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DDR4時(shí)代選擇8GB還是16GB內(nèi)存

2015-09-10 07:22
電腦愛(ài)好者 2015年23期
關(guān)鍵詞:芯片組傳輸速率英特爾

新平臺(tái)的誘惑

與Skylake平臺(tái)搭配的主板芯片組有Intel Z170和B150,除了支持DDR4內(nèi)存外還具備Ultra M.2(具備32Gb/s傳輸速率,走PCI-E 3.0×4通道的M.2接口)、SATA Express和USB3.1接口的全新特性,吸引了很多DIY玩家的關(guān)注。

DDR4內(nèi)存的尷尬

在DDR3時(shí)代,其最小內(nèi)存容量為2GB,預(yù)算有限的玩家也能輕松搭建起2GB+2GB的雙通道內(nèi)存模塊(圖1)。步入DDR4時(shí)代后,其最小內(nèi)存容量就達(dá)到了4GB,此時(shí)就會(huì)有很多用戶開(kāi)始糾結(jié):是購(gòu)買(mǎi)4GB+4GB湊合著用,還是一步到位選擇8GB+8GB內(nèi)存呢?4GB×2和8GB×2的差別大嗎?

大內(nèi)存對(duì)性能的影響

為此,筆者通過(guò)實(shí)際測(cè)試,對(duì)4GB×2和8GB×2內(nèi)存模式的性能進(jìn)行了對(duì)比。測(cè)試平臺(tái)為英特爾i7-6700K處理器、Z170主板、GTX960和GTX950顯卡,測(cè)試內(nèi)存為HyperX Predator DDR4 2400 4GB×2和十銓DDR4 2400 8GB×2,兩組內(nèi)存的時(shí)序、延遲等參數(shù)基本一致。

從測(cè)試結(jié)果來(lái)看(見(jiàn)表),在DDR4時(shí)代,4GB×2和8GB×2的內(nèi)存組合對(duì)整機(jī)性能幾乎毫無(wú)影響,4GB×2的內(nèi)存就可滿足絕大多數(shù)主流應(yīng)用的運(yùn)行需求了。與其將投資放在更大的內(nèi)存容量上,還不如購(gòu)買(mǎi)一塊M.2 SSD來(lái)給磁盤(pán)性能提速,如此才能帶來(lái)立竿見(jiàn)影的體驗(yàn)升級(jí)。

兩個(gè)芯片組的最大差異體現(xiàn)在PCI-E 3.0總線數(shù)量上。B150為8條,Z170達(dá)到了20條。此外,Z170支持超頻、支持更多的原生USB3.0和SATA-E接口數(shù)量,且支持英特爾PCI-E快速儲(chǔ)存技術(shù)。雖然B150沒(méi)有自帶USB3.1,但卻可通過(guò)SATA Express接口和前置USB3.1面板曲線獲得該功能。

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