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基于空間矢量的動(dòng)態(tài)無功補(bǔ)償裝置的投切方法

2013-09-25 14:13:02劉振興喬正盛
電子設(shè)計(jì)工程 2013年6期
關(guān)鍵詞:殘壓投切端電壓

徐 沖,劉振興 ,喬正盛,鄭 重

(1.武漢科技大學(xué) 湖北 武漢 430081;2.武新電氣科技有限公司 湖北 武漢 430345)

隨著現(xiàn)代工業(yè)技術(shù)的發(fā)展,電力電子裝置日益廣泛應(yīng)用于電力系統(tǒng),無功不足和諧波的危害日益突出。因此無功補(bǔ)償和諧波抑制就為實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo)而顯得尤為重要。從而需要無功補(bǔ)償和諧波抑制裝置投入運(yùn)行以消除影響,晶閘管投切電容器(TSC)就是一種廣泛應(yīng)用于配電系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)無功補(bǔ)償裝置[2]??蒚SC在實(shí)際工程中出現(xiàn)一些的問題,嚴(yán)重影響了補(bǔ)償效果,甚至給系統(tǒng)帶來負(fù)面作用,給電力系統(tǒng)帶來潛在威脅,所以有必要對(duì)其進(jìn)一步研究并予以解決。

1 概 況

根據(jù)晶閘管和電容器的連接方式分類,可以把TSC分為4種類型:星形有中線、星形無中線、外三角形(角外)、內(nèi)三角形角(角內(nèi))[3]。除了第一種可以實(shí)現(xiàn)單相補(bǔ)償外,其余三種都只能實(shí)現(xiàn)共補(bǔ)。而在當(dāng)前工程上主要采用第一種和第三種連接方式,其中第三種占絕大部分。而文中主要研究第三種連接方式,其具體連接如圖1所示。

圖1 TSC角外連接主電路圖Fig.1 Main circuit of TSC angle external connection

角外連接方式被廣泛應(yīng)用的主要原因在于市場(chǎng)上三相電容器內(nèi)部已角連,給第三種連接方式的帶來很大優(yōu)勢(shì),包括工藝簡(jiǎn)單、檢查容易、單機(jī)容量更大,平均成本減少等[4]。但是在實(shí)際工程應(yīng)用中,在負(fù)載變化比較頻繁時(shí),投切電容器出現(xiàn)不同步導(dǎo)通現(xiàn)象,即其中一相滯后另外兩相5~30 s左右導(dǎo)通,嚴(yán)重影響了補(bǔ)償效果[5]。

2 原 理

假設(shè)電網(wǎng)線電壓為:

因?yàn)樨?fù)載為容性(電抗率較小,可忽略),則流過晶閘管的電流超前相電壓90度,又線電壓超前相電壓30度,所以導(dǎo)通后流過晶閘管的電流應(yīng)為:

由于晶閘管關(guān)斷條件為給出關(guān)斷信號(hào),并出現(xiàn)反向電流后關(guān)斷。將三相晶閘管電流進(jìn)行矢量分區(qū)如圖2所示,將其分為6個(gè)連續(xù)的區(qū)間,對(duì)應(yīng)6種不同的關(guān)斷順序。在此,如選擇區(qū)域I作為關(guān)斷區(qū)域時(shí),及在區(qū)域I期間內(nèi)給出關(guān)斷信號(hào),關(guān)斷順序?yàn)?C、B、A。

圖2 晶閘管電流矢量原理圖Fig.2 Principle diagram of thyristor current vector

當(dāng)C相晶閘管關(guān)斷時(shí),即ithc=0ithc=0,結(jié)合圖2分析可知,該過零點(diǎn)為下降中的過零點(diǎn), 則可令ωt=3π/2+2kπ,k=0、1、2…,此時(shí):

電容電壓:

參考圖1主電路,C相晶閘管關(guān)斷后,回路改變,電容器C2與C3串聯(lián)后,與C1并聯(lián),電容器C1保持原有狀態(tài)繼續(xù)充放電,而電容器C2與電容器C3串聯(lián)后容抗增大一倍,充電電流減小一半。A相和B相形成回路,在該回路上電流出現(xiàn)零點(diǎn)時(shí),A相和B相上晶閘管才關(guān)斷。

在 C 相關(guān)斷時(shí)刻,uab=Umcos(3π/2+2kπ)=0,上升中的零點(diǎn)。

所以,電流從最大值到零點(diǎn)還需1/4周期,即到三相全部關(guān)掉還需1/4周期。最后各個(gè)電容器殘壓為:

在電流矢量第一區(qū)域內(nèi)關(guān)斷時(shí),各電容器上出現(xiàn)以上殘壓值,不難觀察得到,C相晶閘管兩端電壓被電容器C2殘壓>Um抬升后,短時(shí)間內(nèi)是不存在零點(diǎn)的,如果嚴(yán)格按照三相過零觸發(fā)條件,B相晶閘管端電壓在A相和C相晶閘管導(dǎo)通后,其兩端電壓出現(xiàn)抬升而沒有零點(diǎn),在未放電前提下是不會(huì)導(dǎo)通的。而在B相先導(dǎo)通后,接著A相晶閘管導(dǎo)通,C相晶閘管端電壓由于B相的導(dǎo)通對(duì)C2電壓放電后出現(xiàn)零點(diǎn)導(dǎo)通。

