盧建彪, 朱天琪, 吳盼盼, 江 莉, 余云丹, 衛(wèi)國英, 葛洪良
(中國計(jì)量學(xué)院 材料科學(xué)與工程學(xué)院,浙江 杭州310018)
磁性薄膜研究的快速發(fā)展,已成為當(dāng)今磁學(xué)和磁性材料發(fā)展的一大特征。Co-Pt磁性薄膜由于具有單向磁晶各向異性、較高的矯頑力、良好的化學(xué)穩(wěn)定性以及較強(qiáng)的耐蝕性,有可能成為超高密度磁記錄介質(zhì)而受到廣泛關(guān)注[1-2]。傳統(tǒng)的制備方法有反應(yīng)濺射法、化學(xué)沉積法、電沉積法等。其中電沉積法不僅操作簡單,而且制備的磁性薄膜具有較好的性能,能嚴(yán)格控制膜的厚度、均勻性、沉積速率等,是未來研究Co-Pt磁性薄膜的一大趨勢[3]。
本文采用電沉積技術(shù)制備了Co-Pt-P磁性薄膜,著重研究了沉積電流對(duì)薄膜表面形貌及耐蝕性的影響。
采用2.0cm×1.3cm的黃銅片作為基底,前處理工藝在室溫下進(jìn)行。先將黃銅片放入堿液中除油0.5min,去離子水清洗后,放入質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3%的稀鹽酸中酸洗活化0.5min;再次用去離子水清洗后,放入V乙醇∶V丙酮=1∶1的溶液中并超聲波清洗5min;最后用去離子水沖洗黃銅片,烘干后放入配制好的100mL鍍液中電鍍25min。
實(shí)驗(yàn)采用配位物鍍液。溶液配制需按照以下步驟完成:(1)將Co(NH2SO3)2,(NH4)2C6H6O7,NH2CH2COOH溶解,混合液置于水浴鍋中進(jìn)行水浴加熱;(2)將Pt(NH3)2(NO2)2溶于純水中,在磁力攪拌機(jī)上邊攪拌邊加熱至全部溶解;(3)將NaH2PO2·H2O溶解;(4)將上述三種溶液混合在一起,用NaOH調(diào)節(jié)溶液的pH值至8.0,體積定容為100mL。
鍍液配方及工藝條件為:NaH2PO2·H2O 0.06 mol/L,Pt(NH3)2(NO2)20.01mol/L,(NH4)2C6H6O70.2mol/L,Co(NH2SO3)20.1 mol/L,NH2CH2COOH 0.1mol/L,pH值8.0,60℃。
1.3.1 耐蝕性測試
采用電化學(xué)方法對(duì)Co-Pt-P薄膜進(jìn)行耐蝕性測試。采用三電極體系,研究電極為Co-Pt-P薄膜,輔助電極為鉑電極,參比電極為飽和甘汞電極。進(jìn)行電位、極化曲線和交流阻抗測試,測試儀器為PARSTAT 2273型電化學(xué)工作站。極化曲線的測試范圍為-300~300mV(相對(duì)于開路電位),掃描速率為0.5mV/s,采用塔菲爾直線外推法計(jì)算出自腐蝕電流密度Jcorr。交流阻抗測試由PowerSuite軟件控制,測試頻率范圍為10mHz~100kHz,交流激勵(lì)信號(hào)幅值為5mV。采用ZSimpWin軟件對(duì)測量的阻抗結(jié)果進(jìn)行分析。
1.3.2 表面形貌
采用Hitachi S-4700型掃描電子顯微鏡表征不同沉積電流下制備的薄膜樣品的表面形貌。
在合金電鍍中,沉積電流對(duì)合金組成及鍍層質(zhì)量有明顯的影響。一般來說,隨著沉積電流的增大,陰極電勢負(fù)移,合金中電勢較負(fù)的金屬的質(zhì)量分?jǐn)?shù)增加。另外,根據(jù)擴(kuò)散理論,金屬的沉積速率有一個(gè)上限,電勢較正的金屬的沉積速率比電勢較負(fù)的金屬的更容易接近極限值,增大沉積電流有助于提高電勢較負(fù)的金屬的沉積速率[4]。圖1為不同沉積電流下制備的Co-Pt-P薄膜在質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3.5%的NaCl溶液中的極化曲線。