戴吾三
李志堅(jiān)(1928~2011),中國(guó)科學(xué)院院士(1991年當(dāng)選),是我國(guó)硅基半導(dǎo)體科學(xué)研究的奠基人和開(kāi)創(chuàng)者,半導(dǎo)體領(lǐng)域的著名科學(xué)家,清華大學(xué)微電子所的創(chuàng)始人和學(xué)術(shù)帶頭人之一。20世紀(jì)80年代,他領(lǐng)導(dǎo)和參與研制出1K、4K、16K、靜態(tài)RAM,8位、16位微處理器等電路;90年代又領(lǐng)導(dǎo)建成我國(guó)首條1微米工藝線,并研制成1兆位只讀存儲(chǔ)器漢字庫(kù)等一批超大規(guī)模集成電路。這些成果代表了當(dāng)時(shí)我國(guó)集成電路技術(shù)的先進(jìn)水平。李志堅(jiān)曾獲全國(guó)勞動(dòng)模范(1979年)稱號(hào)、國(guó)家科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)(1987年)、國(guó)家發(fā)明二等獎(jiǎng)(1990年)等多種獎(jiǎng)項(xiàng)。2011年5月,李志堅(jiān)因病逝世,享年83歲。
硅是自然界極為常見(jiàn)的一種元素,它以硅酸鹽或二氧化硅的形式,廣泛存在于巖石、砂礫、塵土之中。硅也是一種優(yōu)良的半導(dǎo)體材料,可用于制作半導(dǎo)體器件、集成電路、太陽(yáng)能電板等。
上世紀(jì)40年代末,隨著晶體管的發(fā)明,國(guó)際上就用鍺或硅作材料,形成兩種不同的技術(shù)路線。在中國(guó),一批科學(xué)家確定以硅材料為方向,奮力進(jìn)取,其中有一位做出開(kāi)拓性貢獻(xiàn)的重要人物,他就是李志堅(jiān)。
留學(xué)負(fù)使命,報(bào)國(guó)赤子心
李志堅(jiān)1928年出生于浙江寧波的鎮(zhèn)??h,當(dāng)?shù)赜凶x書(shū)求進(jìn)的濃厚風(fēng)氣,經(jīng)商的父親希望兒子好好讀書(shū),將來(lái)為家族爭(zhēng)光。上小學(xué)和初中時(shí),大江南北烽火燃燒,李志堅(jiān)目睹了日本侵略者的囂張,感受到國(guó)破山河在的艱難,激發(fā)了他以科學(xué)報(bào)國(guó)的壯志。
1951年,李志堅(jiān)從浙江大學(xué)物理系畢業(yè),被分配到同濟(jì)大學(xué)物理系做助教。一年后趕上全國(guó)院系調(diào)整,他做好了服從組織安排的思想準(zhǔn)備,可沒(méi)想到上級(jí)通知他到北京學(xué)俄語(yǔ),準(zhǔn)備去蘇聯(lián)留學(xué)。李志堅(jiān)從小就學(xué)英語(yǔ),中學(xué)和大學(xué)也是,大學(xué)教材都是英文,講課也用英文。而今俄語(yǔ)卻要從字母學(xué)起。雖然轉(zhuǎn)折很大,但這是國(guó)家需要,他沒(méi)有半點(diǎn)猶豫。
新中國(guó)成立后,與西方世界的聯(lián)系幾乎完全切斷,一個(gè)年輕人要想留學(xué),不可能再去英美國(guó)家,也不可能由個(gè)人選擇。當(dāng)時(shí)到蘇聯(lián)留學(xué)就是很高的榮譽(yù),而一切都由組織安排,要經(jīng)過(guò)嚴(yán)格選拔,不僅看個(gè)人能力和政治表現(xiàn),更要看家庭成分和父母的情況。
