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基于單片機的光電檢測電路設(shè)計

2014-08-14 05:25唐繁張吉左
電腦知識與技術(shù) 2014年19期
關(guān)鍵詞:單片機

唐繁 張吉左

摘要:該文介紹在單片機最小系統(tǒng)基礎(chǔ)上,設(shè)計了光電檢測系統(tǒng)。該檢測系統(tǒng)外圍電路主要有指示二極管、發(fā)光二極管、光敏三極管組成。該文利用軟硬件相結(jié)合的方法進行設(shè)計。為了驗證設(shè)計的可行性,在設(shè)計中利用Protues進行仿真分析,仿真結(jié)果顯示電路結(jié)構(gòu)正確,達到設(shè)計的目的。

關(guān)鍵詞:單片機;發(fā)光二極管;光敏三極管

中圖分類號:TN702 文獻標(biāo)識碼:A 文章編號:1009-3044(2014)19-4586-03

近年來,自動控制技術(shù)及生產(chǎn)自動化在國家工業(yè)建設(shè)中發(fā)揮了非常重要的角色。光電檢測在自動控制和自動生產(chǎn)中起著不可替代的作用。早起自動化生產(chǎn),一般采用機械化方式,隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展和集成電路的出現(xiàn),自動化生產(chǎn)越來越多的采用電器方式,光電檢測是電器方式自動化經(jīng)常采用的技術(shù)之一。

1 半導(dǎo)體二極管

二極管的核心是PN結(jié),與PN結(jié)一樣,二極管具有單向?qū)щ娦?,但是,由于二極管存在體電阻和引線電阻,二極管的伏安特性與PN結(jié)的伏安特性略有不同,在正向電壓相同的情況下,二極管的正向電流小于PN結(jié)的正向電流;在反向偏置相同的情況下,由于二極管存在表面漏電流,二極管的反向電流大于PN結(jié)的反向電流,在近似分析時,PN結(jié)電流統(tǒng)一采用公式(1) 。

[i=IS(euUT-1)] (1)

測量二極管的伏安特性時發(fā)現(xiàn),只有在正向電壓足夠大時,正向電流才從零隨端電壓按指數(shù)規(guī)律增大。使二極管開始導(dǎo)通的臨界電壓稱為開啟電壓Uon ,不同的材料制成的二極管,開啟電壓不同,相應(yīng)的導(dǎo)通電壓、反向飽和電流也不同,如圖1和表1。所示。本次設(shè)計用的是硅晶體二極管 [4]。

圖1 二極管的伏安特性

表1 兩種材料二極管對比

[材料\&開啟電壓UOn/V\&導(dǎo)通電壓U/V\&反向飽和電流IS/μA\&硅(Si)\&≈0.5\&0.6-0.8\&<0.1\&鍺(Ge)\&≈0.1\&0.1-0.3\&幾十\&]

發(fā)光二極管簡稱為LED,由鎵(Ga)與砷(As)、磷(P)、氮(N)、銦(In)的化合物制成的二極管,當(dāng)電子與空穴復(fù)合時能輻射出光波,因而可以用來制成各種發(fā)光二極管。在電路及儀器中作為指示燈,或者組成文字或數(shù)字顯示。磷砷化鎵二極管發(fā)紅光,磷化鎵二極管發(fā)綠光,碳化硅二極管發(fā)黃光,銦鎵氮二極管發(fā)藍光。

發(fā)光二極管把電能轉(zhuǎn)化成光能。當(dāng)給發(fā)光二極管加上正向電壓后,從P區(qū)注入到N區(qū)的空穴和由N區(qū)注入到P區(qū)的電子,在PN結(jié)附近數(shù)微米內(nèi)電子和空穴復(fù)合,產(chǎn)生自發(fā)輻射的光。不同的半導(dǎo)體材料中電子和空穴所處的能量狀態(tài)不同,當(dāng)電子和空穴復(fù)合時釋放出的能量不同,發(fā)出的光波長不同。常用的是發(fā)紅光、綠光或黃光的二極管。這里我們選用紅色發(fā)光二極管。發(fā)光二極管原理與普通二極管一樣,不過它的開啟電壓比普通二極管的大,紅色的在1.6-1.8V之間,綠色的約為2V。正向電流愈大,發(fā)光愈強。

2 光敏三極管

光敏三極管一般有光敏二極管和三極管組成。光敏二極管也叫光電二極管。光敏二極管與半導(dǎo)體二極管在結(jié)構(gòu)上是類似的,其管芯是一個具有光敏特征的PN結(jié),當(dāng)光線照射PN結(jié)時,可以使PN結(jié)中產(chǎn)生電子一空穴對,使少數(shù)載流子的密度增加,不過光敏二極管利用的是反向特性,工作時需加上反向電壓,當(dāng)受到光照時, 載流子在反向電壓下漂移,反向飽和電流發(fā)生變化,它隨入射光強度的變化而變化,因此可以利用光照強弱來改變電路中的電流。

