道康寧公司首次推出電力電子行業(yè)碳化硅晶圓分級(jí)結(jié)構(gòu)

本刊訊全球有機(jī)硅及寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)道康寧公司近期推出全新碳化硅（SiC）晶體分級(jí)結(jié)構(gòu)，為碳化硅晶體創(chuàng)立了行業(yè)新標(biāo)準(zhǔn)。新分級(jí)結(jié)構(gòu)對(duì)相關(guān)致命性產(chǎn)品缺陷，如微管位錯(cuò)（MPD）、螺紋螺位錯(cuò)（TSD）、和基面位錯(cuò)（ BPD）等，具有更嚴(yán)格的容忍度。

這一開創(chuàng)性分級(jí)結(jié)構(gòu)旨在優(yōu)化使用道康寧高品質(zhì)Prime Grade系列100mm碳化硅晶片設(shè)計(jì)和制造的新一代電力電子器件的設(shè)計(jì)自由度、性能和成本。道康寧公司目前向市場(chǎng)提供Prime Standard、Prime Select 和 Prime Ultra的三種不同品質(zhì)的新型碳化硅襯底。

道康寧公司新產(chǎn)品分級(jí)結(jié)構(gòu)中的各個(gè)Prime Grade系列晶圓產(chǎn)品為缺陷密度及其他關(guān)鍵性能設(shè)置了更嚴(yán)格的公差范圍，客戶可以根據(jù)特定器件的應(yīng)用要求，在硅片質(zhì)量和價(jià)格之間獲得最好的平衡。雖然已有不少碳化硅襯底制造商承諾要降低微管密度，但道康寧公司是首家對(duì)包括TSD及BPD在內(nèi)的其他致命性缺陷公差作出明確定義的企業(yè)。這些缺陷會(huì)降低器件的成品率及生產(chǎn)效率，且會(huì)影響大面積、新一代電力電子器件制造的成本效益。