胡紅，王少云，葉艷

（1.南京航空航天大學電子信息工程學院，江蘇南京210016；2.南京航空航天大學無人機研究院，江蘇南京210016）

Flash芯片作為一種新興的半導體存儲器件，具有集成度高、非易失性、功耗低、價格低、容量大、可擦除次數(shù)多等優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于大容量數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)中。Samsung公司的K9F8G08U0M單片容量達到8GB，可通過多片NAND Flash串聯(lián)的方法擴大系統(tǒng)容量。但是由于工藝和使用環(huán)境等因素，NAND Flash較其他形式的存儲芯片更易出現(xiàn)壞塊問題，同時由于NAND Flash存儲芯片的容量大，出現(xiàn)壞塊問題也更多。因此，在使用NAND Flash存儲芯片時，對壞塊的管理愈顯重要。

使用NAND Flash存儲芯片時，對壞塊的管理的一般方法有：1）基于FPGA的片內(nèi)RAM，存儲有效塊信息，將有效塊地址作為數(shù)據(jù)存入RAM中。進行讀寫操作時，從RAM中讀出有效塊地址。2）基于FPGA內(nèi)部RAM，RAM地址與塊地址相對應(yīng)，在與壞塊地址相對應(yīng)的RAM中存儲1，而其他存儲0[1]。

本文提出了一種基于FPGA的大容量數(shù)據(jù)記錄儀的壞塊管理方法，利用FPGA[2]內(nèi)部RAM[3]空間建立壞塊地址信息存儲區(qū)，通過查詢存儲區(qū)中的信息，來確定當前存儲塊是否損壞，若是壞塊則跳過，從而避免對壞塊的操作，實現(xiàn)了對Flash存儲空間的有效管理。該壞塊管理方案在不增加FPGA使用的復雜程度的條件下，需要的內(nèi)存資源比方法1、方法2明顯減少。

1 NAND Flash K 9F8G08U0M簡介

文中的大容量數(shù)據(jù)記錄儀采用9片Samsung公司的NAND Flash芯片K9F8G08U0M，其總?cè)萘窟_到72G。K9F8G08U0M芯片由4096個塊組成，每個塊有64頁，每個頁為（4K+128）Bytes，其中4KBytes為Main Area，128Bytes為Spare area，Main Area專門存儲數(shù)據(jù)，Spare Area存儲其他信息，如ECC校檢碼、壞塊信息等。K9F8G08U0M的讀寫操作以頁為最小單位，擦除操作以塊為最小單位進行，禁止按位擦除。8個I/O引腳為多路復用，既可以作為數(shù)據(jù)線進行數(shù)據(jù)傳輸，也可以作為地址線進行尋址。這個方案顯著減少了芯片引腳，允許在保持系統(tǒng)板不變的情況下升級存儲密度[4]。

2 壞塊管理設(shè)計方案

K9F8G08U0M芯片是數(shù)據(jù)記錄儀的核心部分，若某個塊發(fā)生損壞時，視為壞塊。記錄儀工作時，剔除壞塊，只將數(shù)據(jù)存儲到好塊中，從而提高存儲數(shù)據(jù)的正確性，即數(shù)據(jù)記錄儀使用NAND Flash存儲芯片時，需要對存儲板壞塊進行管理。

2.1 壞塊產(chǎn)生原因及分類

由于Flash的制造工藝不能保證其存儲陣列在其生命周期中保持性能的可靠，因此，在Flash的生產(chǎn)與使用過程中會產(chǎn)生壞塊。

NAND Flash的壞塊可分為兩類：固有壞塊、使用壞塊。固有壞塊是出廠前，由于生產(chǎn)工藝所產(chǎn)生的壞塊。廠商已經(jīng)對固有壞塊進行了壞塊標記，在每個塊第1頁的第一個備份字節(jié)標志壞塊值，若為0xff，則為好塊，若為非0xff，則為壞塊。為了保持與固有壞塊信息一致，使用過程中發(fā)現(xiàn)新的壞塊時，將新的壞塊第一頁的第一個備份字節(jié)標志為非0xff。

使用壞塊是出廠后，用戶對芯片使用產(chǎn)生過程中產(chǎn)生的新壞塊。

2.2 壞塊管理設(shè)計方案分析與實現(xiàn)

