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實(shí)用的boots型拓?fù)渲绷髯儞Q蓋革計(jì)數(shù)管高壓偏置電路

2014-12-02 03:01韓業(yè)輝梅雪松趙超趣滕立才
黑龍江科學(xué) 2014年10期
關(guān)鍵詞:電離偏置管內(nèi)

韓業(yè)輝,梅雪松,龐 楊,趙超趣,滕立才

(黑龍江省科學(xué)院技術(shù)物理研究所,哈爾濱150010)

蓋革計(jì)數(shù)管是德國(guó)科學(xué)家H·蓋革和P·米勒發(fā)明的,是根據(jù)射線能使氣體電離的性能制成的,工作在蓋革區(qū),當(dāng)某種射線的一個(gè)高速粒子進(jìn)入管內(nèi)時(shí),能夠使管內(nèi)氣體原子電離,釋放出幾個(gè)自由電子,并在偏置電壓的作用下移動(dòng)。這些電子沿途又電離氣體的其他原子,釋放出更多的電子。越來(lái)越多的電子再接連電離越來(lái)越多的氣體原子(雪崩電離),最終使管內(nèi)氣體成為導(dǎo)電體,在陽(yáng)絲極與管壁之間產(chǎn)生迅速的氣體放電現(xiàn)象,從而有一個(gè)脈沖電流輸出,當(dāng)外加偏置電壓一定時(shí),輸出的脈沖幅度相同。蓋革—米勒計(jì)數(shù)器優(yōu)點(diǎn)是靈敏度高、脈沖幅度大,缺點(diǎn)是不能快速計(jì)數(shù)。雖然劑量率測(cè)量精度差,但是能提供應(yīng)用/性能/成本的一個(gè)很好的妥協(xié)方案,很多輻射檢測(cè)儀器、料位計(jì)都使用這種探測(cè)器。

對(duì)于不同的蓋革計(jì)數(shù)管,它們的偏置電壓也不同,范圍從350~900 V,取決于管的設(shè)計(jì)和使用的氣體混合物。一般情況下,一個(gè)給定的管的偏置電壓設(shè)定在其“坪”電壓中心點(diǎn)工作,坪區(qū)范圍在100~150 V。如北京核儀器廠生產(chǎn)的J4401計(jì)數(shù)管,起始電壓小于420 V,坪區(qū)范圍450~550 V,推薦工作電壓500 V(見(jiàn)圖1)。設(shè)計(jì)提供穩(wěn)定、可靠的高壓電源,是GM計(jì)數(shù)正常可靠工作的基礎(chǔ),也是GM計(jì)數(shù)管靈活設(shè)計(jì)應(yīng)用的保障。

圖1 偏置電壓Fig.1 High bias voltage

1 電路設(shè)計(jì)

圖2 Boots型拓樸并聯(lián)開(kāi)關(guān)Fig.2 Boots type topological transformation circuit

圖3 電壓反饋Fig.3 Voltage feedback circuit

2 電路分析

圖4、圖5顯示了電路響應(yīng)和負(fù)載電流的變化,特別是在空載的條件下(無(wú)輻射),輸入電流極低(80 μA以下),這是該電路應(yīng)用幾乎100%時(shí)間的工作狀況。

圖4 空載下輸出電壓與輸入電流Fig.4 VOUTand IINvs.input voltage with RLOADopen

輸入電壓 Vcc=5 v,Vref=2.5 v,輸出電壓 Vo=500 v,輸出電流60 uA,足以滿足GM計(jì)數(shù)管工作的需要。

圖5 負(fù)載下輸出電壓與輸入電流Fig.5 VOUTand IINvs.input voltage with RLOAD=10 MΩ

3 結(jié)論

針對(duì)GM計(jì)數(shù)管應(yīng)用設(shè)計(jì)的高壓偏置電源,輸出電壓和輸出電流均可滿足一般GM計(jì)數(shù)管的使用要求,該電路設(shè)計(jì)相對(duì)簡(jiǎn)單,輸出電壓穩(wěn)定,運(yùn)行穩(wěn)定。在實(shí)際應(yīng)用中,器件選用合適的封裝,可以建立的體積非常小,滿足便攜儀器的苛刻要求。

[1] 應(yīng)建華,李進(jìn).低功耗PFM DC-DC轉(zhuǎn)換器[J].微電子學(xué)與計(jì)算機(jī),2007,24(11):42—45.

[2] 柳紀(jì)虎,劉旭丁,劉永生.多級(jí)倍壓整流電路的設(shè)計(jì)原理及其有關(guān)參數(shù)的計(jì)算方法[J].半導(dǎo)體技術(shù),1992,(8):46—48.

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