由圖1可知:Co-Pt-P薄膜在質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3.5%的NaCl溶液中的腐蝕屬陰極過程控制。采用塔菲爾直線外推法計(jì)算各極化曲線的自腐蝕電流密度,結(jié)果見表1。通過比較可知:隨著沉積電流的增大,所得薄膜的自腐蝕電位先正移后負(fù)移,自腐蝕電流密度先減小后增大。自腐蝕電位主要反映鍍層材料的熱力學(xué)穩(wěn)定性。當(dāng)沉積電流為0.08A時(shí),薄膜在質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3.5%的NaCl溶液中的自腐蝕電位最正,自腐蝕電流密度最小,耐蝕性較好。
圖1 不同沉積電流下制備的Co-Pt-P薄膜的極化曲線
表1 極化曲線的腐蝕參數(shù)分析
圖2為不同沉積電流下制備的Co-Pt-P薄膜在質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3.5%的NaCl溶液中的交流阻抗譜。圖3為對(duì)應(yīng)的等效電路,其中Rs為溶液電阻,Cf和Rf分別為表面鍍膜電容和電阻,Rt為電荷傳遞電阻,Cd為雙電層電容,電化學(xué)參數(shù)見表2。EIS復(fù)平面圖由一個(gè)高頻容抗弧和一個(gè)低頻容抗弧組成。高頻容抗弧可能源于Co-Pt-P薄膜的膜電阻,而低頻容抗弧可能歸因于腐蝕反應(yīng)的電荷轉(zhuǎn)移電阻[5]。由表2可知:隨著沉積電流的增大,Rt先增大后減??;當(dāng)沉積電流為0.08A時(shí),Rt最大,Co-Pt-P薄膜顯示出最強(qiáng)的電容特性,說明此時(shí)Co-Pt-P薄膜的耐蝕性最好[6]。
圖2 不同沉積電流下制備的Co-Pt-P薄膜的EIS譜圖
圖3 等效電路
表2 等效電路的電化學(xué)參數(shù)分析
為了獲得良好的鍍層,任何鍍液都有一定的電流范圍。電流低于下限值,會(huì)導(dǎo)致沉積不上金屬或沉積層的性能不佳;電流高于上限值,沉積層會(huì)出現(xiàn)“燒焦”或“燒黑”現(xiàn)象[7]。圖4為不同沉積電流下制備的Co-Pt-P薄膜的表面形貌。由圖4可知:當(dāng)沉積電流為0.06A時(shí),薄膜上晶粒較稀疏,不密實(shí);當(dāng)沉積電流為0.08A時(shí),薄膜上晶粒大小較為均勻、密集,薄膜厚度和應(yīng)力都處于最佳狀態(tài),沒有裂紋等現(xiàn)象出現(xiàn);當(dāng)沉積電流為0.10A時(shí),由于薄膜表面應(yīng)力較大,為了釋放應(yīng)力,薄膜中會(huì)形成新的微裂紋或使原來的裂紋擴(kuò)展,從而導(dǎo)致外層疏松膜逐漸形成。在質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3.5%的NaCl溶液中,Cl-可通過薄膜裂縫滲透到基底進(jìn)行腐蝕。
圖4 不同沉積電流下制備的Co-Pt-P薄膜的表面形貌
(1)采用電沉積技術(shù)在黃銅基體表面制備Co-Pt-P薄膜。當(dāng)沉積電流為0.08A時(shí),制備的薄膜平整、致密、光亮。
(2)在質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3.5%的NaCl溶液中,沉積電流為0.08A時(shí)制備的Co-Pt-P薄膜的自腐蝕電位為-0.156V,自腐蝕電流密度為1.259μA/cm2,具有較好的耐蝕性。
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