劉禮良,鄭 暉,鄔冠華
(1.南昌航空大學(xué) 無損檢測(cè)技術(shù)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,南昌 330063;2.中國(guó)特種設(shè)備檢測(cè)研究院,北京 100013)
在超聲衍射時(shí)差法檢測(cè)(TOFD)技術(shù)中,工件表面缺陷信號(hào)可能隱藏在直通波信號(hào)下而導(dǎo)致漏檢,形成檢測(cè)盲區(qū)[1],有研究者[2]試圖通過TOFD信號(hào)處理方法分離盲區(qū)內(nèi)缺陷,但是檢測(cè)結(jié)果的工程應(yīng)用缺乏驗(yàn)證。
筆者采用超聲脈沖反射檢測(cè)、磁粉檢測(cè)及超聲爬波檢測(cè),在檢測(cè)試塊和對(duì)比試塊上對(duì)TOFD 檢測(cè)表面盲區(qū)的檢測(cè)工藝進(jìn)行了試驗(yàn),并在工程檢測(cè)中進(jìn)行了應(yīng)用。
在TOFD 技術(shù)中,縱波信號(hào)從入射探頭進(jìn)入工件后的擴(kuò)散角度較大,不同區(qū)域處信號(hào)能量和頻率是不同的,越靠近主聲束區(qū)域的信號(hào)能量和頻率越高;而距離主聲束較遠(yuǎn)的工件表面區(qū)域縱波信號(hào)能量和頻率則較低。較低的頻率造成信號(hào)的脈沖寬度加大,使得缺陷信號(hào)被埋藏在較寬的直通波信號(hào)中而造成漏檢,形成工件表面的檢測(cè)盲區(qū)[3]。
根據(jù)TOFD 技術(shù)原理數(shù)學(xué)模型存在的三角函數(shù)關(guān)系,盲區(qū)高度Dds的計(jì)算公式如下[4]:
式中:c為縱波聲速;s為探頭中心距P的一半;tp為直通波脈沖時(shí)間寬度。
通過式(1)可計(jì)算出表面盲區(qū)的理論值。表1為探頭頻率為5 MHz,縱波聲速取5 900m/s,不同P(探頭中心間距)值,tp取1個(gè)周期(0.2μs)時(shí)的理論表面盲區(qū)高度值。由于tp的取值受很多因素的影響且存在誤差,計(jì)算的理論表面盲區(qū)與實(shí)際表面盲區(qū)會(huì)有較大誤差。
表1 不同參數(shù)表面盲區(qū)理論值
圖1 檢測(cè)系統(tǒng)
試驗(yàn)中,筆者采用OMNISCAN-MX TOFD 檢測(cè)系統(tǒng)作為超聲波發(fā)射和接收設(shè)備;OLYMPUS生產(chǎn)的頻率5 MHz,晶片尺寸φ6mm 探頭2只,探頭編號(hào)為:627822/627824;60°楔塊2 只,楔塊編號(hào)為:ST1-60LM-IHC/ST1-60LM-IHC。檢測(cè)系統(tǒng)裝置如圖1所示。在TOFD 檢測(cè)技術(shù)中,表面盲區(qū)分為開口型和埋藏型,為了更合理地測(cè)量在某一特定檢測(cè)參數(shù)條件下TOFD 表面盲區(qū),采用40 mmTOFD 盲區(qū)專用試塊,設(shè)計(jì)不同深度的刻槽和側(cè)孔來模擬表面開口型和埋藏型缺陷,刻槽及側(cè)孔位置及深度如圖2所示。
圖2中,盲區(qū)試塊上端面有4個(gè)長(zhǎng)2 0mm、寬0.2mm的刻槽,4 個(gè)深度分別為3,4,5,6 mm、長(zhǎng)40mm的側(cè)孔;下端面同樣有4 個(gè)長(zhǎng)20 mm、寬0.35mm的刻槽,4個(gè)深度分別為7,8,9,10mm、長(zhǎng)40mm 的側(cè)孔。試驗(yàn)時(shí)探頭分別對(duì)厚度15,21,30,43mm 時(shí)所對(duì)應(yīng)的P值在TOFD 盲區(qū)試塊上進(jìn)行非平行掃查。但當(dāng)工件厚度為15 mm 時(shí),P值過小,不能進(jìn)行試驗(yàn),故將其P調(diào)整為49mm,試驗(yàn)結(jié)果如圖3所示。
圖3(a)左邊為最小可見埋深為4mm 的槽,右邊為5mm 側(cè)孔;3(b)左邊為最小可見埋深為4mm的槽,右邊為5mm 側(cè)孔;3(c)左邊為最小可見埋深為5mm 的槽,右邊為6mm 側(cè)孔;3(d)左邊為最小可見埋深為5mm 的槽,右邊為7mm 側(cè)孔。試驗(yàn)分析結(jié)果表2所示。
表2 不同參數(shù)設(shè)置試驗(yàn)分析結(jié)果 mm
