李坤蘭 , 王首臻 , 楊少華
(1.工業(yè)和信息化部電子第五研究所,廣東 廣州 510610;2.廣東省電子信息產(chǎn)品可靠性技術(shù)重點實驗室,廣東 廣州 510610;3.廣州市電子信息產(chǎn)品可靠性與環(huán)境工程重點實驗室,廣東 廣州 510610;4.二炮裝備研究院,北京 100085)
霍爾電路能夠檢測出磁場的細(xì)微的變化情況,測量壓力、質(zhì)量、液位、流速和流量等。產(chǎn)品具有線性度好、功耗低和靈敏度高,以及輸出阻抗低等優(yōu)點。目前的霍爾集成電路都可以承受一定的振動,可在-40~150℃的環(huán)境中正常工作,全部密封不受水和油的污染,完全能夠適應(yīng)汽車的惡劣的工作環(huán)境。在自動控制和信息處理等方面有著廣泛的應(yīng)用[1-2]。
目前,對霍爾集成電路的研究主要集中在其工作狀態(tài)的可靠性上,而對于其貯存狀態(tài)則研究得較少。本文主要研究了貯存環(huán)境條件對某型霍爾集成電路的性能參數(shù)的影響。
對某廠生產(chǎn)的40只某型霍爾集成電路開展了長期貯存試驗 (帶包裝),貯存地點分別為A(寒溫)、B (亞濕熱)、C (亞濕熱)、D (熱帶海洋)4地,貯存環(huán)境為室內(nèi)無空調(diào)通風(fēng)環(huán)境。試驗結(jié)果顯示,雖然該批試驗樣品已貯存了17年,但是跟蹤監(jiān)測到的試驗樣品的性能參數(shù)高電平-低電平磁感應(yīng)強度 (工作點)BH-L、低電平-高電平磁感應(yīng)強度 (釋放點)BL-H和回差BH均合格。
假設(shè)D地的器件的性能參數(shù)服從正態(tài)分布N(μ1,σ2),C地的器件的性能參數(shù)服從正態(tài)分布N(μ2, σ2), 其中共同的 σ2未知。分別從總體中抽取樣本 (X1, X2, …, Xn1) 和 (Y1, Y2, …, Yn1),且兩個樣本相互獨立, 現(xiàn)假設(shè) H0: μ1=μ2, H1:μ1≠μ2。 則構(gòu)造新統(tǒng)計量:
S21和S22分別為兩總體的子樣本方差。n1和n2分別為樣本的樣本數(shù)。如果假設(shè)成立,根據(jù)抽樣分布定理,則統(tǒng)計量T服從自由度為n1+n2-2的t分布。對于給定的α,由t分布表的臨界值tα/2(n1+n2-2),可以得到:
如果算出的T的值落入其拒絕域C:|T|≥tα/2(n1+n2-2)}內(nèi),則 H0不成立。
利用統(tǒng)計軟件SPSS來檢測各試驗站間樣品的參數(shù)是否存在顯著性差異,將某一個試驗站的某參數(shù)的歷年測試值作為一個序列,然后來兩兩比較其值是否有顯著的差異。
對在A、B、C、D 4地貯存期間試驗樣品的性能參數(shù)BH-L的測試數(shù)據(jù)進行T-檢驗,計算的統(tǒng)計量如表1所示,計算結(jié)果如表2所示。
表1 BH-L計算的統(tǒng)計量
從表2中可以得出以下結(jié)論:
1)A—B兩地的試驗樣品的性能參數(shù)BH-L無顯著的差異;
2)A—C兩地的試驗樣品的性能參數(shù)BH-L無顯著的差異;
3)A—D兩地的試驗樣品的性能參數(shù)BH-L有顯著的差異;
4)B—C兩地的試驗樣品的性能參數(shù)BH-L無顯著的差異;
5)B—D兩地的試驗樣品的性能參數(shù)BH-L有顯著的差異;
6)C—D兩地的試驗樣品的性能參數(shù)BH-L有顯著的差異。
對在A、B、C、D 4地貯存期間試驗樣品的性能參數(shù)BL-H的測試數(shù)據(jù)進行T-檢驗,計算的統(tǒng)計量如表3所示,計算結(jié)果如表4所示。
從表3中可以得出以下結(jié)論:
1)A—B兩地的試驗樣品的性能參數(shù)BL-H無顯著的差異;
表2 BH-LT-檢驗的計算結(jié)果
表3 BL-H計算的統(tǒng)計量
2)A—C兩地的試驗樣品的性能參數(shù)BL-H無顯著的差異;
3)A—D兩地的試驗樣品的性能參數(shù)BL-H有顯著的差異;
4)B—C兩地的試驗樣品的性能參數(shù)BL-H無顯著的差異;
5)B—D兩地的試驗樣品的性能參數(shù)BL-H有顯著的差異;
表4 BL-HT-檢驗的計算結(jié)果
6) C—D兩地的試驗樣品的性能參數(shù)BL-H有顯著的差異。
對在A、B、C、D 4地貯存期間試驗樣品的性能參數(shù)BH的測試數(shù)據(jù)進行T-檢驗,計算的統(tǒng)計量如表5所示,計算結(jié)果如表6所示。
從表4中可以得出以下結(jié)論:
1)A—B兩地的試驗樣品的性能參數(shù)BH無顯著的差異;
2)A—C兩地的試驗樣品的性能參數(shù)BH無顯著的差異;
3)A—D兩地的試驗樣品的性能參數(shù)BH有顯著的差異;
4)B—C兩地的試驗樣品的性能參數(shù)BH無顯著的差異;
5)B—D兩地的試驗樣品的性能參數(shù)BH無顯著的差異;
表5 BH計算的統(tǒng)計量
6)C—D兩地的試驗樣品的性能參數(shù)無顯著的差異。
匯總樣品的主要參數(shù)BH-L、BL-H、BH的T-檢驗的結(jié)果,匯總結(jié)果如表7所示。
由表7可知,BH參數(shù)除了在A—D兩地之間有顯著的差異外,在其余各貯存地點之間均無顯著的差異。BH-L參數(shù)和BL-H參數(shù)在A-D、B-D、C-D地之間有顯著的差異,在其余各貯存地點之間均無顯著的差異。說明該型樣品在各地貯存17年后,各地貯存環(huán)境條件對器件的性能參數(shù)的影響各不相同。
表7 4地之間T-檢驗的差異顯著性分析匯總表
表6 BHT-檢驗的計算結(jié)果
在A (寒溫)、B (亞濕熱)、C (亞濕熱)、D(熱帶海洋)4地的庫房里對某廠生產(chǎn)的40只某型霍爾集成電路開展了為期17年的庫房貯存試驗,跟蹤測試了試驗樣品的高電平-低電平磁感應(yīng)強度(工作點)BH-L、低電平-高電平磁感應(yīng)強度 (釋放點)BL-H和回差BH等性能參數(shù),并應(yīng)用T-檢驗對A、B、C、D 4個地方的貯存環(huán)境對試驗樣品性能參數(shù)的影響進行了分析研究,結(jié)果表明,各地貯存環(huán)境條件對器件的性能參數(shù)的影響各不相同。
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