徐藝 黃靜

摘 要：隨著雷達(dá)實(shí)時(shí)成像處理器的發(fā)展，使得系統(tǒng)中的運(yùn)算愈加復(fù)雜且數(shù)據(jù)量大，這就要求系統(tǒng)在進(jìn)行快速運(yùn)算的同時(shí)能對(duì)大量數(shù)據(jù)進(jìn)行快速傳輸和存儲(chǔ)。轉(zhuǎn)置存儲(chǔ)器是合成孔徑雷達(dá)實(shí)時(shí)處理器和逆合成孔徑雷達(dá)實(shí)時(shí)處理器的一個(gè)重要組成部分，它的效率直接決定了整個(gè)系統(tǒng)的性能。文中創(chuàng)新性地提出了一種將FPGA作為控制邏輯，DDR2作為外部緩存的轉(zhuǎn)置存儲(chǔ)器方案，該方案針對(duì)DDR2連續(xù)對(duì)同一bank的同一行進(jìn)行讀寫操作時(shí)效率最高這一特點(diǎn)，設(shè)計(jì)了一種可以在雷達(dá)成像系統(tǒng)中通用的轉(zhuǎn)置存儲(chǔ)器，使用該存儲(chǔ)器對(duì)4 096×512×32 b的數(shù)據(jù)在125 M時(shí)鐘下做轉(zhuǎn)置，只需80 ms，完全滿足系統(tǒng)實(shí)時(shí)性的要求。

關(guān)鍵詞：實(shí)時(shí)成像處理器；FPGA；轉(zhuǎn)置存儲(chǔ)器；DDR2

中圖分類號(hào)：TP211 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A 文章編號(hào)：2095-1302（2016）06-00-02

0 引 言

轉(zhuǎn)置存儲(chǔ)器（Corner Turning Memory，CTM）是合成孔徑雷達(dá)實(shí)時(shí)處理器和逆合成孔徑雷達(dá)實(shí)時(shí)處理器的一個(gè)重要組成部分，它的效率直接決定了整個(gè)系統(tǒng)的性能。在實(shí)時(shí)性要求不高的系統(tǒng)中，通常使用DSP作為成像處理的核心，配合DSP內(nèi)建的SDRAM控制器，使用軟件的方法，利用SDRAM對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行轉(zhuǎn)置運(yùn)算。但是采用DSP作為處理核心，DSP在功耗體積和抗輻射方面都不能滿足當(dāng)前對(duì)于SAR成像信號(hào)處理的實(shí)時(shí)性和微型化要求。也有同樣基于DDR2的CMT在FPGA中的實(shí)現(xiàn)方法，此方法基于三頁式思想來設(shè)計(jì)，其設(shè)計(jì)圖如圖1所示。將存儲(chǔ)器按照實(shí)際需求分為A、B、C三頁，在每頁將距離壓縮后每個(gè)距離向的數(shù)據(jù)按行的方式存儲(chǔ)，而列的長度為方位向采樣的一半，按行寫入而按列讀出。這樣， 在寫入A頁的同時(shí)，可以讀B、C頁；寫入B頁的同時(shí)， 可以讀A、C頁；寫入C頁的同時(shí)，可以讀A、B頁。雖然用頁的輪轉(zhuǎn)工作實(shí)現(xiàn)了處理上的流水作業(yè)，在功能上可滿足需求，但其并沒有對(duì)DDR2的使用效率加以考慮，因?yàn)槊看芜B續(xù)對(duì)DDR2進(jìn)行跨行的讀寫操作會(huì)產(chǎn)生很長的延時(shí)，對(duì)DDR2的利用率降低，很難提高外部輸入輸出數(shù)據(jù)的時(shí)鐘頻率。

本設(shè)計(jì)充分考慮了DDR2的工作效率，即當(dāng)對(duì)DDR2進(jìn)行讀寫操作，連續(xù)對(duì)同一bank的同一行進(jìn)行尋址時(shí)，DDR2對(duì)于連續(xù)的讀或?qū)懨铋g需要保持的延時(shí)最小，即對(duì)DDR2來說，進(jìn)行此種操作的工作效率最高。同時(shí)也考慮到雷達(dá)實(shí)時(shí)成像系統(tǒng)所處理的數(shù)據(jù)大小是變化的，且方位向點(diǎn)數(shù)和距離向點(diǎn)數(shù)都是2的n次冪，所以可以利用數(shù)據(jù)大小的特點(diǎn)把轉(zhuǎn)置存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)為通用的，將處理的方位向點(diǎn)數(shù)和距離向點(diǎn)數(shù)設(shè)計(jì)為輸入，并對(duì)分塊矩陣進(jìn)行轉(zhuǎn)置來實(shí)現(xiàn)矩陣轉(zhuǎn)置功能。

