劉曉睿，強(qiáng)天鵬，鄔冠華，孫忠波，肖 雄，鄭 凱

（1.南昌航空大學(xué) 無(wú)損檢測(cè)技術(shù)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，南昌 330063；2.江蘇省特種設(shè)備安全監(jiān)督檢驗(yàn)研究院，南京 210003；3.天津誠(chéng)信達(dá)金屬檢測(cè)有限公司，天津 300384；4.江蘇中特創(chuàng)業(yè)設(shè)備檢測(cè)有限公司，南京 210014）

1 相控陣聚焦原理

聲束偏轉(zhuǎn)和聚焦是超聲相控陣區(qū)別于常規(guī)超聲的兩個(gè)重要特性。所謂“聲束聚焦”是指由于各個(gè)晶片距離焦點(diǎn)的聲程不同，通過(guò)延時(shí)法則改變晶片的激發(fā)時(shí)間——距離焦點(diǎn)遠(yuǎn)的晶片先發(fā)射信號(hào)，距離焦點(diǎn)近的晶片后發(fā)射信號(hào)——可使各個(gè)晶片發(fā)射的信號(hào)同時(shí)到達(dá)焦點(diǎn)，在一個(gè)小區(qū)域形成一個(gè)高強(qiáng)度聲場(chǎng)。假設(shè)晶片間的距離為p，聚焦深度為F，介質(zhì)中的聲速為c，則各個(gè)晶片的延時(shí)時(shí)間為：

式中n為晶片序號(hào)；t0是為了防止出現(xiàn)一個(gè)負(fù)的延時(shí)時(shí)間而設(shè)置的時(shí)間常數(shù)。

2 無(wú)楔塊條件下相控陣聚焦能力測(cè)試

試驗(yàn)使用的儀器是Olympus公司的OmniScan MX 32：128便攜式相控陣檢測(cè)儀，利用TomoView軟件作數(shù)據(jù)判讀。采用的探頭是5L64A2，共有64個(gè)晶片，晶片間的距離（pitch）為0.6mm。采用的試塊是ASTM E2491—2008《相控陣超聲波檢查儀和系統(tǒng)工作特性評(píng)定指南》標(biāo)準(zhǔn)附錄中的圖A1.1所示的試塊，試塊中橫孔為φ2mm×25mm，相鄰孔深度和水平間距均為5mm。試驗(yàn)激發(fā)的晶片數(shù)為8，16，32個(gè)，設(shè)置的聚焦法則為：聚焦深度10，30，50，100，150和200mm。

試驗(yàn)條件基于ASTM E2491標(biāo)準(zhǔn)的附錄1，測(cè)試相控陣的偏轉(zhuǎn)和聚焦能力，在掃查上使用帶編碼器線掃。試塊及掃查示意見(jiàn)圖1。

采用不同激發(fā)晶片數(shù)和不同聚焦深度，得到的回波信號(hào)聚焦情況見(jiàn)圖2～4。

在Tomoview軟件中以－6dB的方式對(duì)孔徑進(jìn)行測(cè)量，對(duì)于那些由于深度較淺或者波幅較低，用6dB法無(wú)法準(zhǔn)確測(cè)量的結(jié)果，用“不可分辨”表示。各個(gè)掃查圖像測(cè)量后結(jié)果見(jiàn)表1～3。

超聲波束聚焦特性與近場(chǎng)有關(guān)，分析相控陣聚焦特性就需要知道其近場(chǎng)長(zhǎng)度。相控陣探頭晶片陣列為矩形，其近場(chǎng)長(zhǎng)度由下式給出［1］：

表1 激發(fā)8晶片時(shí)在不同聚焦深度下不同孔深的測(cè)量孔徑

表2 激發(fā)16晶片時(shí)在不同聚焦深度下不同孔深的測(cè)量孔徑

式中 k矩形——近場(chǎng)修正系數(shù)（圖5）；

L——探頭長(zhǎng)度，mm；

W——探頭寬度，mm；

f——頻率，MHz；

v——試件聲速，mm／μs。

圖5 矩形探頭的近場(chǎng)修正系數(shù)

表3 激發(fā)32晶片時(shí)在不同聚焦深度下不同孔深的測(cè)量孔徑

根據(jù)公式計(jì)算激發(fā)8，16和32個(gè)晶片時(shí)近場(chǎng)區(qū)長(zhǎng)度，分別為5.19，28.39，79mm。

表4將試驗(yàn)中測(cè)得的最小孔徑數(shù)值記為“實(shí)測(cè)焦點(diǎn)尺寸”；將測(cè)量孔徑值不大于2倍實(shí)際孔徑（即≤4mm）的聲程范圍記在“有效聚焦范圍”的括號(hào)前，將測(cè)量孔徑值不大于3倍實(shí)際孔徑（即≤6mm）的聲程范圍記在“有效聚焦范圍”的括號(hào)內(nèi)，將以上各表檢測(cè)結(jié)果總結(jié)后得到表4。

