6月20日，世界上第二條、國內(nèi)首條8英寸絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)專業(yè)芯片線在中國南車株洲電力機車研究所有限公司投產(chǎn)。其投產(chǎn)打破了國外公司在高端IGBT芯片技術(shù)上的壟斷，未來有望實現(xiàn)對進口IGBT的全面替代，對保障我國國民經(jīng)濟安全和推動兩型社會建設(shè)具有重大戰(zhàn)略意義。

IGBT芯片技術(shù)主要應(yīng)用于軌道交通、高壓電網(wǎng)等大功率電力驅(qū)動設(shè)備，控制并提供大功率的電力設(shè)備電能變換，可以有效提升能源利用效率、自動化和智能化水平。由于技術(shù)含量極高、制造難度大，IGBT芯片技術(shù)過去主要掌握在日本等少數(shù)幾個國家手中，我國的IGBT芯片及其相關(guān)產(chǎn)品99%以上依賴進口，國內(nèi)沒有獨立完整的技術(shù)、產(chǎn)業(yè)體系。

伴隨著中國南車IGBT技術(shù)的自主創(chuàng)新進程，我國在電力電子器件領(lǐng)域受制于人的局面漸漸改變。中國工程院院士、中國南車株洲所總經(jīng)理丁榮軍告訴記者，中國南車集合了上百位專家，積聚20多年之功，累計投入超過30億元，在IGBT芯片設(shè)計、封裝測試、可靠性試驗、系統(tǒng)應(yīng)用方面攻克了30多項重大難題，終于掌握了成套技術(shù)，建立了完整的IGBT規(guī)?；?、專業(yè)化生產(chǎn)工藝體系，成功研制出從650 V到6500 V高功率密度IGBT芯片及模塊，形成了IGBT的完整產(chǎn)業(yè)鏈。

據(jù)了解，此次8英寸IGBT專業(yè)芯片線全面建成投產(chǎn)，首期將實現(xiàn)年產(chǎn)12萬片8英寸IGBT芯片，配套生產(chǎn)100萬只IGBT模塊，年產(chǎn)值可達20億元。

(摘自2014年6月21日《光明日報》，記者 唐湘岳報道)