朱金輝 黃流興 牛勝利
(西北核技術(shù)研究所 西安 710024)
蒙特卡羅方法可用于超臨界系統(tǒng)的裂變增值模擬,大型蒙特卡羅模擬程序MCNP在反應(yīng)堆臨界分析計算中應(yīng)用廣泛[1?5]。對于超臨界系統(tǒng),由于其中子不斷增值,在進行蒙特卡羅中子輸運模擬時通常需用特殊的處理方法。在MCNP中,采用裂變驛站方法[6],通過增值系數(shù)作為校正因子以控制模擬中子數(shù)的增加,可計算給出系統(tǒng)的增值系數(shù)和中子平均去除時間等參數(shù)。在超臨界系統(tǒng)分析中,反映系統(tǒng)參數(shù)隨時間變化的增值時間常數(shù),是超臨界系統(tǒng)分析中的關(guān)鍵參數(shù),增值時間常數(shù)與增值系數(shù)的關(guān)系也受到重點關(guān)注[7]。為反映系統(tǒng)增值的時間特性而開發(fā)的能模擬中子g耦合輸運問題的粒子輸運蒙卡模擬程序TOPAN,其中子輸運模塊根據(jù)ENDF/B中子截面庫開發(fā),具備裂變驛站、時間驛站、粒子標(biāo)識等功能,可模擬超臨界系統(tǒng)中的中子輸運,給出超臨界系統(tǒng)的增值系數(shù)、增值時間常數(shù)等。
本文用TOPAN程序?qū)ΤR界系統(tǒng)進行模擬計算,給出系統(tǒng)的增值系數(shù)和中子平均去除時間,并與MCNP結(jié)果進行對比,驗證其超臨界系統(tǒng)計算準(zhǔn)確性和模擬鏈?zhǔn)椒磻?yīng)過程的可靠性。用TOPAN程序的時間驛站功能計算超臨界系統(tǒng)的增值時間常數(shù),并分析其與增值系數(shù)和平均裂變時間的關(guān)系。
TOPAN程序中,用裂變驛站法可由增值系數(shù)的直接定義算得系統(tǒng)的增值系數(shù)keff,即
其中Ni是第i代裂變產(chǎn)生的中子總數(shù)。在每一代裂變中子輸運過程中,裂變中子不再繼續(xù)輸運跟蹤,而是存儲為驛站源。在下一裂變代中子輸運前,將裂變驛站源抽樣得到中子輸運的源粒子。經(jīng)最初n代裂變中子輸運后,形成較為穩(wěn)定的中子分布參數(shù)。在后續(xù)裂變代的輸運中根據(jù)每一裂變代源中子的總權(quán)重和產(chǎn)生的裂變中子的總權(quán)重按式(1)給出系統(tǒng)增值系數(shù)keff。
本文用一個钚球(半徑r1=5 cm)外包一個鎢球殼反射層(半徑r2分別取5、10、15和20 cm)的簡單模型。用TOPAN程序和MCNP程序計算其特征值增值系數(shù)keff,結(jié)果見表1。計算給出的增值系數(shù)keff與MCNP程序基本一致,證明TOPAN程序在鏈?zhǔn)皆鲋捣磻?yīng)中子輸運模擬計算的可靠性。而有反射層的模型的增值系數(shù)明顯大于無反射層的模型,且增值系數(shù)隨著反射層厚度增加,但增值系數(shù)的增長速率隨反射層厚度的增加而變慢。
中子平均去除時間(逃逸、吸收或裂變)是超臨界系統(tǒng)分析中的重要參數(shù)。TOPAN程序中用式(2)統(tǒng)計平均去除時間。
其中We和Te為逃逸粒子的權(quán)重和時間,Wc和Tc為被吸收粒子的權(quán)重和時間,Wf和Tf為發(fā)生裂變反應(yīng)粒子的權(quán)重和時間,采用與§1相同的計算模型,計算給出的平均去除時間tr如表2所示。計算
表2 平均去除時間tr的計算結(jié)果*Table 2 The results of the prompt removal lifetime
得到的平均去除時間與MCNP程序計算結(jié)果相當(dāng),偏差小于 2%。同時的增加,平均去除時間隨反射層厚度迅速增加,可見反射層的存在使中子輸運和中子逃逸時間大大增加。
系統(tǒng)中子去除有三種途徑:逃逸、裂變和吸收,其中裂變發(fā)生的時間對系統(tǒng)增值的時間特性有直接影響。TOPAN程序可以求出三種不同去除途徑的平均時間及比例。定義平均逃逸時間平均逃逸時間te,平均裂變時間tf,平均吸收時間tc如下:
計算結(jié)果見表3。三種機制中,平均裂變時間tf最短。隨反射層厚度增加,平均逃逸時間和平均吸收時間迅速增加,逃逸的權(quán)重比則不斷減小。
表3 不同去除機制的平均時間計算結(jié)果(單位:ns)Table 3 The results of removal lifetime(in ns) for various reactions
對于一個超臨界系統(tǒng),系統(tǒng)增值時間常數(shù)反映其系統(tǒng)參數(shù)(如功率、中子數(shù))隨的時間變化。利用程序的時間驛站功能,可給出系統(tǒng)的增值時間常數(shù)l?;谇笆瞿P?,設(shè)14.06 MeV中子源位于系統(tǒng)中心,源強為8′105,取時間步長為 0.1 ns,粒子輸運到時間步結(jié)束時間時存儲為時間驛站源,在下一時間開始,從時間驛站源中抽樣得到一定數(shù)量的源粒子開始下一時間的輸運計算。由于r1=r2=5 cm的系統(tǒng)接近臨界,將其改為r1=r2=6 cm的模型,同時取r1=5 cm,r2分別為10、15和20 cm,計算得到系統(tǒng)的功率隨時間變化的關(guān)系如圖1(a),系統(tǒng)內(nèi)中子數(shù)隨時間的變化關(guān)系如圖1(b)。
圖1 系統(tǒng)功率(a)和中子總數(shù)(b)隨時間的變化Fig. 1 The system power (a) and neutron counts (b) as function of the time.
