新的高端CPU

兩個(gè)主要的CPU制造商都推出了速度更快但功耗更低的芯片。AMD已經(jīng)搶先一步，除了更為節(jié)能的ARM A57架構(gòu)的新皓龍?zhí)幚砥鳎?014年，每個(gè)周期性能提升30%的新一代Kaveri CPU也將可以用于筆記本電腦和桌面電腦。而英特爾也將開始更新Haswell處理器和支持SATA Express硬盤驅(qū)動(dòng)器接口的9系列芯片組，SATA Express速度高達(dá)16Gb/s，大大地超過了當(dāng)前SATA 6Gb/s的接口速度，足以支持最快的固態(tài)硬盤。除此之外，2014年第一個(gè)支持USB 3.1的控制器也將面世。

晶體管制造工藝由22nm縮小到14nm的Broadwell處理器將在2014年下半年開始上架銷售，據(jù)英特爾介紹，這將能夠在性能不變的情況下將功耗降低30%。在高性能、低功耗處理器的支持下，筆記本電腦電池的續(xù)航時(shí)間將長達(dá)15h甚至更久，這將成為一件司空見慣的事情。首先，英特爾將提供一個(gè)集成圖形芯片的移動(dòng)版Broadwell處理器，其性能足以支持配備立體攝像機(jī)并支持Kinect手勢(shì)控制功能的超極本。低端版本的Broadwell處理器無需風(fēng)扇，但即使如此，它的性能也要比目前的智能手機(jī)和平板電腦使用的移動(dòng)芯片更高。而英特爾展示的新一代高性能版本的Haswell E處理器擁有原生8個(gè)核心，并且支持新一代的DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。

10TB疊瓦式磁記錄硬盤

由于原有的機(jī)械硬盤所采用的垂直記錄技術(shù)已很難再加大存儲(chǔ)密度，所以近兩年來硬盤驅(qū)動(dòng)器的容量已經(jīng)無法再繼續(xù)提升。不過，2014年希捷計(jì)劃推出采用疊瓦式磁記錄（Shingled Magnetic Recording，簡(jiǎn)稱SMR）技術(shù)的6TB硬盤。在該技術(shù)的支持下，機(jī)械硬盤的容量有望提升到8TB和10TB。采用疊瓦式磁記錄技術(shù)的硬盤寫入的磁道相互重疊，而磁頭能通過每條磁道在重疊之后沒有被覆蓋的部分讀取數(shù)據(jù)，因而可提供更高的存儲(chǔ)密度，生產(chǎn)出容量更大的硬盤。

垂直閃存單元的固態(tài)硬盤

三星研發(fā)的一種新型閃存單元V-NAND（Vertical NAND）可大幅提升固態(tài)硬盤的容量和可靠性。在V-NAND半導(dǎo)體層中20多個(gè)閃存單元被堆疊在一起，存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的電子在一個(gè)絕緣層上，通過控制柵填充和清空數(shù)據(jù)，并通過溝道讀取數(shù)據(jù)。V-NAND目前使用的是30nm制程，但通過堆疊可實(shí)現(xiàn)20nm閃存的存儲(chǔ)密度。而普通20nm制程的閃存擦寫次數(shù)通常只有3 000次，V-NAND則可以達(dá)到30 000多次。三星已計(jì)劃在2017年生產(chǎn)TB級(jí)的芯片，這是傳統(tǒng)閃存永遠(yuǎn)也無法實(shí)現(xiàn)的容量。

高速桌面電腦內(nèi)存

三星等廠商已經(jīng)開始生產(chǎn)新一代的DDR4內(nèi)存，它的容量更大并且工作電壓更低，時(shí)鐘頻率也比目前的內(nèi)存模塊更高。在未來的一年里，DDR4內(nèi)存的性能將進(jìn)一步提升，美光將開始大規(guī)模生產(chǎn)其混合內(nèi)存立方體。

類似于V-NAND，混合內(nèi)存立方體的結(jié)構(gòu)可以讓DDR4實(shí)現(xiàn)數(shù)倍于普通內(nèi)存的速率和更低的功耗。不過，其結(jié)構(gòu)必須改良才可以用于家用電腦，預(yù)計(jì)這將在2016年左右才可以完成。