光敏二極管是將光信號變成電信號的半導(dǎo)體器件,和普通二極管相比,在結(jié)構(gòu)上與普通二極管不同,為了便于接受入射光照,PN結(jié)面積盡量做的大一些,電極面積盡量做的小一些,而且PN結(jié)的結(jié)深很淺,一般小于1微米。

光敏三極管是有光敏二極管與普通三極管組合而成的,光敏二極管把光照轉(zhuǎn)化成電流傳遞給三極管基極,三極管把基極電流通過放大機理轉(zhuǎn)化成集電極電流實現(xiàn)放大。在protus環(huán)境中,發(fā)光二極管和光敏三極管組合在一起,如圖2所示。光敏三極管的輸出特性曲線如圖3所示。輸出特性曲線滿足公式(2) 。

[iC=f(uCE)IB=常數(shù)] (2)

圖2 光敏三極管

圖3 光敏三極管輸出特性曲線

3 主控單元

單片機性能價格比高,體積小,重量輕,抗干擾能力強,環(huán)境要求不高,可靠性高,靈活性好,開發(fā)較為容易。由于具有上述優(yōu)點,單片機廣泛應(yīng)用在工業(yè)自動化控制、自動檢測、智能儀器儀表、家用電器等各個方面。該文采用AT89C51,AT89C51單片機是美國Atmel公司生產(chǎn)低電壓,高性能CMOS 8位單片機。AT89C51單片機主要由微處理器、數(shù)據(jù)存儲器、程序存儲器、4個8位并行I/O口、1個串行口、2個16位定時器/計數(shù)器、中斷系統(tǒng)、特殊功能寄存器等八個功能部件組成[7]。

單片機的4個8位并行I/O口為P0、P1、P2、P3口。該文中只用到P1、P3口,下面簡單介紹這兩個端口的特點。

P1口:P1口是一個內(nèi)部提供上拉電阻的8位雙向I/O口。P1口鎖存器寫入1后,CMOS管截止,這時可用作輸入,P1口被外部下拉為低電平時,將輸出電流,這是由于內(nèi)部上拉的緣故。該文利用了P1.7管腳。當(dāng)有物體遮住光電檢測電路時,P1.7管腳所接的發(fā)光二極管發(fā)光。

P3口:由于單片機引腳數(shù)目有限,因此在P3口電路中增加了引腳的第二功能。P3口的某一引腳可以作為通用I/O使用,又可以根據(jù)需要,使用它的第二功能。該文利用了管腳P3.2的第二功能,也就是外部中斷。P3.2管腳平時高電平,當(dāng)有物體通過發(fā)光二極管和光敏三極管中間時,P3.2管腳平時低電平,單片機檢測到電平由高電平變化到低電平時,執(zhí)行中斷程序,發(fā)光二極管發(fā)光,給出指示。中斷程序框圖如圖4所示。

當(dāng)有物體通過光電檢測電路時,發(fā)光二極管發(fā)光, R6 為 ? 181 限流電阻。如圖5所示:

圖5 發(fā)光電路

光電檢測電路如圖6所示。當(dāng)開關(guān)物體通過時時,發(fā)光二極管不會發(fā)光,此時光敏三極管處于截止?fàn)顟B(tài),電路中的三極管Q1處于截止?fàn)顟B(tài),P3.2管腳呈現(xiàn)低電平,單片機檢測到低電平,執(zhí)行中斷程序,點亮發(fā)光二極管。當(dāng)沒有物體通過時,光敏三極管接收到發(fā)光二極管發(fā)出的光,光敏三極管導(dǎo)通,電路中的三極管Q1處于導(dǎo)通狀態(tài),P3.2管腳呈現(xiàn)高電平,單片機處于等待狀態(tài)。

圖6 光電檢測電路

光電檢測整體電路如圖7所示。本電路結(jié)構(gòu)利用單片機的最小系統(tǒng),單片機的很多接口處于空閑狀態(tài),這為增加光電檢測電路功能提供了可能。因為在仿真時,無法模擬物體通過光電檢測系統(tǒng),在電路結(jié)構(gòu)中,以開關(guān)代替是否有物體通過,當(dāng)開關(guān)閉合時,代表沒有物體通過,當(dāng)開關(guān)打開時代表有物體通過。

圖7 光電檢測整體電路

4 結(jié)論

本文利用單片機最小系統(tǒng)設(shè)計了光電檢測電路,由仿真結(jié)果分析,本設(shè)計可以進行工業(yè)生產(chǎn)計數(shù)、工業(yè)生產(chǎn)安全監(jiān)控等。由

于單片機的很多接口處于空閑狀態(tài),所以本系統(tǒng)可以增加其它檢測功能。本設(shè)計目的是檢驗所學(xué)的理論知識,為以后的工程設(shè)計打下基本技能。

參考文獻:

[1] 雷玉堂.光電檢測技術(shù)[M].北京:中國計量出版社,1995.

[2] 呂海寶.激光光電檢測[M].北京:國防科技大學(xué)出版社,2000.

[3] 王清正,胡渝.光電探測技術(shù)[M].北京:電子工業(yè)出版社,1994.

