朱　清　張哲娟　孫　卓　才　濱　蔡雯君（華東師范大學(xué)物理與材料科學(xué)學(xué)院，納光電集成與先進(jìn)裝備教育部工程研究中心，上?！?00062）

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絲網(wǎng)印刷法制備納米銀線(xiàn)透明導(dǎo)電薄膜

朱清張哲娟＊孫卓才濱蔡雯君
（華東師范大學(xué)物理與材料科學(xué)學(xué)院，納光電集成與先進(jìn)裝備教育部工程研究中心，上海200062）

摘要：以高純納米銀線(xiàn)作為導(dǎo)電介質(zhì)，采用低成本絲網(wǎng)印刷法在普通透明玻璃基底上制備納米銀線(xiàn)薄膜層。經(jīng)低溫退火處理后，采用冷場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡對(duì)薄膜的形貌進(jìn)行表征；分別采用紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)和四探針測(cè)試儀對(duì)薄膜的光學(xué)透過(guò)率和導(dǎo)電性能進(jìn)行測(cè)試。實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)研究了印刷漿料中納米銀線(xiàn)的含量、印刷層數(shù)和退火溫度對(duì)薄膜的光學(xué)透過(guò)率和導(dǎo)電性能的影響。當(dāng)印刷漿料中納米銀線(xiàn)的含量為3%（w/w），印刷層數(shù)達(dá)到3層，經(jīng)低溫275℃退火后，可制備出光電性能良好的納米銀線(xiàn)薄膜，該薄膜最大可見(jiàn)光透過(guò)率為39.4%，表面方塊電阻僅為25.6 Ω·□-1。

關(guān)鍵詞：納米銀線(xiàn)；絲網(wǎng)印刷；透明導(dǎo)電薄膜

0　前言

透明導(dǎo)電薄膜是一種將光學(xué)透明性能和導(dǎo)電性能結(jié)合在一起的復(fù)合光電材料［1］。無(wú)機(jī)物類(lèi)透明導(dǎo)電薄膜大體可以分為金屬膜、氧化物膜和其他化合物薄膜，其中以氧化物薄膜占主導(dǎo)地位［2］。目前，氧化物透明導(dǎo)電材料體系包括ITO、AZO和FTO等［3］，其中ITO是目前綜合光電性能優(yōu)異且應(yīng)用最為廣泛的一種透明導(dǎo)電氧化物薄膜［4］。但是，屬于氧化物系列的ITO薄膜一方面其熱穩(wěn)定性能較差，另一方

國(guó)家自然科學(xué)基金青年基金（No.11204082）、上海市科技攻關(guān)項(xiàng)目（No.13111102401，12DZ296000）和上海閔行區(qū)企校合作項(xiàng)目（No.2015MH218）資助

＊通信聯(lián)系人。E-mail：zjzhang@phy.ecnu.edu.cn，Tel：021-62232054面在近紫外波段的光學(xué)透過(guò)性能較差，限制了其作為減反射薄膜的應(yīng)用與發(fā)展。納米銀線(xiàn)薄膜由于其導(dǎo)電性能好、透過(guò)率高、容易制備、成本低廉等優(yōu)點(diǎn)成為可以超越ITO的首選材料。

目前，已有關(guān)于納米銀線(xiàn)透明導(dǎo)電薄膜的研究報(bào)道［5-6］，在制備納米銀線(xiàn)薄膜研究中應(yīng)用較多的方法是棒滾涂法［7-8］、抽慮法［9］、轉(zhuǎn)印法［10］、滴涂法［11］和噴涂法［12］等。雖然，以上方法制備所得的納米銀線(xiàn)薄膜性能較好，但是存在制備工藝復(fù)雜，成本高，大面積均勻性差等一系列應(yīng)用問(wèn)題，無(wú)法進(jìn)行較大面積的制備與應(yīng)用。因此，研究一種操作簡(jiǎn)單、低成本制備高質(zhì)量的納米銀線(xiàn)透明導(dǎo)電薄膜是納米銀線(xiàn)薄膜實(shí)現(xiàn)應(yīng)用化的重要方向。

絲網(wǎng)印刷法由于具有制備方式簡(jiǎn)單、成本低廉、重現(xiàn)性好、原料節(jié)省和制備周期短等優(yōu)點(diǎn)近年來(lái)成為了一種非真空法制備薄膜的研究熱點(diǎn)［13］。目前，使用絲網(wǎng)印刷法制備納米銀線(xiàn)透明導(dǎo)電薄膜還未見(jiàn)報(bào)道，本研究采用絲網(wǎng)印刷法在普通玻璃襯底上制備不同納米銀線(xiàn)含量和層數(shù)的薄膜，經(jīng)不超過(guò)300℃的低溫退火處理后，研究了納米銀線(xiàn)薄膜的光電特性。