李志堅(jiān)大學(xué)已是共青團(tuán)員,工作后積極爭(zhēng)取加入共產(chǎn)黨。他的父親是小商人(成分還算過(guò)得去),政治清白。當(dāng)時(shí)參加學(xué)習(xí)俄語(yǔ)的同學(xué)中,最后真正去蘇聯(lián)的只有一半,因?yàn)檎螌彶榉浅?yán)格,有一點(diǎn)海外關(guān)系就沒(méi)戲了。如果家庭成分是資本家、地主,不管你個(gè)人怎么表現(xiàn)都不行,這在今天的年輕人很難理解。想不到的是,李志堅(jiān)到蘇聯(lián)不久,父親重新被劃為大商人,一下上升為資本家,資本家是剝削階級(jí),這在當(dāng)時(shí)是很敏感的字眼。如果再晚半年,他肯定去不了蘇聯(lián)。李志堅(jiān)的幾個(gè)弟妹都很聰明,但后來(lái)因父親的成分問(wèn)題,都沒(méi)能進(jìn)入大學(xué)門(mén)。
去蘇聯(lián)前,李志堅(jiān)只知道要學(xué)習(xí)保密的專業(yè),但具體是什么并不清楚。到蘇聯(lián)后進(jìn)入列寧格勒大學(xué)物理系,學(xué)校讓留學(xué)生自己提出學(xué)習(xí)愿望。當(dāng)時(shí)國(guó)內(nèi)在發(fā)展鋼鐵工業(yè),李志堅(jiān)提出學(xué)習(xí)金屬學(xué),但物理系沒(méi)有金屬學(xué)專業(yè),指導(dǎo)他的導(dǎo)師是蘇聯(lián)科學(xué)院院士列別捷夫。列別捷夫在國(guó)防單位工作,也在物理系兼教研室主任,他在做半導(dǎo)體研究,側(cè)重紅外夜視的半導(dǎo)體,這在當(dāng)時(shí)屬于前沿。導(dǎo)師拿了一個(gè)項(xiàng)目讓李志堅(jiān)來(lái)做,由此他開(kāi)始與半導(dǎo)體結(jié)緣。
1947年12月,美國(guó)科學(xué)家發(fā)明了鍺晶體管,1953年半導(dǎo)體研究剛起步不久。李志堅(jiān)從物理學(xué)的發(fā)展判斷,認(rèn)為半導(dǎo)體的潛力很大,前景很好,于是開(kāi)始補(bǔ)課,決定跟導(dǎo)師學(xué)習(xí)半導(dǎo)體。導(dǎo)師要求他用兩年時(shí)間補(bǔ)習(xí)量子力學(xué)、固體物理等基礎(chǔ)理論,主要靠自學(xué),然后接受考試。李志堅(jiān)僅用半年時(shí)間就通過(guò)了這些課程。李志堅(jiān)回憶說(shuō),當(dāng)時(shí)沒(méi)白天沒(méi)黑夜,禮拜天根本不休息,全用在學(xué)習(xí)上。完成補(bǔ)課后通過(guò)考試,即進(jìn)入研究課題,他一頭扎進(jìn)實(shí)驗(yàn)室,自己設(shè)計(jì)和做實(shí)驗(yàn)。當(dāng)時(shí)需要一個(gè)玻璃真空系統(tǒng),負(fù)責(zé)做玻璃儀器的師傅是個(gè)酒鬼,喝醉了酒就把做好的玻璃管給打了,沒(méi)有辦法,李志堅(jiān)只得自己吹玻璃管,反復(fù)了多次,最后做的真空度達(dá)到10-10數(shù)量級(jí),改進(jìn)的小電流測(cè)量設(shè)備可測(cè) 10-15A數(shù)量級(jí),這在當(dāng)時(shí)均接近國(guó)際上的最高水平。