1 基于矩陣分塊思想的設(shè)計(jì)方案

為了在讀寫數(shù)據(jù)時(shí)都是對(duì)同一bank的同一行進(jìn)行操作，設(shè)計(jì)將輸入矩陣數(shù)據(jù)按行寫入DDR2，然后把該矩陣劃分為大小相等的矩陣塊，再按照其位置和不同的尋址規(guī)律把矩陣塊劃分為三類，對(duì)分類的矩陣塊按規(guī)律一行一行從DDR2中讀出并寫入FPGA中的RAM資源內(nèi)，對(duì)RAM內(nèi)的數(shù)據(jù)進(jìn)行地址跳變的讀出，相當(dāng)于對(duì)小的矩陣塊做了轉(zhuǎn)置處理，最后把轉(zhuǎn)置后的數(shù)據(jù)存入同一片DDR2內(nèi)的正確地址處。矩陣分塊方法如圖2所示。

（1）白色矩陣塊表示對(duì)角模式的分塊，對(duì)此種模式的矩陣塊進(jìn)行處理，首先要按行將數(shù)據(jù)讀入RAM，然后再對(duì)RAM進(jìn)行跳讀，即對(duì)矩陣塊進(jìn)行轉(zhuǎn)置處理，并把轉(zhuǎn)置后的數(shù)據(jù)按行存入DDR2，存入位置為之前讀出該矩陣塊的位置。完成對(duì)一個(gè)矩陣塊的處理后再進(jìn)行下一矩陣塊的轉(zhuǎn)置處理。其間，除了對(duì)地址的連續(xù)操作外，還需要轉(zhuǎn)到下一行，回到轉(zhuǎn)置矩陣的最初位置，轉(zhuǎn)入下一個(gè)矩陣模塊等地址跳變操作。

（2）灰色矩陣塊表示非對(duì)角模式的分塊，對(duì)此種模式的矩陣塊進(jìn)行處理，首先要把上三角的矩陣塊橫向分成兩個(gè)相等的部分，如圖2所示的矩陣塊1和矩陣塊1a，再把下三角的矩陣塊縱向分成兩個(gè)相等的部分，如圖2所示的矩陣塊4和矩陣塊4a。這是因?yàn)槿绻凑諏?duì)角模式的處理方法，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行轉(zhuǎn)置處理后存入DDR2相應(yīng)的轉(zhuǎn)置位置會(huì)與仍停留在位置內(nèi)的數(shù)據(jù)產(chǎn)生沖突。所以在該模式下讀和寫數(shù)據(jù)的順序和位置為先按行連續(xù)讀出模塊1的數(shù)據(jù)，再按行連續(xù)讀出模塊4的數(shù)據(jù)，然后對(duì)RAM中的模塊4數(shù)據(jù)進(jìn)行跳讀，轉(zhuǎn)置處理后按行存入模塊1所在的位置，最后對(duì)RAM中的模塊1數(shù)據(jù)進(jìn)行跳讀，轉(zhuǎn)置處理后按行存入模塊4所在的位置。接下來其轉(zhuǎn)入下一模塊的順序?yàn)橄葘?duì)（2，5）、（3，6）模塊分別進(jìn)行上述操作，再對(duì)（1a，4a）、（2b，5b）、（3c，6c）進(jìn)行操作。其中矩陣塊（3，6）表示MAX位置（標(biāo)志對(duì)非對(duì)角分塊每行或每列的最后一個(gè)矩陣塊進(jìn)行讀寫操作），矩陣塊（3c，6c）表示LAST位置（標(biāo)志對(duì)非對(duì)角分塊偶數(shù)行或偶數(shù)列的最后一個(gè)矩陣塊進(jìn)行讀寫操作）。其間，除對(duì)地址的連續(xù)操作外，還需要轉(zhuǎn)到下一行，操作到MAX位置后的地址跳變，操作到LAST位置后的地址跳變等對(duì)地址跳變不同規(guī)律的控制邏輯。

（3）斜紋的矩陣塊表示非對(duì)稱模式的分塊，對(duì)此種模式的矩陣塊進(jìn)行處理，首先要按行將數(shù)據(jù)讀入RAM，然后再對(duì)RAM進(jìn)行跳讀，即對(duì)矩陣塊進(jìn)行轉(zhuǎn)置處理，并把轉(zhuǎn)置后的數(shù)據(jù)按行存入DDR2，存入轉(zhuǎn)置后該矩陣該塊所對(duì)應(yīng)的位置。完成對(duì)一個(gè)矩陣塊的處理后再進(jìn)行下一矩陣塊的轉(zhuǎn)置處理。在此種模式下，操作到每行的最后一個(gè)矩陣塊為MAX位置。其間，除了對(duì)地址的連續(xù)操作外，還需要轉(zhuǎn)到下一行，正確尋址轉(zhuǎn)置后的存入地址，讀寫完一個(gè)矩陣塊后如何轉(zhuǎn)到下一個(gè)矩陣塊，操作到MAX位置后的地址跳變操作。

