垂直結構酞菁銅薄膜晶體管的工作特性測試
2015-12-31 18:07:58王東興王澤英王玥玥張永霜王玥
哈爾濱理工大學學報 2015年4期
王東興+王澤英+王玥玥+張永霜+王玥
摘要：傳統(tǒng)有機材料的場效應晶體管（FETs）具有工作速度低、驅動電壓高的缺陷，針對這個問題，垂直結構的酞菁銅（CuPc）有機薄膜晶體管（VOTFTs）被制備，整個制備過程采用真空蒸鍍和直流磁控濺射鍍膜工藝，器件的層疊結構為Au/CuPc/Al（半導電）/CuPc/Au，其中半導電Al柵極薄膜的制備是十分重要的。endprint
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