由表2可知,隨著P值的增加,TOFD 檢測(cè)表面盲區(qū)也逐漸增大。因?yàn)楫?dāng)探頭折射角不變,增大P值意味著焦點(diǎn)下移,使得在上表面檢測(cè)區(qū)域的分辨率與檢測(cè)精度降低,從而導(dǎo)致上表面盲區(qū)增大。
由表2中檢測(cè)編號(hào)A 與B可知,試驗(yàn)所得盲區(qū)高度是相同的,但從圖譜中,可以明顯看出,圖3(a)中發(fā)現(xiàn)的缺陷均比圖3(b)中的缺陷分辨率與清晰度高。并且可知,試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)刻槽的能力比發(fā)現(xiàn)孔的能力強(qiáng),因?yàn)榭滩鄣难苌湫盘?hào)更強(qiáng)。
對(duì)比分析表1與表2可知,在相同的設(shè)置參數(shù)下,理論計(jì)算值比試驗(yàn)實(shí)際所測(cè)值要大,并且隨著P值的增加,理論值與測(cè)量值誤差增大。因?yàn)楫?dāng)根據(jù)式(1)計(jì)算表面盲區(qū)時(shí),tp的取值對(duì)計(jì)算結(jié)果影響很大,并且在實(shí)際應(yīng)用中,在直通波區(qū)域并不是完全不能發(fā)現(xiàn)缺陷,實(shí)際測(cè)量也存在一定的誤差,所以導(dǎo)致理論計(jì)算值與試驗(yàn)值有誤差。
并且從上述分析可知,隨著P值的增大,上表面檢測(cè)區(qū)域的分辨率與檢測(cè)精度降低,故導(dǎo)致誤差逐漸增大。由理論分析與試驗(yàn)結(jié)果可知,TOFD檢測(cè)在表面檢測(cè)區(qū)域存在較大的盲區(qū),為了提高TOFD檢測(cè)可靠性,需要其他有效的方法對(duì)其進(jìn)行補(bǔ)充。
表3 超聲脈沖反射法試驗(yàn)結(jié)果
2.1.1 超聲脈沖反射法
超聲脈沖反射法采用汕頭超聲研究所生產(chǎn)的斜探頭對(duì)15,21,30,43mm 厚的TOFD 對(duì)比試塊的上表面缺陷分別進(jìn)行檢測(cè),檢測(cè)時(shí)采用一次反射法,選用機(jī)油為耦合劑。試驗(yàn)參數(shù)及結(jié)果如表3所示。
由試驗(yàn)結(jié)果可知:超聲脈沖反射法可解決TOFD 檢測(cè)中試件表面盲區(qū)問題,為TOFD 檢測(cè)結(jié)果的可靠性提供了有效依據(jù)。但隨著被檢工件厚度的增加,超聲波能量的衰減較大,并且橫波比縱波衰減嚴(yán)重,導(dǎo)致散射回的缺陷信號(hào)湮沒在草狀雜波中無法辨認(rèn)[5]。故:對(duì)TOFD 檢測(cè)表面盲區(qū),超聲脈沖反射法可作為一種有效的輔助檢測(cè)方法,但應(yīng)注意隨著工件厚度的增加,缺陷信號(hào)的信噪比會(huì)降低,對(duì)檢測(cè)結(jié)果會(huì)產(chǎn)生影響。
2.1.2 磁粉檢測(cè)法
采用交流磁軛法對(duì)盲區(qū)試塊的側(cè)孔進(jìn)行檢測(cè)時(shí)發(fā)現(xiàn):埋深為3mm 的側(cè)孔不能有效檢出。據(jù)大量研究表明,對(duì)表面下2mm 以內(nèi)的缺陷,磁粉檢測(cè)有較高的檢出率[6]。所以,在TOFD 檢測(cè)應(yīng)用中,對(duì)于表面下2mm 以內(nèi)的盲區(qū),磁粉檢測(cè)可作為一種有效的輔助檢測(cè)方法。
超聲爬波是在自由表面的位移有垂直分量的縱波[7]。當(dāng)縱波以第一臨界角α1附近的角度入射到界面時(shí),就會(huì)在第二介質(zhì)中產(chǎn)生表面下的縱波,即為爬波。爬波產(chǎn)生原理如圖4所示。圖4中的α1為第一臨界角,β1 為橫波折射角,β2 為縱波折射角,其指向即為爬波聲束方向。并且由于爬波在傳播時(shí),大部分能量主要集中在表面下某個(gè)范圍內(nèi),對(duì)工件表面粗糙不敏感[8],但其在往下傳播的過程中,能量急劇衰減,因此適用于檢測(cè)表面及近表面的缺陷。
圖4 爬波產(chǎn)生原理
