摘要：InAs/GaSb II類超晶格作為紅外探測材料具有優(yōu)越的光電性能，其量子效率高，暗電流小，微帶帶隙可調(diào)，是第三代紅外焦平面探測器的最優(yōu)選材料。本文對長波段超晶格材料分子束外延技術(shù)進行了優(yōu)化，設計了“兩步法”界面控制技術(shù)，制備了高質(zhì)量的77 K光致發(fā)光（PL）、發(fā)光波長為8.54μm的長波段超晶格材料。研究了表面遷移率增強法外延長波段超晶格的缺陷形成機制和應變平衡機制，發(fā)現(xiàn)InSb界面在低溫生長及過量淀積的情況下存在二維生長的特性。