1　實(shí)驗(yàn)部分

實(shí)驗(yàn)材料主要包括松節(jié)油透醇、乙基纖維素（M70）和納米銀線(xiàn)，其中松節(jié)油透醇和乙基纖維素（M70）均為購(gòu)自國(guó)藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司的化學(xué)純?cè)噭?；納米銀線(xiàn)是采用實(shí)驗(yàn)組前期制備工藝所合成的，使用了無(wú)機(jī)鹽 CuCl2·2H2O （5 mmol·L-1，700 μL）作為生長(zhǎng)控制劑，引入多元醇熱法還原硝酸銀制備高純高長(zhǎng)徑比的納米銀線(xiàn)，反應(yīng)中nAgNO3∶nPVP= 6∶1，反應(yīng)溫度為160℃。

松節(jié)油透醇和乙基纖維素按質(zhì)量比1∶19混合，80℃水浴環(huán)境下攪拌加熱6h獲得絲網(wǎng)印刷漿；室溫下將納米銀線(xiàn)粉體和絲網(wǎng)印刷漿按照一定比例混合，研磨均勻，分別制備出納米銀線(xiàn)含量為1%（w/w下同）、2%、3%、5%、10%、20%和30%的復(fù)合漿料采用絲網(wǎng)印刷工藝，在玻璃襯底上制備1～20層納米銀線(xiàn)膠體膜。絲網(wǎng)印刷印版上的多網(wǎng)孔結(jié)構(gòu)使得納米銀線(xiàn)漿料在刮板的作用下透過(guò)網(wǎng)版多孔結(jié)構(gòu)從而在玻璃襯底上獲得一層或多層均勻的納米銀線(xiàn)薄膜層［13］。將薄膜在常溫常壓下水平放置24 h，使具有較大粘度的漿料自然流平，形成無(wú)孔狀結(jié)構(gòu)的均勻連續(xù)的納米銀線(xiàn)薄膜層。納米銀線(xiàn)薄膜分別在225、250、275和 300℃低溫環(huán)境下退火，保溫30 min后使薄膜自然冷卻到室溫。

選用冷場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡FESEM（Hatach S-4800）對(duì)納米銀線(xiàn)和納米銀線(xiàn)薄膜的微觀形貌進(jìn)行表征。分別采用紫外可見(jiàn)分光光度計(jì) UV-Vi spectrophotometer（Hatachi U-3900）和四探針測(cè)試儀Four-Point Probe（RTS-8）對(duì)納米銀線(xiàn)薄膜的光學(xué)性能和電學(xué)性能進(jìn)行測(cè)試。

圖1　納米銀線(xiàn)的FESEM圖像Fig.1　FESEM images of silver nanowires

2　結(jié)果與討論

納米銀線(xiàn)經(jīng)純化后的FESEM形貌如圖1所示。樣品中主要為納米銀線(xiàn)，存在極少量的納米銀顆粒，納米銀線(xiàn)的長(zhǎng)度約15 μm，直徑為40～80 nm，最高長(zhǎng)徑比可達(dá)375。

