隨著越來(lái)越多的無(wú)線標(biāo)準(zhǔn)和頻帶支持越來(lái)越多的應(yīng)用，意法半導(dǎo)體開始支持市場(chǎng)對(duì)高性能和高集成度的需求。意法半導(dǎo)體新推出的STW81200射頻合成器采用BiCMOS（SiGe）制造技術(shù)，單片集成寬帶壓控振蕩器 （VCOs,voltage-controlled oscillators）、雙架構(gòu)分?jǐn)?shù)整數(shù)鎖相環(huán)（PLL，phase-locked-loop）內(nèi)核、低噪穩(wěn)壓器，以及符合各種射頻要求的可編程硬件選件。

在基站、射頻鏈接、衛(wèi)星、通信、測(cè)試測(cè)量等射頻應(yīng)用中，系統(tǒng)的總體性能與射頻合成器相噪特性密切相關(guān)。這些射頻應(yīng)用需要高集成度和優(yōu)化的成本，同時(shí)又不能犧牲射頻性能。在滿足這些要求過(guò)程中，作為市場(chǎng)上靈活性最高的射頻合成器，STW81200支持多頻多標(biāo)準(zhǔn)且可軟件定義的50 MHz到6 GHz射頻輸出，同時(shí)提供-227 dBc/Hz歸一化帶內(nèi)相噪層，當(dāng)通信載波為4.0GHz、頻率偏移1 MHz時(shí)，壓控振蕩器相噪為 -135 dBc/Hz，噪聲層為-160 dBc/Hz。

5 V、3.6 V或3.0 V非穩(wěn)壓?jiǎn)坞娫醋孲TW81200在市場(chǎng)上獨(dú)一無(wú)二，優(yōu)調(diào)的功耗和性能使其應(yīng)用范圍從傳統(tǒng)市電供電基礎(chǔ)設(shè)施擴(kuò)展至依靠電池供電的便攜裝置。

隨著意法半導(dǎo)體的STW8110x產(chǎn)品家族的成功發(fā)展，新款的射頻合成器的性能和靈活性越來(lái)越高，可以在同一電路板設(shè)計(jì)上支持多頻帶和多射頻標(biāo)準(zhǔn)（logistic）。此外，更高的集成度和降低的材料成本有望為客戶節(jié)省更多資源。