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DDS技術(shù)在高頻手術(shù)器驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用

2013-12-01 10:09:12孔令成
自動(dòng)化儀表 2013年1期
關(guān)鍵詞:基波寄存器脈沖

何 磊 孔令成

(常州大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院1,江蘇 常州 213164;常州先進(jìn)制造技術(shù)研究所2,江蘇 常州 213164)

0 引言

直接數(shù)字合成[1](direct digital synthesis,DDS)技術(shù)是一種新型的頻率合成技術(shù)。該技術(shù)具有較高的頻率分辨率,它既能快速實(shí)現(xiàn)頻率切換,又能在頻率改變時(shí)保證相位的連續(xù)。

在傳統(tǒng)的外科手術(shù)中,手術(shù)刀和止血鉗是人們非常熟悉的醫(yī)療工具。隨著現(xiàn)代醫(yī)療技術(shù)水平的不斷提高和高頻手術(shù)器技術(shù)的進(jìn)一步完善,智能型醫(yī)用多功能高頻手術(shù)器已經(jīng)逐漸取代了手術(shù)刀、止血鉗和其他一些醫(yī)療器械,成為現(xiàn)代外科手術(shù)中常用的醫(yī)療設(shè)備。高頻手術(shù)器是高頻段工作中最常見的高能量醫(yī)療儀器。隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)的普及、應(yīng)用和發(fā)展,高性能的單片機(jī)已廣泛應(yīng)用在高頻手術(shù)器的整機(jī)控制中,實(shí)現(xiàn)了各種功能下功率波形、電壓、電流的自動(dòng)調(diào)節(jié),以及各種安全指標(biāo)、程序化控制和故障的檢測(cè)及指示。這就大大提高了設(shè)備本身的安全性和可靠性,簡(jiǎn)化了醫(yī)生的操作過(guò)程。

1 高頻手術(shù)器

1.1 手術(shù)器原理

高頻手術(shù)器是基于“集膚效應(yīng)”原理設(shè)計(jì)的[2]?!凹w效應(yīng)”原理具體是指電流在人體這段“導(dǎo)體”的表面流動(dòng),而不流經(jīng)人體內(nèi)臟組織。因此,這種高頻電流不會(huì)對(duì)臟器造成傷害,且患者自己基本上沒(méi)有明顯不適感。

高頻手術(shù)器主要由高頻手術(shù)器主機(jī)以及手術(shù)器手柄、負(fù)極板、雙極鑷子等附件組成。通常的高頻手術(shù)器都具有單極電切、單極電凝以及雙極電凝的功能。

由于低頻電流可以產(chǎn)生明顯的電擊和電刺激作用,因此選擇手術(shù)器的工作頻率具有重要的意義。在選擇過(guò)程中,要求所選頻率不能引起電擊,同時(shí)還要求具有較小的電刺激,一般交流電頻率應(yīng)大于300 kHz。有關(guān)資料表明,當(dāng)交流電頻率在500 kHz左右時(shí),電流對(duì)人體的電刺激己經(jīng)很小;當(dāng)交流電頻率大于1 MHz時(shí),電流對(duì)人體的電刺激會(huì)完全消失,這時(shí)高頻電流只會(huì)對(duì)人體產(chǎn)生熱效應(yīng)。由于涉及高頻輻射和國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的限制等問(wèn)題,現(xiàn)有高頻手術(shù)器工作頻率一般在0.4~3 MHz之間。本課題所設(shè)計(jì)的手術(shù)器的工作頻率約為500 kHz。

1.2 手術(shù)器硬件結(jié)構(gòu)

高頻手術(shù)器的硬件基本結(jié)構(gòu)如圖1所示。

圖1 高頻手術(shù)器基本硬件結(jié)構(gòu)Fig.1 Basic hardware structure of electrotome

人機(jī)界面主要負(fù)責(zé)整個(gè)設(shè)備的參數(shù)設(shè)定和數(shù)據(jù)顯示;可編程邏輯器件在微控制器的控制下進(jìn)行參數(shù)配置,然后輸出所需頻率和波形的高頻信號(hào);高頻信號(hào)經(jīng)隔離電路后被送入后續(xù)的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路中,用以控制MOSFET的通斷和繼電器的開關(guān);繼電器的開關(guān)控制高頻變壓器的不同輸入端,并在輸出端產(chǎn)生不同的信號(hào)。

