趙冬青 ,趙 杰,甄國(guó)涌,王 強(qiáng),陳 倩
(1.中北大學(xué)機(jī)電工程學(xué)院,太原030051;2.中北大學(xué)電子測(cè)試技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,太原030051;3.中北大學(xué)儀器科學(xué)與動(dòng)態(tài)測(cè)試教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,太原030051;4.太原市華納方盛科技有限公司;5.航天長(zhǎng)征火箭技術(shù)有限公司)
石英晶體振蕩器自其問(wèn)世以來(lái),就以其高精度和高穩(wěn)定度迅速占領(lǐng)了振蕩器市場(chǎng)。然而在對(duì)電子系統(tǒng)進(jìn)行炮擊實(shí)驗(yàn)過(guò)程中屢次出現(xiàn)了這樣的問(wèn)題:為系統(tǒng)提供時(shí)鐘脈沖的石英晶體振蕩器發(fā)生損壞,整個(gè)系統(tǒng)停止工作。出現(xiàn)這種問(wèn)題是由于石英晶體振蕩器以機(jī)械方式工作,而且晶體內(nèi)部組件易磨損,在高過(guò)載環(huán)境下,內(nèi)部組件磨損嚴(yán)重以至于徹底損壞[1]。在軍事領(lǐng)域,抗過(guò)載能力是衡量電子元器件性能的重要指標(biāo)[2]。尤其是在彈上的應(yīng)用中,對(duì)電子元器件這項(xiàng)指標(biāo)的要求更為苛刻[3]。為使電子系統(tǒng)在高過(guò)載條件下可靠地工作,須找到一種振蕩器來(lái)代替石英晶體振蕩器為系統(tǒng)提供穩(wěn)定的時(shí)鐘脈沖。
硅振蕩器完全摒棄了機(jī)械起振方式,不存在磨損的問(wèn)題,理論上它不受高過(guò)載的影響[4],但在實(shí)際的應(yīng)用中并沒有得到驗(yàn)證。高過(guò)載環(huán)境對(duì)硅振蕩器的主要影響有兩個(gè)方面:一是可能產(chǎn)生頻率的漂移,二是可能像損壞石英晶體振蕩器一樣損壞硅振蕩器[5]。本文針對(duì)以上兩個(gè)方面對(duì)硅振蕩器進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。
實(shí)驗(yàn)的主要目的是為了驗(yàn)證硅振蕩器能夠承受高過(guò)載環(huán)境的考驗(yàn),從而代替石英晶體振蕩器應(yīng)用在電子系統(tǒng)中。高過(guò)載環(huán)境的典型實(shí)例莫過(guò)于炮擊實(shí)驗(yàn),本文用炮擊實(shí)驗(yàn)來(lái)檢驗(yàn)硅振蕩器是否會(huì)在高過(guò)載環(huán)境中損壞。實(shí)驗(yàn)的難點(diǎn)是觀察高過(guò)載實(shí)驗(yàn)?zāi)芊褚鸸枵袷幤鬏敵鲱l率的漂移。觀察硅振蕩器是否出現(xiàn)頻率漂移不能通過(guò)單獨(dú)的一兩次炮擊實(shí)驗(yàn)來(lái)說(shuō)明。為節(jié)省實(shí)驗(yàn)成本,本文首先采用了一種低成本且易重復(fù)操作的方法——馬歇特錘擊實(shí)驗(yàn)進(jìn)行檢驗(yàn)。
有關(guān)文獻(xiàn)表明過(guò)載量在103gn~105gn[6]時(shí)即可認(rèn)為是高過(guò)載環(huán)境。擬采用馬歇特錘擊實(shí)驗(yàn)來(lái)實(shí)現(xiàn)高過(guò)載環(huán)境。在實(shí)驗(yàn)前首先檢驗(yàn)馬歇特錘擊實(shí)驗(yàn)的過(guò)載量。
