本試驗(yàn)采用的是沈陽真空鍍膜設(shè)備有限公司生產(chǎn)多弧離子鍍沉積設(shè)備。JSM-5600LV型掃描電子顯微鏡進(jìn)行組織形貌觀察。
(1)氮?dú)鈱?duì)表面形貌的影響。觀察圖(1)薄膜表面形貌分析,形貌中主要成分為Al,而且N和Ti和含量隨著氮?dú)獾耐饬吭黾佣黾?,而且?duì)薄膜的摩擦性能測(cè)試發(fā)現(xiàn)氮?dú)鈱?duì)其影響量很大,對(duì)進(jìn)一步實(shí)驗(yàn),制備a、b、c三組沉積態(tài)薄膜并觀察。圖中a,b,c分別為負(fù)偏壓400V,靶電流75A,占空比90%,氮?dú)馔抗に囅轮苽涞某练e態(tài)薄膜500倍的表面形貌。
圖1 不同氮?dú)馔縏i-Al-N薄膜的表面形貌
(2)負(fù)偏壓對(duì)表面形貌的影響。當(dāng)?shù)獨(dú)馔糠€(wěn)定時(shí),改變其他因素研究其對(duì)薄膜表面形貌的影響。圖a,b,c,d為氮?dú)馔?0sccm,負(fù)偏壓(200V,300V,400V,500V)工藝下薄膜的表面形貌。從圖2中可以看出,當(dāng)負(fù)偏壓為200V和300V時(shí)沉積的薄膜的表面形貌基本由大顆粒組成,而且晶粒的粒度較大,當(dāng)負(fù)偏壓增大到400V時(shí),發(fā)現(xiàn)沉積薄膜的形貌基本由小顆粒組成,大顆粒逐漸消失,晶粒的粒度變小而且細(xì)化,表面變得較為平滑。而負(fù)偏壓增大到500V時(shí),薄膜表面形貌組成由小顆粒變?yōu)榇箢w粒,而且粒度增大。
圖2 不同負(fù)偏壓Ti-Al-N薄膜的表面形貌
采用多弧離子鍍進(jìn)行 Ti-Al-N沉積態(tài)薄膜的制備,得到以下結(jié)論:氮?dú)馔繛?0sccm的Ti-Al-N薄膜,發(fā)現(xiàn)薄膜的表面大顆粒逐漸消失,薄膜的表面光滑而平整。當(dāng)負(fù)偏壓為400V時(shí)沉積的Ti-Al-N薄膜表面形貌基本由小顆粒組成,平面平整而光滑。
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10.16640/j.cnki.37-1222/t.2016.18.040
王蕾(1991-),女,碩士研究生,主要從事功能導(dǎo)電陶瓷。