上海復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛(wèi)教授帶領(lǐng)的科研團(tuán)隊(duì)，成功研制出半浮柵晶體管，有望讓電子芯片的性能實(shí)現(xiàn)突破性提升。該成果發(fā)表在今年8月9日的《科學(xué)》雜志上，這也是我國科學(xué)家在《科學(xué)》上發(fā)表的首篇有關(guān)微電子器件的研究論文。

張衛(wèi)帶領(lǐng)的科研團(tuán)隊(duì)嘗試把一個(gè)TFET和浮柵器件結(jié)合起來，構(gòu)成了一種全新的“半浮柵”結(jié)構(gòu)的器件，稱為半浮柵晶體管，它在降低功耗和提高性能這兩方面都 取得了很大的突破。浮柵晶體管，是將電子隧穿過高勢(shì)壘（接近8.9 電子伏特）的二氧化硅絕緣介質(zhì)，而半浮柵晶體管，則是將電子隧穿過低勢(shì)壘（1.1 電子伏特）的硅材料，隧穿勢(shì)壘大大降低。（來源：《環(huán)球科學(xué)》2013年第10期）