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核電站新型硼濃度探測裝置屏蔽設(shè)計(jì)

2015-10-31 02:44:48盤世標(biāo)楊永木牛江
建材與裝飾 2015年20期
關(guān)鍵詞:中子源中子光子

盤世標(biāo) 楊永木 牛江

(中國核動力研究設(shè)計(jì)院反應(yīng)堆物理與屏蔽研究實(shí)驗(yàn)室 四川成都 610041)

核電站新型硼濃度探測裝置屏蔽設(shè)計(jì)

盤世標(biāo)楊永木牛江

(中國核動力研究設(shè)計(jì)院反應(yīng)堆物理與屏蔽研究實(shí)驗(yàn)室 四川成都610041)

為了滿足核電站新型硼濃度探測裝置的中子探測效率和輻射防護(hù)要求,采用蒙特卡羅程序建立物理模型,模擬中子源在輻射場中的輸運(yùn)。對計(jì)算模型進(jìn)行評估改進(jìn)得到最優(yōu)化屏蔽方案,為探測裝置的設(shè)計(jì)提供依據(jù)。并將模擬計(jì)算結(jié)果與實(shí)測數(shù)據(jù)做比較,兩者吻合較好,滿足探測裝置表面的最大劑量要求。

硼濃度計(jì);屏蔽計(jì)算;探測裝置

1 引言

硼酸溶液是一種中子吸收能力很強(qiáng)的可溶毒物,輕水堆中通常將硼酸溶解在冷卻劑內(nèi)補(bǔ)償剩余反應(yīng)性,減少反應(yīng)堆內(nèi)控制棒的使用,簡化堆芯設(shè)計(jì)。為了監(jiān)測冷卻劑中硼濃度的變化,必須在一回路系統(tǒng)中加裝硼濃度探測裝置。根據(jù)某核電廠工程2號機(jī)組《硼濃度計(jì)規(guī)范書》的要求,新型硼濃度探測裝置直接安裝在核電站一回路的化容系統(tǒng)的下泄流管道上,與當(dāng)前主流在役應(yīng)用的硼表原理與技術(shù)不一致,對測量原理、一次裝置的屏蔽、中子源的強(qiáng)度及探測器的靈敏度等都需要通過試驗(yàn)進(jìn)行驗(yàn)證。本文采用蒙特卡羅程序建立物理模型,對硼濃度探測裝置中子源的選擇、屏蔽等問題進(jìn)行模擬計(jì)算,為探測裝置的設(shè)計(jì)提供依據(jù)。

2 核電站新型硼濃度探測裝置簡介

2.1硼濃度探測裝置的原理

硼濃度探測裝置由中子源、中子探測器、溫度傳感器和聚乙烯材料屏蔽體等組成。其監(jiān)測原理是利用反應(yīng)堆冷卻劑中的10B吸收中子來測定反應(yīng)堆冷卻劑中的硼濃度,冷卻劑中硼濃度越高,探測器測到的中子數(shù)就越少,對探測器測出的脈沖計(jì)數(shù)率進(jìn)行處理,從而給出反應(yīng)堆冷卻劑中的硼濃度。

2.2新型硼濃度探測裝置的特點(diǎn)

新型硼濃度探測裝置改進(jìn)并簡化了核電站的核取樣系統(tǒng),將中子源和探測器對稱懸掛在厚壁化容管道上進(jìn)行在線測量,提高了其運(yùn)行安全性,實(shí)現(xiàn)了對主回路硼濃度變化的在線實(shí)時(shí)監(jiān)測。這一改進(jìn)對硼濃度計(jì)探測裝置帶來了諸如中子源強(qiáng)的選擇、屏蔽、探測器類型及靈敏度的選擇等許多復(fù)雜的問題;考慮到中子在厚壁化容管道上的散射、在含硼冷卻劑中的慢化、吸收后在厚壁化容管道上另一側(cè)的再次吸收等一系列復(fù)雜物理過程,為了既保證探測器計(jì)數(shù)管的探測效率,又滿足中子源在周圍環(huán)境產(chǎn)生的輻射劑量限值的要求,應(yīng)恰當(dāng)選取不同的屏蔽材料及厚度,盡可能減輕厚壁化容管道的承重,保證整個(gè)探測裝置對化容系統(tǒng)管道載荷的作用在安全范圍內(nèi)(如圖1)。