1956年國(guó)家制定12年科學(xué)發(fā)展規(guī)劃,確定計(jì)算機(jī)、半導(dǎo)體、自動(dòng)化為重點(diǎn)發(fā)展方向。同年教育部派代表團(tuán)訪蘇,清華大學(xué)校長(zhǎng)蔣南翔帶隊(duì),對(duì)中國(guó)留學(xué)生重新摸底排隊(duì),李志堅(jiān)被確定從事半導(dǎo)體專業(yè)。李志堅(jiān)在蘇聯(lián)學(xué)習(xí)了四年多,因?yàn)樽鰧?shí)驗(yàn),故比許多同學(xué)的學(xué)習(xí)時(shí)間長(zhǎng)。正是留學(xué)蘇聯(lián),讓他了解了半導(dǎo)體,熟悉了鍺、硅等材料的應(yīng)用。
回憶起留學(xué)歲月,李志堅(jiān)說(shuō),當(dāng)時(shí)的想法就是快點(diǎn)學(xué)完回來(lái),報(bào)效祖國(guó),就像游子要報(bào)答母親一樣。因?yàn)槌鰢?guó)前領(lǐng)導(dǎo)給他們算過(guò)一筆賬,一個(gè)人出國(guó)要用去多少大米,國(guó)內(nèi)有多少人在付出勞動(dòng)供你讀書(shū)。這讓他深切感受到留學(xué)生肩負(fù)著國(guó)家使命,只有出色學(xué)習(xí),才能不辜負(fù)人民的重托。留學(xué)期間,他埋頭學(xué)習(xí)和實(shí)驗(yàn),娛樂(lè)活動(dòng)極少,甚至連電影都沒(méi)看幾次(那時(shí)也沒(méi)有電視)。說(shuō)起看電影,李志堅(jiān)還牽出一個(gè)笑話,因?yàn)樗鸵晃恢袊?guó)學(xué)生、一位蒙古學(xué)生住一個(gè)房間,那位蒙古學(xué)生談戀愛(ài),把女朋友拉到房間來(lái),弄得兩位中國(guó)學(xué)生沒(méi)辦法,就去看了一場(chǎng)電影。
回國(guó)進(jìn)清華,全力研發(fā)硅
1958年2月李志堅(jiān)畢業(yè),回國(guó)前他把結(jié)余的津貼都上交了中國(guó)駐蘇聯(lián)大使館(這在今天很難理解),表示自己回國(guó)干一番事業(yè)的雄心壯志。當(dāng)乘坐的列車(chē)徐徐開(kāi)進(jìn)北京站時(shí),他發(fā)現(xiàn)清華大學(xué)的領(lǐng)導(dǎo)等在站臺(tái)上,熱誠(chéng)地迎接他。李志堅(jiān)本人曾有回母校浙大工作的意愿,因?yàn)樗菍幉ㄈ耍?xí)慣南方的生活。但現(xiàn)在面對(duì)清華求才若渴的誠(chéng)意,他話到嘴邊又咽了下去。說(shuō)起來(lái)這里面還有個(gè)小插曲,時(shí)任清華大學(xué)無(wú)線電主任的李傳信,通過(guò)其他留學(xué)生已先了解了李志堅(jiān)的情況,考慮到清華要發(fā)展半導(dǎo)體專業(yè),即商定一俟李志堅(jiān)畢業(yè),就把他引入清華,而辦法就是以誠(chéng)意感動(dòng)。
就在李志堅(jiān)來(lái)清華前半年,清華在無(wú)線電系設(shè)立了半導(dǎo)體專業(yè),有三四位教師,還有一些學(xué)生,被派往北大聽(tīng)半導(dǎo)體的課程。當(dāng)時(shí)清華正在和全國(guó)最大的電子管廠774廠合作研發(fā)半導(dǎo)體,清華的條件非常簡(jiǎn)陋,在學(xué)生宿舍樓找了兩間小房子,說(shuō)是實(shí)驗(yàn)室,里面基本上是空的。