2.1納米銀線(xiàn)含量對(duì)薄膜光學(xué)和電學(xué)性能的影響

對(duì)不同層數(shù)納米銀線(xiàn)薄膜導(dǎo)電性能測(cè)試中發(fā)現(xiàn)，印刷1至2層的樣品大部分不導(dǎo)電。鑒于印刷層數(shù)越低，薄膜透過(guò)率越高，因此在本研究中選用了印刷3層的樣品進(jìn)行比較。圖2為選用不同含量制備的3層納米銀線(xiàn)薄膜經(jīng)300℃退火后的紫外可見(jiàn)光譜圖。當(dāng)納米銀線(xiàn)含量為1%～10%時(shí)，在光波波長(zhǎng)350～500 nm之間均會(huì)出現(xiàn)1個(gè)吸收峰，這是納米銀的表面共振吸收峰［14］。吸收峰位隨著納米銀線(xiàn)含量的增加會(huì)紅移，且吸收峰強(qiáng)度逐漸降低。這主要是由于在300℃退火條件下，納米銀線(xiàn)會(huì)出現(xiàn)熔斷和熔融現(xiàn)象，最后薄膜中的線(xiàn)變成顆粒。當(dāng)納米銀線(xiàn)的含量較低時(shí)，退火后薄膜中顆粒少且小，因此納米銀的吸收峰位波長(zhǎng)??；當(dāng)納米銀線(xiàn)含量增大時(shí)，吸收峰位波長(zhǎng)紅移，說(shuō)明薄膜中納米銀顆粒的尺寸變大且數(shù)量增多；當(dāng)含量達(dá)到5%時(shí)，薄膜中的納米銀線(xiàn)殘留量較多，薄膜吸收峰位稍有藍(lán)移；當(dāng)含量繼續(xù)增加到10%時(shí)，波長(zhǎng)360 nm以上的可見(jiàn)光透過(guò)率較低，被納米銀反射或吸收，因此吸收峰強(qiáng)度較低［18］。薄膜的可見(jiàn)光透過(guò)率隨著納米銀線(xiàn)含量的增加逐漸降低。當(dāng)納米銀線(xiàn)的含量為1%時(shí)，薄膜的可見(jiàn)光透過(guò)率可以達(dá)到70%以上；當(dāng)納米銀線(xiàn)的含量為2%時(shí)，薄膜的可見(jiàn)光透過(guò)率達(dá)到50%以上；當(dāng)納米銀線(xiàn)的含量為3%時(shí)，薄膜的可見(jiàn)光透過(guò)率降低到了40%；當(dāng)納米銀線(xiàn)的含量超過(guò)5%，薄膜的可見(jiàn)光透過(guò)率降至25%以下，由此可見(jiàn)，過(guò)大的納米銀線(xiàn)含量不利于薄膜光學(xué)透過(guò)率的提升。

圖2　不同納米銀線(xiàn)含量條件下薄膜的紫外可見(jiàn)光譜圖Fig.2　UV-Vis spectra of AgNWs-Films based on different mass percentages of AgNWs

表1　不同納米銀線(xiàn)質(zhì)量百分含量條件下薄膜的表面方塊電阻值Table 1　Surface square resistance of AgNWs-Films based on different mass percentages of AgNWs

表1為不同納米銀線(xiàn)含量條件下，3層薄膜經(jīng)300℃退火后的表面方塊電阻值。當(dāng)納米銀線(xiàn)含量為1%～2%時(shí)，薄膜不導(dǎo)電；納米銀線(xiàn)含量增加到3%時(shí)，薄膜開(kāi)始導(dǎo)電，表面方塊電阻值為162.3 Ω· □-1。隨著納米銀線(xiàn)含量提高薄膜的表面方塊電阻值降低，當(dāng)納米銀線(xiàn)含量達(dá)到30%時(shí)方塊電阻值小至0.08 Ω·□-1。但是，如圖2所示，該薄膜光學(xué)透過(guò)率太低，基本不透光。綜合考慮薄膜的光電性能，要獲得高透過(guò)率的導(dǎo)電納米銀線(xiàn)薄膜，選擇納米銀線(xiàn)含量為3%較為理想。

2.2絲網(wǎng)印刷層數(shù)對(duì)薄膜光學(xué)和電學(xué)性能的影響

絲網(wǎng)印刷層數(shù)直接決定了薄膜中納米銀線(xiàn)的含量和薄膜的厚度，這些因素都會(huì)對(duì)薄膜光學(xué)透過(guò)率、吸收峰強(qiáng)度以及峰位和薄膜導(dǎo)電性能產(chǎn)生影響。圖3為納米銀線(xiàn)含量為3%，不同絲網(wǎng)印刷層數(shù)下納米銀線(xiàn)薄膜經(jīng)300℃退火后的紫外可見(jiàn)光譜圖。隨著印刷層數(shù)增加，薄膜的光學(xué)透過(guò)率會(huì)稍有降低。但是，當(dāng)印刷層數(shù)達(dá)到3層以上后，薄膜的光學(xué)透過(guò)率降低不再明顯。這說(shuō)明由于印刷層數(shù)不同而引起的薄膜厚度改變并不是直接決定薄膜光學(xué)透過(guò)率的主要因素。