3  MCNP程序的特點(diǎn)

MCNP是一個(gè)大型多功能通用蒙特卡羅程序,具有很強(qiáng)的幾何描述能力,可以處理任意三維材料結(jié)構(gòu)的粒子輸運(yùn)問題,截面數(shù)據(jù)齊全,可用于計(jì)算中子、光子、中子-光子耦合以及光子-電子耦合的輸運(yùn)問題,也可計(jì)算臨界系統(tǒng)(包括次臨界及超臨界)的本征值問題。MCNP是一種非確定性方法,不需要解輸運(yùn)方程,而是通過跟蹤模擬大量粒子行為并進(jìn)行抽樣記錄得到解。

圖1 新型硼濃度計(jì)探測裝置示意圖

4 計(jì)算模型

4.1點(diǎn)探測器抽樣理論

屏蔽體外圍是空氣,粒子發(fā)生散射的幾率很小,不適合用柵元計(jì)數(shù)和表面計(jì)數(shù),只能采用點(diǎn)探測器進(jìn)行模擬,點(diǎn)探測器是對空間某一點(diǎn)處通量的確定性估值。

假設(shè)p(μ,φ)dΩ表示在方向(μ,φ)上立體角dΩ內(nèi)生成的粒子和被散射進(jìn)來的粒子的總概率,φ為方位角,μ為粒子入射方向與碰撞點(diǎn)到探測器方向夾角的余弦值cosθ。假設(shè)dΩ內(nèi)生成的粒子和被散射進(jìn)來的粒子沒有經(jīng)歷再碰撞直接到達(dá)探測器,碰撞點(diǎn)到探測器的距離為R,則有:

在球面球面坐標(biāo)系中:

將(2)、(3)代入(1),得到沿(μ,φ)方向到達(dá)探測器的通量:

在MCNP中,標(biāo)準(zhǔn)源的散射分布一般沿方位角對稱,φ在區(qū)間(0,2π)上均勻抽樣,積分得到角分布函數(shù)p(μ):

考慮粒子權(quán)重W后,得到沿(μ,φ)方向到達(dá)探測器的通量為:

如果碰撞點(diǎn)離探測器距離很近,R趨于0,通量趨于無窮大,這樣的抽樣技術(shù)是有效和無偏的,但是收斂太慢也與實(shí)際不符。為了避免這種情形,假想一個(gè)球面包圍點(diǎn)探測器,球面半徑為R0。如果R0<R,則通量用假想球面內(nèi)的平均通量值代替:

4.2源描述

本裝置采用的中子源為238Pu-Be源,半衰期86.4年,中子產(chǎn)額6.6×106n/s,中子平均能量為5.0MeV。根據(jù)同位素中子源的特點(diǎn),源描述采用通用源SDEF卡,用ERG=D1分布給出源的能譜分布概率。MCNP中,無論是采用標(biāo)準(zhǔn)源還是用戶提供源子程序,都假設(shè)碰撞是各向同性的,對角分布函數(shù)p(μ)積分得:

4.3探測裝置的幾何結(jié)構(gòu)

柵元用于描述探測裝置的幾何結(jié)構(gòu),通常按功能及材料將探測裝置劃分成不同柵元,然后在各柵元中填充相應(yīng)材料的化學(xué)成分,并對各柵元的重要性逐一進(jìn)行描述。

同位素中子源接近于點(diǎn)源,以點(diǎn)源為坐標(biāo)原點(diǎn)建立坐標(biāo)系,依次對探測裝置的不同組成部分劃分柵元。MCNP輸出的幾何結(jié)構(gòu)如圖2所示,左邊是XZ平面剖面圖,右邊是ZY平面剖面圖。在XZ平面剖面圖縱軸方向?yàn)閆軸,橫軸方向?yàn)閄軸,最頂端的圓柱體空腔為源,化溶管道和探測器是平行于Y軸的兩個(gè)圓柱體。整個(gè)探測裝置填充聚乙烯屏蔽材料,用紅顏色表示,外圍是不銹鋼包殼,最外層是一個(gè)球殼,用于限制中子和光子的跟蹤范圍,當(dāng)粒子跑出這個(gè)區(qū)域就不再進(jìn)行跟蹤計(jì)算。

