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氯化氫含氧量等技術(shù)條件對三氯氫硅質(zhì)量、產(chǎn)量的影響

2015-12-21 01:26杜俊平趙雄
化工管理 2015年12期
關(guān)鍵詞:三氯氫硅流態(tài)化硅粉

杜俊平趙雄

(1,中國恩菲工程技術(shù)有限公司,北京 100038)(2,洛陽中硅高科技有限公司,河南 洛陽 471000)

三氯氫硅(TCS)合成的基本反應(yīng)式為Si+3HCl=SiHCl3+H2,在生產(chǎn)過程中會有大約15%的副產(chǎn)物STC產(chǎn)生。目前,國內(nèi)外基本通過生產(chǎn)有機(jī)硅、氫化生產(chǎn)TCS及白炭黑等工藝消耗STC,但從節(jié)能減排,降低成本的角度分析,提高三氯氫硅合成的效率依然是合成生產(chǎn)過程中控制的關(guān)鍵點(diǎn)之一。

1 HCl含氧、H2O對TCS生成反應(yīng)的影響

在合成反應(yīng)過程中,因?yàn)镾i-O鍵比Si-Cl鍵更為穩(wěn)定,所以反應(yīng)生成的TCS在有氧及H2O存在的前提下極易發(fā)生副反應(yīng),降低三氯氫硅的收率,使生產(chǎn)成本進(jìn)一步增加。同時(shí),副反應(yīng)產(chǎn)物鹽酸對設(shè)備的腐蝕性相當(dāng)嚴(yán)重。所以,在生產(chǎn)過程中如何嚴(yán)格控制硅粉及氯化氫的含水量是三氯氫硅合成反應(yīng)控制的要點(diǎn)之一[1]。作者在生產(chǎn)實(shí)踐中發(fā)現(xiàn),當(dāng)HCl的含量為0.1%時(shí),則TCS含量小于80%,當(dāng)HCl含水量為0.05%時(shí),則TCS含量可增加或接近到90%,因此,硅粉及HCl的干燥是十分關(guān)鍵的。

目前,在工業(yè)生產(chǎn)過程中,氯化氫脫水基本依靠冷凍、霧沫分離的技術(shù)進(jìn)行,通過冷卻氯化氫至-10℃可以有效控制其含水量在100ppm以下。

2 反應(yīng)溫度對TCS生成的影響

STC為四面體結(jié)構(gòu),Si原子與Cl原子通過共價(jià)鍵相連,結(jié)合比較緊密,這種結(jié)構(gòu)造成STC的熱穩(wěn)定性要優(yōu)于TCS,即便溫度高達(dá)600℃也可以穩(wěn)定存在。TCS結(jié)構(gòu)并不對稱,Si原子與Cl原子通過近離子鍵相連,熱穩(wěn)定性較差,溫度為400℃時(shí)開始分解,550℃時(shí)分解劇烈。

在生產(chǎn)過程中,三氯氫硅的生成受溫度的影響較大,溫度較低則反應(yīng)速度較慢,溫度過高則副反應(yīng)較多,通過作者多年的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn),控制合成爐中部溫度330-350℃時(shí),合成的效率基本可以控制在一個(gè)較高的水平。同時(shí),經(jīng)生產(chǎn)實(shí)踐發(fā)現(xiàn),反應(yīng)溫度與硅粉中雜質(zhì)含量的大小具有一定得關(guān)系。硅粉中雜質(zhì)含量高時(shí),TCS生成的溫度較低;硅粉中雜質(zhì)含量較低時(shí),需提高反應(yīng)溫度。在實(shí)際生產(chǎn)過程中,需根據(jù)每批采購硅粉的雜質(zhì)含量來確定最佳反應(yīng)溫度,最終獲得TCS的最高收率。

3 HCl的純度對TCS生成的影響

在三氯氫硅生產(chǎn)反應(yīng)中,適量氫的加入,會使反應(yīng)朝著有利于TCS生成的方向進(jìn)行:

(1)與(2)兩式相乘得

由于上述反應(yīng)處于同一平衡體系

當(dāng)加氫氣稀釋時(shí),氫氣增大,而氯化氫相應(yīng)降低,三氯氫硅與四氯化硅的比值增大,因而合成液中三氯氫硅的含量也隨之增加。

4 硅粉粒度對TCS生成的影響

硅粉與氯化氫氣體的反應(yīng)從動力學(xué)的角度分析為氣體與核狀固體反應(yīng)模型。從這個(gè)角度分析,核狀固體的比表面越大越有利于反應(yīng)的進(jìn)行,比表面越小越不利于反應(yīng)的進(jìn)行。同時(shí),結(jié)合該反應(yīng)的流態(tài)化過程可以得知,顆粒較小時(shí),顆粒在爐內(nèi)的停留時(shí)間會小于其爐內(nèi)反應(yīng)時(shí)間,也就是說硅粉還未反應(yīng)完全就被氣流帶出反應(yīng)爐,造成硅粉的大量損耗,并堵塞后續(xù)系統(tǒng)。經(jīng)過多年的生產(chǎn)實(shí)踐,這種現(xiàn)象可以通過適當(dāng)加高爐桶高度,增加硅粉在爐內(nèi)的停留時(shí)間,及控制合適粒度范圍的硅粉來解決。

5 反應(yīng)料層高度對TCS生成的影響

在三氯氫硅生產(chǎn)過程中,控制合適高度的硅料層對該反應(yīng)的進(jìn)行及生產(chǎn)成本有較大的影響,一般根據(jù)流化床面積及爐體高度來確定。料層高度過低時(shí),反應(yīng)的流態(tài)化不是很好,造成氯化氫大量浪費(fèi),成本居高不下。料層高度過高時(shí),在保證正常氯化氫供應(yīng)量的前提下,會使得爐內(nèi)流態(tài)化很差,反應(yīng)局部過熱,嚴(yán)重時(shí)會使反應(yīng)器花盤受到損壞。

綜上所述,在生產(chǎn)過程中應(yīng)理論結(jié)合實(shí)際,確定出生產(chǎn)成本最低的工藝操作條件,同時(shí)應(yīng)對存在問題的管道及設(shè)備及時(shí)進(jìn)行技術(shù)更新,確保安全、環(huán)保、穩(wěn)定生產(chǎn)。

[1]丁國江.改進(jìn)型三氯氫硅合成工藝初探[J].四川有色金屬,1998,(4):11.

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