表2為不同印刷層數(shù)條件下納米銀線(xiàn)薄膜的表面方塊電阻值。隨著印刷層數(shù)增加，薄膜表面方塊電阻值會(huì)逐漸降低，印刷到6層時(shí)達(dá)到較低值32.7 Ω·□-1。但是當(dāng)印刷層數(shù)為7～9層時(shí)，薄膜表面方塊阻值又有所增大。這主要是因?yàn)橛∷訑?shù)較多時(shí)薄膜中的納米銀線(xiàn)容易出現(xiàn)分布不均勻的現(xiàn)象，且薄膜中引入較多的有機(jī)漿料，使得在印刷過(guò)程中漿料容易溢出而導(dǎo)致薄膜中的納米銀線(xiàn)流失，所以印刷層數(shù)過(guò)多時(shí)薄膜的表面方塊電阻值容易出現(xiàn)反?，F(xiàn)象。

圖3　不同絲網(wǎng)印刷層數(shù)條件下納米銀線(xiàn)薄膜的紫外可見(jiàn)光譜圖Fig.3　UV-Vis spectra of AgNWs-Films with different screen printing layers

表2　不同絲網(wǎng)印刷層數(shù)條件下納米銀線(xiàn)薄膜的表面方塊電阻值Table 2　Surface square resistance of AgNWs-Films with different screen printing layers

為了更進(jìn)一步綜合分析納米銀線(xiàn)含量和印刷層數(shù)對(duì)薄膜光電性能的影響，分別對(duì)納米銀線(xiàn)含量為2%和3%，印刷層數(shù)為1～3層的納米銀線(xiàn)薄膜經(jīng)300℃退火后的樣品進(jìn)行FESEM表征，結(jié)果如圖4所示。由圖4（a）～（c）可知，薄膜中納米銀線(xiàn)與顆粒是共存的，隨著印刷層數(shù)增加，線(xiàn)和顆粒的含量都會(huì)增加。納米銀線(xiàn)含量為2%時(shí)，納米銀線(xiàn)含量過(guò)低使得薄膜中無(wú)法形成良好的導(dǎo)電通路，因此1～3層的薄膜均不導(dǎo)電。當(dāng)納米銀線(xiàn)含量增加到3%時(shí)，薄膜中納米銀線(xiàn)含量提高。但是，印刷層數(shù)為1層的薄膜由于納米銀線(xiàn)含量過(guò)低依然不導(dǎo)電；當(dāng)薄膜印刷層數(shù)達(dá)到2層以上時(shí)，納米銀線(xiàn)含量增多形成了導(dǎo)電通路。如圖4（e）～（f）所示，納米銀線(xiàn)起到了導(dǎo)電橋梁的作用。印刷層數(shù)越多，線(xiàn)與顆粒之間構(gòu)成導(dǎo)電回路越多，薄膜導(dǎo)電性能越好。然而，薄膜中納米銀線(xiàn)含量的增加會(huì)減少薄膜中的通光空隙，同時(shí)致密的金屬層會(huì)導(dǎo)致光波衰減進(jìn)而使透過(guò)率降低，該結(jié)果與圖2中的紫外可見(jiàn)光譜分析結(jié)果一致。增加印刷層數(shù)和印刷漿料中納米銀線(xiàn)含量都會(huì)使薄膜中納米銀含量提高；但是，過(guò)大的納米銀含量將會(huì)形成大量的不透光阻擋層，從而降低薄膜的總體光學(xué)透過(guò)率。表2中納米銀線(xiàn)含量為3%、印刷層數(shù)為3層時(shí)的薄膜可以導(dǎo)電，但是表面方塊電阻仍高達(dá)162.3 Ω·□-1，這主要是因?yàn)橥嘶鸷蟊∧ぶ泄腆w納米銀的形貌以顆粒為主。在300℃退火溫度作用下，較細(xì)的和缺陷較多的納米銀線(xiàn)易熔斷，甚至熔融形成較小的納米銀顆粒。

圖4　經(jīng)300℃退火處理后納米銀線(xiàn)薄膜的FESEM圖像Fig.4　FESEM images of AgNWs-Films after annealed at 300℃

如圖4（f）所示，納米銀顆粒的接觸面積太小，薄膜的導(dǎo)電性只是依靠殘余的納米銀線(xiàn)所形成的導(dǎo)電橋梁網(wǎng)格來(lái)維持。因此，在保證有機(jī)漿料燒結(jié)完全的情況下，盡量降低退火溫度，保留盡量多的納米銀線(xiàn)，才能實(shí)現(xiàn)綜合提高透過(guò)率和導(dǎo)電性的目的。由表2和圖3可知，3層以上的納米銀線(xiàn)薄膜表面方塊電阻值均較低，且在導(dǎo)電的條件下，3層的納米銀線(xiàn)薄膜光學(xué)透過(guò)率最高，因此后續(xù)實(shí)驗(yàn)針對(duì)該系列樣品研究了退火溫度對(duì)薄膜光電性能的影響。

