意法半導體的槽柵結構低壓MOSFETsSTripFET?F7系列將新增60 V的產品線，可協(xié)助電信、服務器和臺式PC機的電源以及工業(yè)電源和太陽能微逆變器的直流－直流（DC/DC）電源轉換器達到嚴格的能效標準要求，最大限度提升電源功率密度。

STripFET F7 MOSFET不僅大幅提高了晶體管的導通能效和開關性能，還簡化了通道間的槽柵結構 （trench-gate structure），實現極低的導通電阻、電容和柵電荷量，并取得優(yōu)異的品質因數（RDS（ON）×Qg）。此外，本征體二極管的恢復電荷（recovery charge）很低，有助于提高開關性能。高雪崩耐量確保在惡劣條件下保持性能穩(wěn)健，反向傳輸電容對輸入電容（Crss/Ciss）的比值低，有助于強化抗電磁干擾（EMI immunity）。