到1958年時(shí),國(guó)內(nèi)做半導(dǎo)體的主要材料是用鍺,材料的關(guān)鍵是要做得非常純,如果不純,一些效應(yīng)就顯示不出來(lái)。李志堅(jiān)經(jīng)過(guò)分析認(rèn)為,蘇聯(lián)有硅材料,硅器件剛做不久;而美國(guó)硅器件也只在實(shí)驗(yàn)室有,還沒(méi)有產(chǎn)業(yè)化。從理論上看,硅要好于鍺,因?yàn)楣璧墓ぷ鳒囟雀撸矣醚趸枳鞑牧弦彩直阋?。但是硅的性能比較活潑,難以提純,所以硅的發(fā)展比較慢。比起硅來(lái),鍺已有研究基礎(chǔ),但鍺是稀有元素,再者,鍺器件性能不如硅。當(dāng)時(shí)正是大躍進(jìn)時(shí)期,搞鍺的勢(shì)頭很大,甚至發(fā)展到民眾。一些基層單位把大煙囪里的煙灰刮下來(lái)煉,然后用多種酸來(lái)洗,最后弄出幾克鍺來(lái),弄得像淘金一樣。
李志堅(jiān)認(rèn)為,我國(guó)應(yīng)該走發(fā)展硅的技術(shù)路線。當(dāng)時(shí)中科院半導(dǎo)體所的林蘭英等人,也主張?jiān)缧┳尮桧?xiàng)目上馬,后來(lái)在北京召開(kāi)專家會(huì)論證,確定了“南鍺北硅”的技術(shù)戰(zhàn)略,即上海在南方搞鍺,而北京發(fā)展硅,以清華牽頭來(lái)做。當(dāng)時(shí)的目標(biāo)很明確,就是以晶體管取代電子管,其基本技術(shù)思路是:做晶體管要用硅片,硅片要切出來(lái),切硅片先要有單晶(棒),而拉單晶先要有多晶,由多晶才能拉成單晶。制多晶要用化學(xué)藥品四氯化硅,四氯化硅要提純,要蒸餾。工業(yè)四氯化硅使用鐵硅為原料,要把鐵等這些雜質(zhì)去掉,就要蒸餾。
任務(wù)很明確,就是要把工業(yè)用四氯化硅提純到2個(gè)9、3個(gè)9(分別指0.99;0.999)的四氯化硅,精餾后要達(dá)到5個(gè)9、6個(gè)9(指0.99999;0.999999)。精餾完了,這樣做出來(lái)的是多晶硅,然后要用單晶爐把它拉成單晶,然后再切片。所說(shuō)的這些過(guò)程都在簡(jiǎn)陋的實(shí)驗(yàn)室里做,一次一次地精餾。
還原四氯化硅要用氫氣。當(dāng)時(shí)只有李志堅(jiān)一人在蘇聯(lián)操作過(guò)氫氣,氫氣瓶運(yùn)來(lái)后放在樓道,不敢放實(shí)驗(yàn)室。李志堅(jiān)說(shuō):“你們都走開(kāi),我來(lái)開(kāi)!”他回憶當(dāng)時(shí)情景時(shí)笑了起來(lái),說(shuō):“搞得跟打仗似的?!?/p>
實(shí)驗(yàn)一開(kāi)始用的是玻璃式反應(yīng)器,外面用水冷卻,玻璃遇冷水很容易炸,一不小心就炸了,結(jié)果四氯化硅氣體彌漫到整個(gè)大樓。直到后來(lái)制成了不銹鋼反應(yīng)器,才變得安全多了。
李志堅(jiān)和其他師生日以繼夜,奮戰(zhàn)了一年多,首次在我國(guó)用四氧化硅還原法獲得了高純度多晶硅,而后拉出了第一根鎢絲區(qū)熔單晶硅。接下來(lái)自己切片,1961年在國(guó)內(nèi)首次成功研制出了硅晶體管。
原清華大學(xué)黨委書(shū)記李傳信對(duì)這段歷史有如下的評(píng)價(jià)。他認(rèn)為,在清華半導(dǎo)體專業(yè)起步階段,以李志堅(jiān)為主導(dǎo)的團(tuán)隊(duì)解決了兩大問(wèn)題:首先是冷靜而機(jī)智地避開(kāi)了“大躍進(jìn)”刮起的“浮夸風(fēng)”和“批判風(fēng)”,沒(méi)有干什么蠢事,又始終保持了自力更生的充足干勁;更重要的是選定國(guó)際上剛起步的硅材料和器件技術(shù)為主導(dǎo)的學(xué)科建設(shè)方向,規(guī)劃師資隊(duì)伍,抓牢了實(shí)驗(yàn)室建設(shè)?!