圖5　不同退火溫度條件下納米銀線(xiàn)薄膜的紫外可見(jiàn)光譜圖Fig.5　UV-Vis spectra of AgNWs-Films after annealed at different temperature

圖6　不同退火溫度條件下納米銀線(xiàn)薄膜的照片F(xiàn)ig.6　photographs of AgNWs-Films annealed at different temperature

2.3熱處理溫度對(duì)薄膜光學(xué)和電學(xué)性能的影響

圖5為相同含量和層數(shù) （納米銀線(xiàn)含量為3%、印刷層數(shù)為3層）條件下，納米銀線(xiàn)薄膜經(jīng)不同溫度退火處理后的照片和紫外可見(jiàn)光譜圖。當(dāng)退火溫度從225℃上升增加到250℃時(shí)，可見(jiàn)光透過(guò)率變化不大，最高為30.3%，且在420 nm處有一個(gè)明顯的吸收峰，這是納米銀的表面共振吸收峰［15］。如圖6（a）所示，在低于250℃的退火溫度條件下，薄膜中會(huì)有有機(jī)漿料殘留，薄膜顏色顯黃棕色，這導(dǎo)致可見(jiàn)光透過(guò)率較低。當(dāng)退火溫度上升至275℃時(shí)，印刷漿料揮發(fā)程度增大，殘留量降低，薄膜顏色由黃棕色向淡白色轉(zhuǎn)變，逐漸呈現(xiàn)為透明色，如圖6（b）所示。薄膜的最高可見(jiàn)光透過(guò)率提高至39.4%，且吸收峰出現(xiàn)紅移，峰位出現(xiàn)在440 nm處。當(dāng)退火溫度繼續(xù)升高至300℃時(shí)，薄膜的最高可見(jiàn)光透過(guò)率稍有降低，減小至37.5%，吸收峰位置右移到450 nm處。隨著退火溫度升高吸收峰紅移，這說(shuō)明了薄膜中納米銀線(xiàn)含量減少而顆粒含量增多且顆粒尺寸增加。隨著退火溫度升高，薄膜光學(xué)透光率提高。這一方面是由于薄膜中的有機(jī)材料經(jīng)高溫可揮發(fā)、分解，從而提高薄膜的透明度；另一方面是由于高溫可以導(dǎo)致納米銀線(xiàn)融化為顆粒，薄膜中有效阻擋光學(xué)透過(guò)的面積減小。退火溫度過(guò)高，納米銀線(xiàn)會(huì)出現(xiàn)熔融狀態(tài)，特別是線(xiàn)端和缺陷處會(huì)優(yōu)先變形，從而導(dǎo)致納米銀線(xiàn)由線(xiàn)性逐漸變化為非規(guī)則的顆粒，因此納米銀的表面共振吸收峰出現(xiàn)紅移［15-18］。

由此可見(jiàn)，較高的退火溫度有利于薄膜光學(xué)透過(guò)率的提高；但是過(guò)高的退火溫度會(huì)使納米銀線(xiàn)變形從而提高薄膜表面方塊電阻值，因此退火溫度不宜高于275℃。

實(shí)驗(yàn)對(duì)不同退火溫度條件下薄膜表面方塊電阻進(jìn)行測(cè)試，其結(jié)果如表3所示。當(dāng)退火溫度為225和250℃時(shí)薄膜不導(dǎo)電；溫度升高為275℃時(shí)，薄膜表面方塊電阻值為25.6 Ω·□-1；但是當(dāng)溫度繼續(xù)上升為300℃時(shí)，方塊電阻卻提高為162.3 Ω·□-1，有了較大幅度的上升。退火溫度過(guò)高，納米銀線(xiàn)融化嚴(yán)重，可能存在納米銀線(xiàn)斷裂的現(xiàn)象，在表面張力的作用下融化為顆粒，導(dǎo)電回路被切斷；溫度過(guò)低，大量粘度較高的印刷有機(jī)漿料殘留在薄膜中，對(duì)納米銀線(xiàn)的導(dǎo)電回路有阻礙作用，影響薄膜的導(dǎo)電性能。