由圖1,經(jīng)過最初的時間0t(10–20 ns)后,系統(tǒng)的功率釋放和中子總數(shù)呈指數(shù)增長,即:
系統(tǒng)中的中子數(shù)隨時間的變化可表示為:
實際上,系統(tǒng)功率增值和中子增值的時間常數(shù)l值基本一致,計算給出的結(jié)果列于表4。
表4 超臨界系統(tǒng)增值相關(guān)參數(shù)計算結(jié)果Table 4 The multiplication parameters of the supercritical system.
顯然,超臨界系統(tǒng)的增值時間常數(shù)l與增值系數(shù)effk直接相關(guān)。為將上述系統(tǒng)的增值時間常數(shù)與其增值系數(shù)聯(lián)系起來,可先考慮一種理想情況,即一代裂變中子從產(chǎn)生到發(fā)生下一代裂變反應(yīng)的時間分布滿足單一負指數(shù)分布,即
則系統(tǒng)每過 1/時間,系統(tǒng)增值 exp(k?1)倍,則系統(tǒng)平均裂變時間和增值時間常數(shù)值及增值系數(shù)的關(guān)系為
上述分析表明,系統(tǒng)增值時間常數(shù)主要受增值系數(shù)keff和平均裂變時間的影響。然而,式(8)的前提條件—中子裂變時間分布為單一負指數(shù)分布—與實際情況并不相符,裂變發(fā)生的時間分布可近似表示為式(9)的多指數(shù)分布
為此可參照式(8),根據(jù)系統(tǒng)的增值時間常數(shù)和增值系數(shù)定義等效裂變時間為
計算給出的等效裂變時間列于表4。對于不帶反射層的系統(tǒng),其等效裂變時間與平均裂變時間相當(dāng),略小于系統(tǒng)的平均裂變時間;隨著放射層厚度的增加,平均裂變時間與等效裂變時間的差值逐漸增大。原因簡單分析如下:裂變發(fā)生時間分布式(9)中既有下降較快的快成分,也有下降較慢的慢成分;慢成分的裂變發(fā)生時間(正比于較?。┹^長,使平均裂變時間增加,而對系統(tǒng)增值貢獻(正比于)為較??;綜合起來分析,系統(tǒng)的平均裂變時間大于等效裂變時間;對于具有較厚反射層的系統(tǒng),其慢成分的發(fā)生時間可能長達數(shù)百ns甚至幾個μs,大大增加了系統(tǒng)的平均裂變時間,從而使系統(tǒng)的平均裂變時間和等效裂變時間差值變得較大。
表4數(shù)據(jù)還表明,并不一定增值系數(shù)keff大的系統(tǒng)其系統(tǒng)功率的增值速度就越大,分析計算時還應(yīng)考慮平均裂變時間對系統(tǒng)功率增值的影響。
本文建立的蒙卡程序能夠有效用于超臨界系統(tǒng)中子輸運模擬,能夠給出系統(tǒng)增值系統(tǒng)、增值時間常數(shù)等參數(shù)。對于超臨界系統(tǒng),其系統(tǒng)增值時間常數(shù)除和增值系數(shù)keff有關(guān)以外,還主要受平均裂變時間的影響。實際超臨界系統(tǒng)中的等效裂變時間一般小于平均裂變時間,隨著反射層厚度增加,兩者差別隨之增大。
本文的計算方法可用于超臨界系統(tǒng)增值反應(yīng)相關(guān)時間特性分析,對反應(yīng)堆啟動和脈沖堆運行等具有一定的理論意義和應(yīng)用價值。
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7 邱有恒, 李茂生, 鄧力, 次臨界系統(tǒng)中a本征值與k本征值的關(guān)系[J], 清華大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版), 2007,47(S1): 967-971 QIU Youheng, LI Maosheng, DENG Li, Relation ship between theaeigenvalue and thekeigenvalue in subcritical systems[J], J Tsinghua Univ (Sci & Tech) ,2007, 47(S1): 967-971