3 解決方案

在不同區(qū)域關(guān)斷,各電容殘壓不同,對(duì)應(yīng)適當(dāng)順序才能正常同步導(dǎo)通。以上只分析了一種情況,其他情況可類似分析。通過上述原理性分析,提出以下開通和關(guān)斷策略:

關(guān)斷策略:選擇區(qū)域I作為關(guān)斷區(qū)域時(shí),及在區(qū)域I期間內(nèi)給出關(guān)斷信號(hào),因而關(guān)斷順序?yàn)镃、B、A。也可選擇圖2中給出的其他區(qū)域,對(duì)應(yīng)推導(dǎo)出能夠同步開通的開通順序即可。

開通策略:在上述條件下,只要B相晶閘管能導(dǎo)通,其余兩相是可以過零導(dǎo)通的。為此,分析外三角共補(bǔ)特點(diǎn),先直接導(dǎo)通B相,無需過零檢測(cè)。在B相完全導(dǎo)通后,在過零判斷開通A相和C相,實(shí)現(xiàn)三相同步導(dǎo)通。

整個(gè)投切過程中,關(guān)斷時(shí)刻決定了關(guān)斷后各電容的殘壓大小,從而決定了對(duì)應(yīng)的開通順序。所以,對(duì)應(yīng)一個(gè)關(guān)斷順序,只有一種可行的開通順序。而上述分析僅僅只對(duì)一種關(guān)斷區(qū)域進(jìn)行了分析,其余5個(gè)區(qū)域也有類似結(jié)論。

4 仿真實(shí)驗(yàn)

仿真條件:

電源相電壓:Ua=220 V;負(fù)載:阻感性負(fù)載 P=200 kW、QL=100 kVar;單相電容:450 V 10 kVar;串連電抗:L=1.298 mH 電抗率(6%)。主電路采用角外連接方式,具體如圖3、圖4所示。

傳統(tǒng)觸發(fā)方案:正常過零開通三相,三相開通信號(hào)和關(guān)斷信號(hào)同步,周期為1 s,其中0~0.557 s發(fā)出導(dǎo)通信號(hào),且在0.557~1 s發(fā)出關(guān)斷信號(hào),(0.557 s處于第 I區(qū)域),重復(fù)通斷。仿真結(jié)果如下所示。

圖3 TSC系統(tǒng)仿真電路模型圖Fig.3 TSC circuit model simulational system

圖4 TSC主電路仿真模型Fig.4 TSC main circuit simulational system

當(dāng)晶閘管導(dǎo)通時(shí),晶閘管端電壓為零,對(duì)應(yīng)晶閘管未導(dǎo)通時(shí),其端電壓不為零,由電容殘壓和電網(wǎng)電壓決定。此種情況下,在第一周期時(shí),電容上無殘壓,三相可同步導(dǎo)通。第二周期開始,A相和C相能正常導(dǎo)通,B相晶閘管無法連續(xù)導(dǎo)通,兩端電壓波形如圖5所示。

圖5 傳統(tǒng)觸發(fā)下晶閘管端電壓波形圖Fig.5 Voltage waveform of the traditional triggering thyristor tube

改進(jìn)觸發(fā)方案:A和C相過零觸發(fā),B相為強(qiáng)制觸發(fā),三相開通信號(hào)不同步,關(guān)斷信號(hào)同步,周期為1 s,其中0~0.557 s發(fā)出導(dǎo)通信號(hào),且在0.557~1 s發(fā)出關(guān)斷信號(hào),(0.557 s處于第I區(qū)域),重復(fù)通斷。在發(fā)出導(dǎo)通信號(hào)時(shí),要求先給出B想強(qiáng)制開通信號(hào),待其導(dǎo)通后,在給出A相和C的過零觸發(fā)導(dǎo)通信號(hào),仿真結(jié)果如下所示。

此種情況下,三相晶閘管能同步導(dǎo)通,兩端電壓波形如圖6所示。

圖6 改進(jìn)觸發(fā)下晶閘管端電壓波形圖Fig.6 Voltage waveform of improve the trigger thyristor tube

對(duì)比改進(jìn)前后晶閘管端電壓波形圖可知,改進(jìn)觸發(fā)方式后,三相晶閘管能實(shí)現(xiàn)同步導(dǎo)通。并在實(shí)驗(yàn)平臺(tái)上也驗(yàn)證了該控制策略的有效性。

5 結(jié) 論

目前,角外連接的動(dòng)態(tài)無功補(bǔ)償裝置應(yīng)用十分廣泛,而文中提出的投切策略,對(duì)其在需快速投切工況下的正常運(yùn)行有著重要意義[6]。此種策略不僅僅適用于角外連接的TSC,同樣在晶閘管投切濾波器(TSF)和二控三結(jié)構(gòu)的TSC中也同樣適用。并且該策略簡(jiǎn)單易行,控制效果明顯,在保證觸發(fā)可靠性的同時(shí),能有效的提高補(bǔ)償效果,并減小對(duì)電力系統(tǒng)的負(fù)面影響。

[1]戴朝波,雷林緒.晶閘管投切電容無功補(bǔ)償角型接線方案的研究[J].電工技術(shù)雜志,2001(3):5-7.

DAI Chao-bo,LEI Lin-xu.Study on schemes suitable for thyritors switching of three2 phase delta-connected capacitor banks[J].Electric Engineering,2001(3):5-7.

[2]王兆安.諧波抑制和無功補(bǔ)償技術(shù)[M].北京:機(jī)械工業(yè)出版社,1998.

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