八氖嗄赀^(guò)后回頭再看,當(dāng)時(shí)的選擇使學(xué)校在微電子領(lǐng)域的人才質(zhì)量、學(xué)術(shù)水平、研究成果一直處于國(guó)內(nèi)前列,李志堅(jiān)同志一直起著主導(dǎo)作用?!钡?963年,清華大學(xué)的硅技術(shù)研究已處于領(lǐng)先水平,與美國(guó)相比只差三到五年。1960年美國(guó)發(fā)明硅基集成電路,1964年清華也開(kāi)始著手研制??上](méi)有多久,“四清”運(yùn)動(dòng)以及接踵而至的“文革”,使研究擱了淺。
上馬微電子,奮進(jìn)號(hào)角吹
1966年開(kāi)始的“文革”,嚴(yán)重沖擊了大學(xué)的教學(xué)和科研。1967年李志堅(jiān)被下放到四川綿陽(yáng),參加建立清華分校。他在那里篩沙、架電線、挖地井,什么都干過(guò)。1978年,在鄧小平親自過(guò)問(wèn)下,綿陽(yáng)分校的教師回到北京,與清華留校的半導(dǎo)體隊(duì)伍合并。隊(duì)伍擴(kuò)大后,面對(duì)世界快速發(fā)展的電子技術(shù),如何確定新的方向成為迫切的問(wèn)題,最后討論達(dá)成共識(shí),決定集中力量搞CMOS VLSI的研究。在新的指導(dǎo)方針下,逐漸形成了包括工藝、器件物理、電路設(shè)計(jì)和CAD技術(shù)等幾個(gè)子方向的全面和先進(jìn)的微電子技術(shù)發(fā)展格局。
1980年9月,成立了跨系跨學(xué)科的研究所——清華大學(xué)微電子學(xué)研究所,建制直屬學(xué)校領(lǐng)導(dǎo),除了進(jìn)行科學(xué)研究外,每年招收半導(dǎo)體器件與物理專業(yè)五年制本科生兩個(gè)班。1982年后,半導(dǎo)體器件與物理專業(yè)又被批準(zhǔn)為有權(quán)授予碩士、博士學(xué)位的學(xué)科和專業(yè)。
從1985年到1993年,李志堅(jiān)一直擔(dān)任微電子學(xué)所所長(zhǎng)。他帶領(lǐng)隊(duì)伍加大科研力度,不斷取得矚目的成果。1986年微電子所建成了7000平方米的實(shí)驗(yàn)研究大樓,1989年建成了國(guó)內(nèi)第一條1微米級(jí)的VLSI工藝3英寸制造示范線。1990年,在這條線上自主開(kāi)發(fā)成功1.5微米CMOS成套工藝技術(shù),研制出我國(guó)第一塊含有百萬(wàn)以上晶體管的1兆位漢字只讀存儲(chǔ)器,標(biāo)志著我國(guó)微電子技術(shù)跨上了1微米臺(tái)階。1992年,這一成果達(dá)到中試水平,成功轉(zhuǎn)產(chǎn)給國(guó)內(nèi)集成電路骨干企業(yè)——無(wú)錫華晶微電子公司。此后,這條線經(jīng)過(guò)增容、升級(jí),具備了0.5~0.8微米工藝技術(shù)、月產(chǎn)3000片5英寸硅片的能力。
上世紀(jì)90年代中期后,在清華“創(chuàng)建世界一流大學(xué)”的目標(biāo)指引下,微電子學(xué)所相繼建成了先進(jìn)的電子系統(tǒng)集成與專用集成電路技術(shù)研究中心和微米、納米加工中心,為集成電路設(shè)計(jì)創(chuàng)新和自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)芯片的開(kāi)發(fā),以及新興的基于硅工藝的微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)和生物芯片的研究,創(chuàng)造了必不可少的環(huán)境和基礎(chǔ)。