[4] 童詩白.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)[M].4版.北京:高等教育出版社,2000.

[5] 何利民.單片機高級教程[M].北京:航空航天大學(xué)出版社,2000.

[6] 李朝青.單片機原理與接口技術(shù)[M].北京:航空航天大學(xué)出版社,1999.

[7] 唐繼賢.《51單片機工程應(yīng)用實例》硬件部分[M].北京:北京航空航天大學(xué)出版社出版,2003.

當(dāng)有物體通過光電檢測電路時,發(fā)光二極管發(fā)光, R6 為 ? 181 限流電阻。如圖5所示:

圖5 發(fā)光電路

光電檢測電路如圖6所示。當(dāng)開關(guān)物體通過時時,發(fā)光二極管不會發(fā)光,此時光敏三極管處于截止?fàn)顟B(tài),電路中的三極管Q1處于截止?fàn)顟B(tài),P3.2管腳呈現(xiàn)低電平,單片機檢測到低電平,執(zhí)行中斷程序,點亮發(fā)光二極管。當(dāng)沒有物體通過時,光敏三極管接收到發(fā)光二極管發(fā)出的光,光敏三極管導(dǎo)通,電路中的三極管Q1處于導(dǎo)通狀態(tài),P3.2管腳呈現(xiàn)高電平,單片機處于等待狀態(tài)。

圖6 光電檢測電路

光電檢測整體電路如圖7所示。本電路結(jié)構(gòu)利用單片機的最小系統(tǒng),單片機的很多接口處于空閑狀態(tài),這為增加光電檢測電路功能提供了可能。因為在仿真時,無法模擬物體通過光電檢測系統(tǒng),在電路結(jié)構(gòu)中,以開關(guān)代替是否有物體通過,當(dāng)開關(guān)閉合時,代表沒有物體通過,當(dāng)開關(guān)打開時代表有物體通過。

圖7 光電檢測整體電路

4 結(jié)論

本文利用單片機最小系統(tǒng)設(shè)計了光電檢測電路,由仿真結(jié)果分析,本設(shè)計可以進行工業(yè)生產(chǎn)計數(shù)、工業(yè)生產(chǎn)安全監(jiān)控等。由

于單片機的很多接口處于空閑狀態(tài),所以本系統(tǒng)可以增加其它檢測功能。本設(shè)計目的是檢驗所學(xué)的理論知識,為以后的工程設(shè)計打下基本技能。

參考文獻:

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[7] 唐繼賢.《51單片機工程應(yīng)用實例》硬件部分[M].北京:北京航空航天大學(xué)出版社出版,2003.

當(dāng)有物體通過光電檢測電路時,發(fā)光二極管發(fā)光, R6 為 ? 181 限流電阻。如圖5所示:

圖5 發(fā)光電路

光電檢測電路如圖6所示。當(dāng)開關(guān)物體通過時時,發(fā)光二極管不會發(fā)光,此時光敏三極管處于截止?fàn)顟B(tài),電路中的三極管Q1處于截止?fàn)顟B(tài),P3.2管腳呈現(xiàn)低電平,單片機檢測到低電平,執(zhí)行中斷程序,點亮發(fā)光二極管。當(dāng)沒有物體通過時,光敏三極管接收到發(fā)光二極管發(fā)出的光,光敏三極管導(dǎo)通,電路中的三極管Q1處于導(dǎo)通狀態(tài),P3.2管腳呈現(xiàn)高電平,單片機處于等待狀態(tài)。

圖6 光電檢測電路

光電檢測整體電路如圖7所示。本電路結(jié)構(gòu)利用單片機的最小系統(tǒng),單片機的很多接口處于空閑狀態(tài),這為增加光電檢測電路功能提供了可能。因為在仿真時,無法模擬物體通過光電檢測系統(tǒng),在電路結(jié)構(gòu)中,以開關(guān)代替是否有物體通過,當(dāng)開關(guān)閉合時,代表沒有物體通過,當(dāng)開關(guān)打開時代表有物體通過。

圖7 光電檢測整體電路

4 結(jié)論

本文利用單片機最小系統(tǒng)設(shè)計了光電檢測電路,由仿真結(jié)果分析,本設(shè)計可以進行工業(yè)生產(chǎn)計數(shù)、工業(yè)生產(chǎn)安全監(jiān)控等。由

于單片機的很多接口處于空閑狀態(tài),所以本系統(tǒng)可以增加其它檢測功能。本設(shè)計目的是檢驗所學(xué)的理論知識,為以后的工程設(shè)計打下基本技能。

參考文獻:

[1] 雷玉堂.光電檢測技術(shù)[M].北京:中國計量出版社,1995.

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[5] 何利民.單片機高級教程[M].北京:航空航天大學(xué)出版社,2000.

[6] 李朝青.單片機原理與接口技術(shù)[M].北京:航空航天大學(xué)出版社,1999.

[7] 唐繼賢.《51單片機工程應(yīng)用實例》硬件部分[M].北京:北京航空航天大學(xué)出版社出版,2003.

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