按照這樣的操作順序是為了對(duì)DDR2的地址操作有規(guī)律可循，同時(shí)簡(jiǎn)化控制著不同規(guī)律的地址跳轉(zhuǎn)的邏輯設(shè)計(jì)。轉(zhuǎn)置完成后各模式分塊的新位置如圖3所示。

2 本設(shè)計(jì)的特點(diǎn)

在本設(shè)計(jì)中，每個(gè)矩陣塊的大小是固定的，這樣更有利于控制邏輯的編寫。RAM的大小由FPGA中RAM緩沖資源的大小來確定，這樣間接通過RAM來進(jìn)行轉(zhuǎn)置能保證對(duì)DDR2讀寫時(shí)的大部分操作都是對(duì)連續(xù)地址進(jìn)行的，只有極少的操作需要連續(xù)對(duì)同一bank的不同行操作，所以相對(duì)于三頁式而言極大地提高了對(duì)DDR2的利用率。設(shè)計(jì)的用于轉(zhuǎn)置的RAM大小為64×64×32 b。

3 結(jié) 語

文中設(shè)計(jì)的通用矩陣轉(zhuǎn)置模塊建立在altera DDR2核可以穩(wěn)定的對(duì)DDR2進(jìn)行連續(xù)讀寫操作的基礎(chǔ)之上，充分利用DDR2連續(xù)對(duì)同一行進(jìn)行讀寫能夠達(dá)到最大的帶寬利用率這一特點(diǎn)，對(duì)需要做轉(zhuǎn)置的數(shù)據(jù)先按照矩陣的形狀一行一行連續(xù)存入DDR2，再對(duì)矩陣按照不同的跳址規(guī)律劃分為三種矩陣塊，對(duì)每一種矩陣塊都完成轉(zhuǎn)置變化后再存入DDR2內(nèi)的對(duì)應(yīng)位置，當(dāng)用戶需要時(shí)就可按行將轉(zhuǎn)置完后的數(shù)據(jù)讀出。測(cè)試中將4 096×512的數(shù)據(jù)在外部時(shí)鐘100 M的條件下，需要80 ms，由于系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)采用了兩組DDR2進(jìn)行乒乓操作，所以當(dāng)?shù)谌鵖AR圖像數(shù)據(jù)到來時(shí)可以被繼續(xù)處理，不會(huì)產(chǎn)生沖突。本方案能夠滿足雷達(dá)實(shí)時(shí)成像處理器的性能要求，達(dá)到對(duì)雷達(dá)信號(hào)進(jìn)行實(shí)時(shí)成像處理的效果。

參考文獻(xiàn)

[1]白海龍，全英匯，王虹現(xiàn)，等.基于DDR2SDRAM的SAR成像轉(zhuǎn)置存儲(chǔ)器的FPGA實(shí)現(xiàn)[J].現(xiàn)代電子技術(shù)，2008，31（1）：48-50.

[2]保錚，鄧文彪，楊軍.ISAR成像處理中的一種運(yùn)動(dòng)補(bǔ)償方法[J].電子學(xué)報(bào)，1992， 20（6）： 1-6.

[3]盧光躍.逆合成孔徑雷達(dá)成像技術(shù)的改進(jìn)[D].西安：西安電子科技大學(xué)，1999.

[4]劉暢，牛曉麗，王巖飛.基于微處理器的SAR成像處理轉(zhuǎn)置存儲(chǔ)[J].現(xiàn)代雷達(dá)，2005，27（4）：32-34.

[5] Hiroki Fujisawa，Masayuki Nakamura.1.8V 800Mb/s/pin DDR2 and 2.5V400Mb/s/pin DDRI Compatibly Designed 1-Gb SDRAM With Dual-ClockInpnt-Latch Scheme and Hybrid Multi-Oxide Output Buffer[Z]. IEEE，2005.

[6] Blagomir Donchev，Georgi Kuzmanov.External Memory Controller for Virtex IIpro[Z]. 2006.

[7] DDR_PHY_Interface_Specification_v2_1[EB/OL]. http：//wenku.baidu.com/view/cc2ba76527d3240c8447ef5a.html