本文提出的壞塊管理方法是對方法1上進行改進后形成的。我們稱為方法3。方法3在FPGA中內(nèi)建片上RAM來存儲壞塊地址信息，通過壞塊查詢模塊來辨別當前存儲塊是否有效。壞塊管理需要做以下工作：識別壞塊并建立壞塊表（BBT，bad block table），將壞塊地址信息存儲到壞塊表中；在對當前存儲塊進行操作時，發(fā)生錯誤需更新BBT，并且通過壞塊查詢模塊來跳過壞塊，從而對有效塊進行操作。

2.2.1 識別壞塊與存儲信息

第一次對NAND Flash進行操作之前，先要識別固有壞塊，建立初始BBT。其操作流程為：設(shè)置塊初始地址為0，檢查塊中備份區(qū)的第一個字節(jié)是否為0xff，如果是，則為有效塊，如果不是，則為壞塊，產(chǎn)生初始壞塊表（后面的塊為壞塊，則需更新BBT），將該壞塊地址信息存儲進去，增加塊地址，繼續(xù)上面的步驟，直到最后一塊。流程圖如圖1所示。

圖1 創(chuàng)建壞塊表的流程圖Fig.1 Flow chart of creating initial bad block table

在壞塊管理過程中，不僅僅要識別壞塊，而且必須將壞塊地址信息存儲起來，這樣在對存儲塊進行操作時只需要檢查該塊是否在BBT中，不需要每次去識別，節(jié)省了大量時間。首先在FPGA中建立RAM空間，將壞塊地址信息存儲到RAM壞塊地址信息存儲區(qū)，然后再寫入到NAND Flash的一個有效塊中。為了防止意外掉電，每個BBT必須在Flash里保存兩份[5]。當發(fā)現(xiàn)兩個BBT不一樣時，說明出現(xiàn)狀況，必須重新建立壞塊表[7]。

NAND Flash除了固有壞塊，對NAND Flash進行讀寫擦除操作過程中也會隨機產(chǎn)生新的壞塊，這時需要更新BBT。NAND Flash讀操作失敗時，一般不會造成整頁全部出錯，僅僅是頁中的一個或幾個比特出錯。文中使用一種比較專用的校檢—ECC（Error Correction Code）。ECC能夠糾正一個比特錯誤以及檢測兩個比特錯誤，而且計算速度很快[6]。本設(shè)計中，對每個512Bytes原始數(shù)據(jù)生成3個字節(jié)ECC校檢碼：8比特的列校檢碼和16比特的行校檢碼。對于每頁4KB的數(shù)據(jù)來說，會產(chǎn)生24Bytes的ECC校檢碼。當出現(xiàn)1bit錯誤時，可糾正；當出現(xiàn)2bits以上的錯誤，就將該塊標記為壞塊，這時需要更新BBT，如圖2所示。當擦寫操作失敗時，其狀態(tài)會相應(yīng)地反映到狀態(tài)寄存器上，將壞塊里面的內(nèi)容備份到有效塊中，然后將其標志為壞塊，這時也需要更新BBT，如圖3所示。

圖2 讀操作失敗更新BBTFig.2 Update BBT with failure of read operation

2.2.2 壞塊查詢模塊

對當前存儲塊進行操作時，需要調(diào)用壞塊查詢模塊。上電時，首先將壞塊信息從Flash的存儲區(qū)讀入到RAM中。當對第n塊進行操作時，只需調(diào)用壞塊查詢模塊，查詢FPGA內(nèi)部RAM的壞塊地址信息，如果該塊為壞塊，則對第n+1個壞塊查詢，直至查詢到一個有效塊。查詢壞塊模塊部分代碼如下所示。

