近日，擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT?公司(Integrated Device Technology,Inc.;NASDAQ:IDTI)宣布推出全球首款針對(duì)高性能通信、消費(fèi)、云和工業(yè)應(yīng)用的CrystalFreeTM壓電MEMS(pMEMSTM)LVDS/LVPECL振蕩器。IDT的新型振蕩器可在緊湊業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)封裝中以遠(yuǎn)低于1 ps的相位抖動(dòng)運(yùn)行，使其成為傳統(tǒng)六管腳晶體振蕩器（XO）的理想替代。

IDT的4M系列高性能LVDS/LVPECL振蕩器利用IDT擁有專利的CrystalFree pMEMS諧振器技術(shù)，讓IDT能夠迅速在出廠時(shí)編程所需的輸出頻率，無(wú)需微調(diào)昂貴的晶體。此外，由于pMEMS的本征諧振頻率遠(yuǎn)高于石英晶體，4M振蕩器能夠以更低的成本實(shí)現(xiàn)更高的頻率而無(wú)需損耗關(guān)鍵性能。

IDT公司副總裁兼計(jì)時(shí)與同步部門總經(jīng)理Fred Zust表示：“作為計(jì)時(shí)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，我們的客戶一直期望IDT的pMEMS技術(shù)能夠擴(kuò)展至通信這樣的高性能應(yīng)用，通信是40億美元的頻率控制市場(chǎng)的重要細(xì)分市場(chǎng)。IDT專利的pMEMS諧振器技術(shù)將壓電材料的強(qiáng)機(jī)電耦合與單晶硅的穩(wěn)定性和低阻尼相結(jié)合，允許我們憑借無(wú)與倫比的性能和可靠性實(shí)現(xiàn)便利且具有成本效益的XO替代。這些產(chǎn)品與我們屢獲殊榮的固態(tài)振蕩器相得益彰，可提供完整的頻率控制產(chǎn)品組合，從而在不斷增加的細(xì)分市場(chǎng)中替代石英器件。”

IDT的4M振蕩器可在-40℃～+85℃的寬泛工業(yè)溫度范圍內(nèi)以±50 ppm的頻率精度運(yùn)行。器件支持低壓差分信號(hào)（LVDS）和低電壓正發(fā)射極耦合邏輯（LVPECL），頻率高達(dá)625 MHz，可滿足大多數(shù)通信、網(wǎng)絡(luò)和高性能計(jì)算應(yīng)用的嚴(yán)格要求。除了 7.0 mm×5.0 mm （7050）尺寸，IDT的 pMEMS振蕩器還提供 5.0 mm×3.2 mm(5032)小型標(biāo)準(zhǔn)塑料封裝，可節(jié)省成本并在高密度的應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⒎庋b尺寸降至最低。與傳統(tǒng)的XO管腳兼容，成為理想的升級(jí)替代解決方案。

欲了解 IDT CrystalFree pMEMS振蕩器的更多信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)：www.idt.com/go/MEMS。

(IDT公司供稿)