圖2  MCNP輸出的幾何結(jié)構(gòu)

4.4計(jì)數(shù)卡設(shè)置

采用點(diǎn)探測器F5卡及劑量轉(zhuǎn)換卡Den,在聚乙烯屏蔽體的6個(gè)外立面中心處設(shè)置點(diǎn)探測器。只要在最大劑量位置滿足了屏蔽設(shè)計(jì)要求,其他位置也滿足要求,點(diǎn)探測器卡的格式:

式中:n表示探測器記數(shù)類型號,選擇F5卡對點(diǎn)探測器處的通量進(jìn)行跟蹤;p1為選擇跟蹤粒子的類型,選擇n,p則同時(shí)進(jìn)行跟蹤中子和光子;X,Y,Z:探測點(diǎn)幾何坐標(biāo)。R0就是(7)式中的假想球面半徑,也稱為探測點(diǎn)處鄰域球半徑,R0的選擇一般根據(jù)經(jīng)驗(yàn)值來確定。

將參加反應(yīng)的中子從熱中子到快中子分成13個(gè)能量段,即:0.5e-06、10e-03、0.5、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10(單位MeV),結(jié)合通量—劑量率轉(zhuǎn)換因子及質(zhì)量因數(shù)[1](見表1)。分別計(jì)算聚乙烯屏蔽體6個(gè)外立面中心處的中子及γ劑量分布曲線,積分得到所求的中子及γ劑量概率分布值。

表1 通量-劑量率轉(zhuǎn)換因子及質(zhì)量因數(shù)

5 數(shù)據(jù)處理

5.1中子劑量分布

根據(jù)MCNP計(jì)算輸出文件,屏蔽體6個(gè)外立面處的中子劑量分布計(jì)算結(jié)果如表2。

表2 中子劑量分布計(jì)算值

對應(yīng)的中子劑量概率分布曲線如圖3所示。

圖3 中子劑量分布

5.2 γ劑量分布

根據(jù)MCNP計(jì)算輸出文件,屏蔽體6個(gè)外立面中心處的光子劑量分布計(jì)算結(jié)果如下:應(yīng)的光子劑量概率分布曲線如圖4所示。

5.3結(jié)果比較

分別將中子和光子劑量概率分布曲線積分,乘上源強(qiáng)得到屏蔽體6個(gè)外立面中心處的中子和光子劑量值。為了較核理論計(jì)算,在相同尺寸和材料的探測裝置上,測量了屏蔽體各方向外立面上的中子和γ劑量值,并將MCNP模擬計(jì)算的結(jié)果跟實(shí)測值進(jìn)行比較,中子劑量計(jì)算值與γ劑量計(jì)算值都與實(shí)驗(yàn)值符合較好。

圖4 

6 結(jié)論

模擬計(jì)算和實(shí)驗(yàn)測量表明,新型硼濃度探測裝置的屏蔽設(shè)計(jì)方案滿足《硼濃度計(jì)規(guī)范書》規(guī)定的探測器表面最大劑量限值要求:n<500μSv/h,γ<35μSv/h。探測裝置的尺寸、重量及各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)滿足訂貨合同要求。目前,現(xiàn)該項(xiàng)目已通過驗(yàn)收,并處于安裝調(diào)試階段。

[1]RSICC COMPUTER CODE COLLECTION MCNP4C[M].Los Alamo National,Laboratory,1997.3,LosAlamos,New Mexico.s

[2]N.M.謝佛.核反應(yīng)堆屏蔽工程學(xué)[M].原子能出版社,1983.

[3]塞歐蓋爾.反應(yīng)堆屏蔽設(shè)計(jì)手冊[M].中國工業(yè)出版社,1962.

TL375.5

A

1673-0038(2015)20-0138-03

2015-4-26

盤世標(biāo)(1978-),男,助理研究員,碩士學(xué)位,2006年畢業(yè)于四川大學(xué),粒子物理與原子核物理專業(yè),主要從事反應(yīng)堆物理與屏蔽方面的研究工作。

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