always@（posedge clk or negedge rst）

if（!rst）

begin

valid_blockaddr＜=12'b0；

i＜=5'b0；

read＜=1'b0；

圖3 擦寫操作失敗更新BBTFig.3 Update BBT with failure of erase and write operation

num＜=5'b0；

end

else

begin

if（i＜64）

begin

block_addr＜=addr[30:19]+num；

read＜=1'b1；

address＜=i；

if（block_addr==data）//說明該塊為壞塊，設(shè)num為1，則塊地址加1

begin

i＜=0；

num＜=num+5'b1；

end

else//與下一個地址信息對比，num不變，則地址不變

begin

i＜=i+5'b1；

num＜=num；

end

end

else//當i大于63時，說明已與所有壞塊地址信息對比過，并且該塊不在壞塊中

begin

valid_blockaddr＜=block_addr；

i＜=0；

num＜=5'b0；

end

end

其中read、address分別為存儲壞塊地址信息RAM的讀使能端、地址，數(shù)據(jù)寬度為12，深度為64。addr為31位操作地址，data為RAM輸出的壞塊地址，將操作地址與壞塊地址data相比較，如果數(shù)據(jù)相同，說明該塊為壞塊，則將塊地址加1，從而跳過壞塊。由于所選型號不同以及工藝上的差別，壞塊數(shù)目自然不同，因此根據(jù)實際情況建立RAM[5]。

2.3 壞塊管理設(shè)計方法比較

由于一般壞塊的數(shù)量不超過總量的2%，所以其壞塊信息量較有效塊信息量小很多。方法3只占用FPGA較少的RAM資源。對于單片K9F8GU0M而言，對方法1、方法2以及本文所提出的方法進行存儲信息以及占用RAM資源的比較，如表1所示。方法3占用RAM的資源大約是方法1的2.5%，是方法3的30%。

表1 壞塊管理設(shè)計方法比較Tab.1 The comparison of bad block storage methods

3 仿真分析

3.1 仿真試驗

本文使用Verilog HDL語言進行編程，在QuartusII軟件平臺上對實現(xiàn)的功能進行編譯、運行，并且在Modelsim仿真平臺上編寫測試[8]平臺，對模塊進行功能仿真。圖4、圖5分別為識別壞塊仿真圖、壞塊查詢仿真圖。

圖4 識別壞塊仿真圖Fig.4 Simulation diagram of identifying bad block

3.2 結(jié)果分析

圖5 壞塊查詢仿真圖Fig.5 Stimulation graph of checking bad block

圖4為識別固有壞塊仿真時序。該數(shù)據(jù)記錄儀由9片K9F8G08U0M組成，圖中CE_L為9位片選信號，低電平有效；ALE_H為地址鎖存使能，高電平有效；CLE_H為命令鎖存使能，高電平有效；WE_L為寫使能，低電平有效；RE_L為讀使能，低電平有效；RB為設(shè)備狀態(tài)對于識別壞塊的仿真，本設(shè)計片選第1個芯片，讀出每塊的第一個備份字節(jié)。塊的初始地址為0，讀出數(shù)據(jù)后，將塊地址加1。由仿真圖可知第0，1塊為好塊，第2塊為壞塊，依次類推。仿真結(jié)果表明該壞塊管理中的壞塊識別模塊能夠?qū)崿F(xiàn)識別壞塊的功能。

圖5為壞塊查詢模塊仿真圖。為了便于觀察，設(shè)置RAM中第1、2、3、4地址存儲的壞塊地址為第1、3、5、6塊。圖5中addr為31位操作地址，分別設(shè)置為0x00000000、0x00180000、0x00280000，其對應(yīng)的塊地址為第0、3、5塊；valid_block為12位有效塊地址。由圖5可知，當對第3塊操作時，由于該塊為壞塊，所以跳過壞塊，對第4塊進行操作；當對第5塊進行操作時，由于該塊為壞塊，并且下一個塊即第6塊也為壞塊，所以跳到第7塊進行操作。仿真結(jié)果表明，該壞塊管理中壞塊查詢模塊能夠?qū)崿F(xiàn)辨別當前存儲塊是否為壞塊，并且跳過壞塊的功能。

4 結(jié)束語

文中的大容量數(shù)據(jù)記錄儀的存儲板由9片NAND Flash串聯(lián)組成，存儲容量大，出現(xiàn)壞塊問題的可能也多，因此提出了一種基于FPGA存儲壞塊地址信息的壞塊管理方案，來解決存儲板中的壞塊管理問題。仿真分析表明，該壞塊管理方案能夠有效地解決NAND Flash的壞塊管理問題，具有占用FPGA資源少的優(yōu)點，也可供其他類型的大容量數(shù)據(jù)記錄儀作為參考。

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