在人才培養(yǎng)上,清華微電子學(xué)所除完成本科生專業(yè)課程教學(xué)外,還是我國(guó)首批碩士和博士研究生的培養(yǎng)點(diǎn)、博士后流動(dòng)站及半導(dǎo)體器件與微電子學(xué)二級(jí)學(xué)科的唯一重點(diǎn)學(xué)科點(diǎn)。
老驥伏櫪時(shí),不了硅之情
65歲時(shí),李志堅(jiān)從行政職務(wù)退下,但沒(méi)有退休科研,除去外出開(kāi)會(huì)等活動(dòng),只要在學(xué)校,他幾乎每天都要去辦公室,去了就要到工藝線看一看。他一直關(guān)注集成電路技術(shù)的最新發(fā)展,還長(zhǎng)期擔(dān)任《電子學(xué)報(bào)》、《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》和《傳感技術(shù)學(xué)報(bào)》編委等職,認(rèn)真審閱研究論文,關(guān)心中青年科研人員的成長(zhǎng)。
在他去世前兩年,我們?nèi)ゲ稍L他,他興致勃勃地說(shuō):“下一步要重視納電子?,F(xiàn)在微電子向納電子發(fā)展,納電子器件的原理同現(xiàn)在很不一樣,以前以牛頓力學(xué)為基礎(chǔ),以后用量子力學(xué),這是個(gè)很大的變化。還有一個(gè)就是系統(tǒng)集成,或集成系統(tǒng)?,F(xiàn)在計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)本身有局限,有的東西做不了,為什么?現(xiàn)在的計(jì)算機(jī),數(shù)學(xué)計(jì)算可以很快,就是能很快處理并排出數(shù)學(xué)公式信息,可是你沒(méi)有數(shù)學(xué)公式干不了。但不是所有的事情都能把公式排出來(lái)的,這一點(diǎn)人腦就不一樣。所以從基礎(chǔ)信息處理技術(shù)方面也要革命?,F(xiàn)在社會(huì)發(fā)展對(duì)微電子不斷提出要求,我們關(guān)鍵是要盡快調(diào)整方向,迎接挑戰(zhàn)。”這是一個(gè)老科學(xué)家的肺腑之聲??!
2011年5月,李志堅(jiān)不幸因病逝世,享年83歲。清華大學(xué)的訃告對(duì)他作了這樣的評(píng)價(jià):“李志堅(jiān)是我國(guó)硅基半導(dǎo)體科學(xué)研究的奠基人和開(kāi)創(chuàng)者。早在上世紀(jì)50年代后期,他就提出了以硅技術(shù)為半導(dǎo)體專業(yè)的主要研究方向;70年代末,他又提出以CMOS集成微電子學(xué)為主要學(xué)術(shù)方向。這兩次學(xué)術(shù)方向的確立對(duì)我國(guó)的半導(dǎo)體事業(yè)和清華大學(xué)微電子學(xué)科的成功起步及持續(xù)發(fā)展有著極為重要的戰(zhàn)略意義?!^(guò)去50多年中,他孜孜不倦、勇于探索、治學(xué)嚴(yán)謹(jǐn)、精益求精,為我國(guó)半導(dǎo)體科技發(fā)展和高層次人才培養(yǎng)做出了卓越貢獻(xiàn),在國(guó)內(nèi)外享有崇高的聲譽(yù)?!?/p>
斯人已逝,風(fēng)范長(zhǎng)存!
(作者單位:清華大學(xué))