采用標(biāo)準(zhǔn)傳感器988 來(lái)檢測(cè)馬歇特錘的過(guò)載量,其電壓靈敏度為ε=51.62 μV/gn。在已標(biāo)定的馬歇特錘錘頭上固定一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)傳感器988。檢測(cè)中,每次都將齒輪撥到第30 個(gè)齒再釋放錘頭,以得到最大的過(guò)載量。開始反復(fù)錘擊,用示波器觀察988 傳感器輸出的波形。每次錘擊后得到的曲線大致相似,其中一次988 傳感器檢測(cè)到的馬歇特錘的過(guò)載曲線如圖1 所示。
由圖1 得此次捶擊實(shí)驗(yàn)最大過(guò)載時(shí)的電壓偏置為ΔU=1.84 V,過(guò)載量H=εΔU,計(jì)算可得馬歇特錘在本次實(shí)驗(yàn)中的最大過(guò)載量為35 645 gn,在高過(guò)載范圍內(nèi),可以被視為高過(guò)載環(huán)境。進(jìn)行10 次錘擊實(shí)驗(yàn),記錄傳感器電壓偏置并計(jì)算過(guò)載量,統(tǒng)計(jì)結(jié)果如表1 所示。由表1 可知傳感器電壓偏置在1.5 V ~2 V 之間,過(guò)載量在29 058 gn~38 745 gn之間,都為高過(guò)載。
圖1 馬歇特錘過(guò)載曲線
馬歇特錘擊實(shí)驗(yàn)的過(guò)載量在高過(guò)載范圍內(nèi),而且實(shí)驗(yàn)操作簡(jiǎn)單,便于重復(fù),可以用來(lái)檢驗(yàn)振蕩器在高過(guò)載下的頻率漂移。
表1 馬歇特錘擊實(shí)驗(yàn)過(guò)載量統(tǒng)計(jì)
實(shí)驗(yàn)中硅振蕩器選擇Linear 公司的LTC6909I。它是一款典型的可編程硅振蕩器,輸出頻率范圍為12.5 kHz ~6.67 MHz,工作溫度為-40 ℃~85 ℃,滿足大多數(shù)應(yīng)用要求[7]。實(shí)驗(yàn)電路如圖2 所示,其中電阻用來(lái)設(shè)置硅振蕩器的輸出頻率。本次實(shí)驗(yàn)取,pH=4,采用5 V 電池供電。由芯片資料查得振蕩器輸出頻率為500 kHz[8]。
圖2 LTC6909I 型硅振蕩器抗高過(guò)載實(shí)驗(yàn)電路圖
將10 塊帶有LTC6909I 型硅振蕩器的電路板分別編號(hào)(01 ~10)。先給電路板上電,用示波器觀察振蕩器的輸出波形,記錄輸出頻率,計(jì)算頻率絕對(duì)誤差。每個(gè)振蕩器測(cè)量10 次。將10 塊電路板都固定在已標(biāo)定的馬歇特錘的錘頭上,給電路板上電,開始錘擊實(shí)驗(yàn)。反復(fù)對(duì)電路板進(jìn)行錘擊,每錘完一次用示波器采集一次振蕩器波形,檢驗(yàn)其是否正常工作,記錄輸出頻率,計(jì)算頻率絕對(duì)誤差。
錘擊100 次后,10 塊電路板上的振蕩器均未損壞,各振蕩器實(shí)驗(yàn)記錄情況大體一致。限于篇幅問(wèn)題這里只列舉其中一個(gè)振蕩器(06 號(hào))的實(shí)驗(yàn)記錄。錘擊前振蕩器輸出的頻率及誤差如表2 所示,錘擊實(shí)驗(yàn)前10 次及后10 次記錄的輸出頻率及誤差如表3 所示。
表2 06 號(hào)硅振蕩器錘擊實(shí)驗(yàn)前輸出頻率記錄表
表3 06 號(hào)硅振蕩器錘擊實(shí)驗(yàn)輸出頻率記錄表
由錘擊前后記錄的表格可以看出:LTC6909I 型硅振蕩器在馬歇特錘擊實(shí)驗(yàn)前后輸出信號(hào)頻率并無(wú)明顯起伏。馬歇特錘擊實(shí)驗(yàn)后LTC6909I 型硅振蕩器的輸出頻率在505 kHz ~508 kHz 之間,輸出頻率的絕對(duì)誤差在1.2% ~1.5%之間,符合芯片資料中±2.5%的誤差范圍,為正常工作狀態(tài)。
