專利申請?zhí)?CN201110362349.6
公開號:CN102417156A
申請日:2011.11.15
公開日:2012.04.18
申請人:北京大學(xué)
本發(fā)明公開了一種刻蝕金屬鉬材料的方法,在金屬鉬材料上形成刻蝕掩膜,然后采用高密度等離子體(如ICP、TCP 等)干法刻蝕工藝,產(chǎn)生高密度、高能量離子和自由基,實(shí)現(xiàn)了對金屬鉬體材料的高速率、各向異性刻蝕。刻蝕速率可達(dá)2.63 μm/min,刻蝕結(jié)果側(cè)壁的陡直度可達(dá)70°?;诒景l(fā)明的方法,可利用金屬鉬襯底基片作為制備MEMS 器件的主體材料。