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新的LGA封裝MOSFET幫助將空間受限的智能手機及平板電腦應用的能效及電池使用時間提升至極致

2013-03-24 15:34:46
電子設計工程 2013年12期
關鍵詞:安森美能效鋰離子

安森美半導體(ON Semiconductor)推出兩款新的MOSFET器件,用于智能手機及平板電腦應用,作為鋰離子電池充電/放電保護電路開關的關鍵組成部分。EFC6601R和EFC6602R幫助設計人員減小方案尺寸、提升能效及將電池使用時間延至最長。

這兩款器件符合RoHS指令,適合于單節(jié)及雙節(jié)鋰離子電池應用,提供領先業(yè)界的導通阻抗(RDS(on)性能水平,使用平面柵格陣列(LGA)結構,以提供小型的低高度設計,使其適合用于通??臻g受限的智能手機及平板電腦應用。EFC6601R的額定最大源極至源極電壓(VSSS)為24 V,EFC6602R的額定最大VSSS為12 V。兩款器件都采用2.5 V供電電壓工作,采用共漏極結構,包含內(nèi)置保護二極管。

安森美半導體的三洋半導體產(chǎn)品部MOS產(chǎn)品總經(jīng)理秋庭隆史說:“自從鋰離子電池面市以來,安森美半導體一直在開發(fā)及提供充電/放電保護電路開關 MOSFET。我們積累的專知和技術使我們能夠開發(fā)出這些微型器件,更進一步延長電池使用時間及提升能效?!卑采腊雽w計劃在年內(nèi)再增添5款EFC系列MOSFET器件,幫助從事更寬廣范圍的移動設備設計人員實現(xiàn)減小方案尺寸及延長電池使用時間的應用目標。

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