筆者通過在盲區(qū)試塊上進(jìn)行試驗(yàn),來測(cè)定爬波可檢測(cè)表面區(qū)域范圍。采用4 MHz鳳凰爬波探頭進(jìn)行試驗(yàn),工藝設(shè)計(jì)為:在盲區(qū)試塊上以埋深3mm的表面刻槽為校準(zhǔn)缺陷對(duì)象,來設(shè)置爬波檢測(cè)[9]靈敏度及探頭前端與有效檢測(cè)區(qū)域的距離;首先將爬波探頭前端與3mm 刻槽的一端重合,找到爬波圖譜上的缺陷信號(hào);將該信號(hào)調(diào)節(jié)為滿屏高的80%,并提高增益12dB 后,此時(shí)靈敏度即為檢測(cè)應(yīng)用靈敏度;探頭向后移動(dòng)(垂直于缺陷對(duì)象),當(dāng)移動(dòng)一定距離后,波高降為滿屏80%時(shí),測(cè)量探頭前端與缺陷對(duì)象的距離,即為檢測(cè)應(yīng)用時(shí)探頭前端距離焊縫中心線的距離。按以上方法進(jìn)行測(cè)試,試驗(yàn)結(jié)果為:爬波探頭前端距缺陷對(duì)象距離為40mm,靈敏度為63dB。
按照以上的超聲爬波工藝,分別用40mm 盲區(qū)試塊上的刻槽及側(cè)孔進(jìn)行試驗(yàn),試驗(yàn)結(jié)果表明:該盲區(qū)試塊上的刻槽及側(cè)孔均能有效檢出。超聲爬波檢測(cè)中,隨著檢測(cè)深度的增加,爬波信號(hào)有較大的衰減,距離表面越近,缺陷的爬波信號(hào)越強(qiáng)。圖5是埋深為8mm 刻槽和10mm 的側(cè)孔的爬波檢測(cè)圖譜,由圖5可清晰判別刻槽及側(cè)孔缺陷。雖然由于超聲爬波檢測(cè)的特點(diǎn),無法測(cè)量缺陷深度,對(duì)水平位置的測(cè)定也存在一定誤差,但在目前對(duì)厚工件表面盲區(qū)無有效解決方案的情況下,超聲爬波檢測(cè)不失為一種解決TOFD 表面盲區(qū)檢測(cè)的有效輔助方法。
在某壓力容器廠,對(duì)規(guī)格為φ6 100×(98+5)mm容器的對(duì)接環(huán)焊縫進(jìn)行TOFD 檢測(cè),第一通道的部分檢測(cè)參數(shù)分別為:頻率為5 MHz;晶片尺寸為φ6mm;楔塊角度為70°;P為147mm。上表面盲區(qū)高度實(shí)測(cè)值為9mm。
現(xiàn)場(chǎng)采用100%TOFD+100%脈沖反射UT(針對(duì)上表面盲區(qū)部分)+100%MT+100%超聲爬波的檢測(cè)工藝,保證焊縫的100%全檢測(cè),進(jìn)而驗(yàn)證各個(gè)TOFD 表面盲區(qū)輔助檢測(cè)方法。
在進(jìn)行超聲爬波檢測(cè)中,爬波工藝參數(shù)設(shè)置為4 MHz爬波探頭,探頭前端距焊縫中心為40 mm,靈敏度為63dB進(jìn)行掃查,在該工藝參數(shù)設(shè)置下進(jìn)行爬波檢測(cè)共發(fā)現(xiàn)3處缺陷。其中一例缺陷在檢測(cè)區(qū)域內(nèi)的回波信號(hào),如圖6所示。在同一位置處進(jìn)行TOFD 檢測(cè),沒有發(fā)現(xiàn)明顯的缺陷顯示。同樣,在該缺陷位置處采用手動(dòng)超聲及磁粉檢測(cè),均未發(fā)現(xiàn)該缺陷顯示。
對(duì)上述發(fā)現(xiàn)缺陷進(jìn)行返修,發(fā)現(xiàn)該缺陷為未熔合缺陷,經(jīng)測(cè)量,缺陷距離上表面為8 mm,返修結(jié)果照片如圖7所示。
從以上的工程實(shí)例可知:在幾種常用的TOFD表面盲區(qū)輔助檢測(cè)方法中,超聲脈沖反射法對(duì)壁厚較大工件的表面盲區(qū)有一定的局限性,對(duì)壁厚較薄工件的盲區(qū)是一種有效輔助檢測(cè);爬波檢測(cè)對(duì)工件壁厚無特殊要求,且以成像的方式反映缺陷,對(duì)TOFD 表面盲區(qū)檢測(cè)是一種很好的補(bǔ)充檢測(cè)方法。
圖7 缺陷返修結(jié)果
(1)常用無損檢測(cè)方法中超聲脈沖反射法與磁粉檢測(cè)法在一定程度上可有效地解決TOFD 表面盲區(qū)檢測(cè)問題。
(2)超聲爬波檢測(cè)法對(duì)近表面缺陷的檢出與工件壁厚無關(guān),當(dāng)采用4 MHz爬波探頭,探頭前端距焊縫中心為40mm,靈敏度為63dB進(jìn)行試驗(yàn)時(shí),可發(fā)現(xiàn)1~8mm 深的刻槽及埋深為3~10 mm 的側(cè)孔,并且缺陷以成像的方式直觀反映,因此,爬波檢測(cè)法是TOFD 表面盲區(qū)檢測(cè)中一種有效的輔助檢測(cè)方法。
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