1.3 驅(qū)動(dòng)電路

MOSFET驅(qū)動(dòng)電路如圖2所示。圖2中,T_ON為FPGA產(chǎn)生的高頻信號(hào),F(xiàn)1為大功率 MOSFET管。T_ON控制F1的導(dǎo)通以及控制繼電器開關(guān)K2A的通斷。繼電器開關(guān)的通斷控制高頻變壓器T4的不同輸入端,并在輸出端產(chǎn)生不同的信號(hào)。這就實(shí)現(xiàn)了高頻信號(hào)T_ON對(duì)高壓直流信號(hào)HVDC的調(diào)制,實(shí)現(xiàn)了功率放大,最終得到高頻高壓信號(hào),即手術(shù)所需的高頻高壓信號(hào)。

圖2 MOSFET驅(qū)動(dòng)電路Fig.2 MOSFET driving circuit

在單極電切、單極電凝、雙極電凝三種工作模式下的信號(hào)頻率如表1所示。

表1 信號(hào)頻率參照表Tab.1 Reference table of the signal frequency

2 驅(qū)動(dòng)脈沖發(fā)生器設(shè)計(jì)

高頻手術(shù)器期望的頻率控制信號(hào)如圖3所示,T0為基波周期,基波的頻率變化范圍為200~1000 kHz[3];T1為調(diào)制波周期,調(diào)制頻率的變化范圍為0~39 kHz??紤]到高頻手術(shù)器不同型號(hào)的要求,本系統(tǒng)的基波頻率變化范圍應(yīng)為200 kHz~1 MHz;鑒于對(duì)手術(shù)器輸出功率的控制,要求調(diào)制波的脈寬可調(diào)。

圖3 期望的驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)Fig.3 Expected driving pulse signal

本系統(tǒng)采用FPGA設(shè)計(jì)了一個(gè)頻率和脈寬都可調(diào)[4]的調(diào)制波,并得到相應(yīng)的脈沖信號(hào)。調(diào)制波的周期為b個(gè)脈沖周期長(zhǎng),其高電平時(shí)間為a個(gè)脈沖周期長(zhǎng),然后將基波和調(diào)制波進(jìn)行與操作。

2.1 脈沖發(fā)生器接口

采用FPGA實(shí)現(xiàn)基波信號(hào)和調(diào)制波信號(hào)頻率和脈寬的調(diào)整,由FPGA控制產(chǎn)生PWM信號(hào)[5],這就可以保證信號(hào)的可靠性和穩(wěn)定性。FPGA與微控制器的接口連接如圖4所示。

圖4 微處理器與FPGA的接口示意圖Fig.4 Interface between microprocessor and FPGA

2.2 發(fā)生器內(nèi)部結(jié)構(gòu)

圖5 驅(qū)動(dòng)脈沖發(fā)生器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖Fig.5 Internal block diagram of driving pulse generator

基波數(shù)據(jù)寄存器值和調(diào)制波數(shù)據(jù)寄存器值計(jì)算方法[6]如下:

式中:Vbp為基波數(shù)據(jù)寄存器值;Vmp為調(diào)制波數(shù)據(jù)寄存器值;Fosc為外部時(shí)鐘的頻率;Fbp和Fmp分別為基波和調(diào)制波的脈沖頻率。

由Fout輸出的控制脈沖波形如圖6所示。

圖6 控制脈沖波形Fig.6 Waveform of the control pulse

采用Verilog語(yǔ)言[7],可實(shí)現(xiàn)占空比調(diào)節(jié)前后調(diào)制脈沖發(fā)生器的仿真[8-9]。當(dāng)占空比數(shù)據(jù)寄存器值為0x0016、0x000A和0x0020時(shí),out輸出波形的占空比分別為1∶1、4∶1 和16∶25。

3 結(jié)束語(yǔ)

由于高頻手術(shù)器的應(yīng)用對(duì)象是病人,所以對(duì)可靠性和控制精度的要求很高。經(jīng)實(shí)際驗(yàn)證,基于FPGA的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路和MOSFET驅(qū)動(dòng)脈沖發(fā)生器,具有很高的可靠性。MOSFET的驅(qū)動(dòng)脈沖頻率可以在一個(gè)很寬的頻率范圍內(nèi)進(jìn)行選擇,因此,MOSFET驅(qū)動(dòng)電路具有很大的通用性。

[1]潘松,黃繼業(yè).EDA技術(shù)使用教程[M].北京:北京科學(xué)出版社,2006.

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