表4 不裝楔塊情況下相控陣聚焦能力測(cè)試結(jié)果

由聚焦聲束焦點(diǎn)處的聲壓公式P＝πNP0／F（其中P為焦點(diǎn)處聲壓；N為近場(chǎng)區(qū)長(zhǎng)度；P0為波源處聲壓；F為焦距）?？芍?，在大于近場(chǎng)區(qū)長(zhǎng)度N的深度無(wú)法聚焦。上面的分析結(jié)果與相控陣探頭的聚焦試驗(yàn)結(jié)果相符，即聚焦只能發(fā)生在孔徑的近場(chǎng)區(qū)內(nèi)。

從表4中可以看出，實(shí)測(cè)最小焦點(diǎn)的深度與設(shè)置的聚焦深度并不一致，實(shí)測(cè)最小焦點(diǎn)的深度總是小于設(shè)置的聚焦深度。但是實(shí)測(cè)有效聚焦范圍（即測(cè)量孔徑值不大于2倍實(shí)際孔徑的聲程范圍）與設(shè)置的聚焦深度是一致的。因此應(yīng)用相控陣聚焦特性時(shí)，不應(yīng)以最小焦點(diǎn)的深度值，而應(yīng)以有效聚焦范圍作為聚焦深度（焦距）指標(biāo)。

從表1～4的數(shù)據(jù)可以看出，如果用最小焦點(diǎn)尺寸、有效聚焦范圍、有效聚焦的深度范圍3項(xiàng)指標(biāo)衡量相控陣聚焦特性，則激發(fā)晶片數(shù)量越多，聚焦特性越好。

（1）最小焦點(diǎn)尺寸 該尺寸隨激發(fā)晶片數(shù)量的增加而減小。激發(fā)8晶片的最小焦點(diǎn)為1.5mm；16晶片的最小焦點(diǎn)為1.4mm；32晶片的最小焦點(diǎn)為0.8mm。

（2）有效聚焦范圍 該范圍隨激發(fā)晶片數(shù)量的增加而增大。激發(fā)8晶片的有效聚焦范圍約為10（20）mm；16晶片的有效聚焦范圍約為10～35（10～50）mm；32晶片的有效聚焦范圍約為10～35（10～60）mm。

（3）有效聚焦的深度（焦距）該距離隨激發(fā)晶片數(shù)量的增加而增大。激發(fā)8晶片的有效聚焦深度范圍約為5～15（5～25）mm；16晶片的有效聚焦深度范圍約為10～50（5～55）mm；32晶片的有效聚焦范圍約為10～85（5～105）mm。

從表1～3的數(shù)據(jù)可以看出，激發(fā)晶片數(shù)量增加對(duì)近表面區(qū)域聚焦有不利影響。僅在激發(fā)8晶片時(shí)，可實(shí)現(xiàn)深度5mm孔的聚焦，而其他大都無(wú)法識(shí)別。為了實(shí)現(xiàn)近表面區(qū)域的聚焦，應(yīng)在設(shè)置小聚焦深度的同時(shí)減少激發(fā)晶片的數(shù)量。

從表4中可以看出，晶片數(shù)量不變的情況下，設(shè)置的聚焦深度越小，實(shí)測(cè)焦點(diǎn)尺寸也越小，但有效聚焦的深度范圍同時(shí)減小，且有效聚焦的深度范圍以外的聲場(chǎng)發(fā)散度增大。為保證足夠大的有效聚焦范圍，聚焦深度不宜設(shè)置過(guò)小。另一方面，如果設(shè)置的聚焦深度超過(guò)近場(chǎng)，相控陣聲場(chǎng)的聚焦效果將變得不明顯。

3 結(jié)論

（1）試驗(yàn)表明，不加裝楔塊的相控陣縱波聲場(chǎng)，在近場(chǎng)區(qū)內(nèi)表現(xiàn)出了明顯聚焦的現(xiàn)象；在超過(guò)近場(chǎng)區(qū)長(zhǎng)度的地方，無(wú)法實(shí)現(xiàn)聚焦。

（2）隨著激發(fā)晶片數(shù)量的增加，相控陣聲場(chǎng)的聚焦能力變強(qiáng)，有效聚焦范圍變大，有效聚焦深度也變大。

（3）在近場(chǎng)區(qū)內(nèi)，焦點(diǎn)尺寸隨設(shè)置的聚焦深度的增加而增大。

（4）晶片數(shù)量增加對(duì)近表面區(qū)域聚焦不利，欲實(shí)現(xiàn)近表面區(qū)域聚焦，應(yīng)采用較少晶片數(shù)量。

［1］Michael D，Moles C.Introduction to Phased Array Ultrasonic Technology Applications［M］.Quebec：Olympus，2004：50－51.