綜合以上分析可知，通過(guò)低成本的絲網(wǎng)印刷工藝可實(shí)現(xiàn)低退火溫度、大面積制備透明導(dǎo)電納米銀線(xiàn)薄膜。目前，在太陽(yáng)能電池的制作過(guò)程中銀漿都是不透光的，會(huì)損失3%～5%的光吸收。用本工藝制備的納米銀線(xiàn)薄膜替代，可以將光損失降低為1.8%～3%，因此，采用絲網(wǎng)印刷法制備的納米銀線(xiàn)透明導(dǎo)電薄膜對(duì)制備大面積太陽(yáng)能電池電極有非常重要的應(yīng)用意義。同時(shí)，也可以采用絲網(wǎng)印刷法在柔性襯底上制備納米銀線(xiàn)透明導(dǎo)電薄膜，從而進(jìn)一步制備LED柔性透明顯示器件和柔性太陽(yáng)能電池電極材料。另外，采用更高長(zhǎng)徑比的納米銀線(xiàn)可以進(jìn)一步提升薄膜的光學(xué)透過(guò)率和導(dǎo)電性能，可以采用更低的退火溫度，制備光電性能更好的柔性納米銀線(xiàn)透明導(dǎo)電薄膜，這也是未來(lái)柔性電子器件的重點(diǎn)研究和應(yīng)用方向。

表3　不同退火溫度條件下納米銀線(xiàn)薄膜的表面方塊電阻值Table 3　Surface square resistance of AgNWs-Films annealed at different temperature

3　結(jié)論

本文采用絲網(wǎng)印刷法結(jié)合退火處理在普通透明玻璃載體上制備了納米銀線(xiàn)薄膜層，結(jié)合掃描電子顯微鏡、紫外可見(jiàn)光譜分光光度計(jì)以及四探針測(cè)試儀從微觀形貌表征和光電檢測(cè)方面綜合研究了納米銀線(xiàn)含量、印刷層數(shù)以及退火溫度對(duì)薄膜光電性能的影響。研究表明，當(dāng)納米銀線(xiàn)含量為3%、退火溫度為275℃、印刷層數(shù)為3層時(shí)薄膜的綜合光電性能最佳，該納米銀線(xiàn)薄膜具有39.4%的最大可見(jiàn)光透過(guò)率和25.6 Ω·□-1的表面方塊電阻值。較低的納米銀線(xiàn)含量、退火溫度以及較少的印刷層數(shù)有利于薄膜光電性能的綜合提升。本研究工作采用的納米銀線(xiàn)長(zhǎng)徑比為375，通過(guò)進(jìn)一步提高銀線(xiàn)長(zhǎng)度或降低銀線(xiàn)直徑的方式，采用更高長(zhǎng)徑比的納米銀線(xiàn)，有望將納米銀線(xiàn)薄膜在增加電阻的情況下，使其透過(guò)率提高到50%以上，一方面有利于柔性薄膜的制備，另一方面納米銀線(xiàn)薄膜較強(qiáng)的光吸收峰也有利于太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換性能的提高。絲網(wǎng)印刷法制備出的納米銀線(xiàn)透明導(dǎo)電薄膜不僅可以成為一種潛在的制備LED透明導(dǎo)電顯示器件的理想材料，更可應(yīng)用于太陽(yáng)能電池電極材料的制備之中以提高光學(xué)透過(guò)率，從而提升光能源的利用率。

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中圖分類(lèi)號(hào)：O614.122

文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A

文章編號(hào)：4861（2016）05-0782-07

DOI：10.11862/CJIC.2016.111

收稿日期：2015-11-26。收修改稿日期：2016-03-23。

Preparation of Transparent and Conductive Silver Nanowires Films by Screen Printing Method

ZHU QingZHANG Zhe-Juan＊SUN ZhuoCAI BinCAI Wen-Jun
（School of Physics and Material Science，Engineering Research Center for Nanophotonics and Advanced Instrument，Ministry of Education，East China Normal University，Shanghai 200062，China）

Abstract:Silver nanowires with high purity are focused as conductive media to prepare silver nanowires films （AgNWs-Films）on the glass substrate by using low-cost screen printing.After annealed at low temperature，the morphologies of AgNWs-Films films are characterized by field emission scanning electron microscopy.The optic transmittance and conductivity properties of the films are measured by ultraviolet-visible spectrophotometer and four-point probe，respectively.The influences of mass percentages of silver nanowires，the layers of AgNWs-Films and the annealing temperature on the optical and electrical properties are serially studied.It is concluded that within the mass percentages of AgNWs at 3%（w/w）and layers up to 3，the surface square resistence of AgNWs-Films can be as low as 25.6 Ω·□-1，and the transmittance of films can be 39.4%after annealed at 275℃.

Keywords:silver nanowires；screen printing method；transparent conductive films