實(shí)驗(yàn)表明:LTC6909I 型硅振蕩器輸出的頻率不受高過(guò)載實(shí)驗(yàn)的影響,高過(guò)載實(shí)驗(yàn)不會(huì)使LTC6909I 型硅振蕩器產(chǎn)生頻率漂移。
實(shí)驗(yàn)中的炮彈選用130#榴彈炮,侵徹距離為100 m,侵徹靶體用混凝土靶(水泥穩(wěn)定級(jí)配集料,21 天養(yǎng)護(hù)期齡,抗壓試驗(yàn)測(cè)試結(jié)果為4.5 MPa)。實(shí)驗(yàn)前,在榴彈炮中裝入高沖擊測(cè)試記錄器,用來(lái)記錄炮擊實(shí)驗(yàn)中的過(guò)載量。
炮擊實(shí)驗(yàn)前首先給01 ~10 號(hào)電路板通電,用示波器測(cè)量每個(gè)硅振蕩器的輸出信號(hào),輸出波形均正常,06 號(hào)硅振蕩器炮擊實(shí)驗(yàn)前輸出波形如圖3(a)所示。將10 塊電路板均固定于榴彈炮中,給電路板上電。開始侵徹實(shí)驗(yàn),實(shí)驗(yàn)時(shí)炮彈出膛速度為910 m/s。
炮擊實(shí)驗(yàn)后得到高沖擊測(cè)試記錄器中記錄的過(guò)載量,炮彈在膛內(nèi)時(shí)平均過(guò)載量為8 000 gn,過(guò)載量峰值為16 000 gn;炮彈撞擊混凝土靶后,著靶行程2.1 m,峰值過(guò)載大于235 510 gn,平均過(guò)載值約19 000 gn。
實(shí)驗(yàn)后,10 塊電路板上的硅振蕩器均未發(fā)生損壞;用示波器測(cè)量各振蕩器輸出波形,波形正常,與實(shí)驗(yàn)前比沒有變化。實(shí)驗(yàn)后06 號(hào)硅振蕩器輸出波形如圖3(b)所示。
圖3 06 號(hào)振蕩器錘擊實(shí)驗(yàn)前后輸出信號(hào)波形
LTC6909I 型硅振蕩器的輸出時(shí)鐘信號(hào)頻率不受高過(guò)載環(huán)境的影響,反復(fù)的高過(guò)載實(shí)驗(yàn)不會(huì)使其產(chǎn)生頻率漂移。硅振蕩器能夠承受高過(guò)載環(huán)境的考驗(yàn),工程上可以替代石英晶體振蕩器為系統(tǒng)提供時(shí)鐘脈沖信號(hào)。
[1] 李培行,劉自考.試論石英晶體振蕩器的原理和應(yīng)用[J].物理教學(xué)探討,2010,28(3):60.
[2] 趙玉龍,趙立波,蔣莊德. 基于SOI 技術(shù)梁膜結(jié)合高過(guò)載壓阻式加速度計(jì)研究[J].傳感技術(shù)學(xué)報(bào),2006,19(5):2171.
[3] 石云波,祁曉瑾,劉俊. 微型高過(guò)載加速度傳感器的加工與測(cè)試[J].機(jī)械工程學(xué)報(bào),2008,44(9):200-203.
[4] 李麗,張志國(guó),趙正平. RFMEMS 壓控振蕩器的研制及相位噪聲特性研究[J].傳感技術(shù)學(xué)報(bào),2006,19(5):1907-1910.
[5] 邵森木,苗軍,蒙美海. 硅振蕩器取代石英晶體的遙測(cè)采編器[J].探測(cè)與控制學(xué)報(bào),2011,33(6):1-5.
[6] 朱政強(qiáng),石云波,劉曉鵬. 一種新型高量程微加速度傳感器侵徹測(cè)試[J].電子設(shè)計(jì)工程,2009,8(17):53-54.
[7] Paul Horowit(美),Winfield Hill(美).電子學(xué)[M].2 版.北京:電子工業(yè)出版社,2009.3.
[8] 沈培宏.MEMS 振蕩器的技術(shù)簡(jiǎn)介和發(fā)展前景[J].光電技術(shù),2008,50(3):15-18.