童長青, 成來飛, 劉永勝, 張立同
(1.龍巖學(xué)院化學(xué)與材料學(xué)院,福建龍巖364000;2.西北工業(yè)大學(xué)超高溫結(jié)構(gòu)復(fù)合材料國防科技重點實驗室,西安 710072)
高超聲速飛行器對具有更長壽命、耐更高溫度的C/SiC復(fù)合材料提出了需求。為了適應(yīng)這些需求,可以對C/SiC基體進(jìn)行改性。目前,國內(nèi)外都在積極探索各種基體改性的方法[1]。通常在基體中引入含硼物質(zhì)(如:B,B4C,SiB6,Si-B-C 等)進(jìn)行自愈合改性延長其使用壽命[2,3],引入難熔金屬碳化物或硼化物提高其使用溫度[4~7]。王其坤等[8]用先驅(qū)體浸漬熱解(PIP)法在碳布上涂刷含ZrB2的漿料,模壓后反復(fù)PIP致密化制備2D C/SiC-ZrB2復(fù)合材料,提高了C/SiC復(fù)合材料的抗燒蝕性能。但制備材料時,由于ZrB2熱膨脹系數(shù)較大,僅用PIP工藝對纖維損傷較大[9,10]。在化學(xué)氣相沉積制備C/SiC過程中引入ZrB2,是否也能提高其使用溫度是需要研究的課題。
本研究利用漿料浸漬法在多孔2D C/SiC引入ZrB2微粉后,采用液態(tài)聚碳硅烷浸漬-裂解,再結(jié)合化學(xué)氣相滲透(chemical vapor infiltration,CVI)法進(jìn)一步致密化,制備2D C/SiC-ZrB2復(fù)合材料,研究其在氧-乙炔焰和1800℃甲烷風(fēng)洞環(huán)境中的燒蝕行為。
以T300碳布(絲束為1K)為原料,經(jīng)疊層后,用CVI法制備0.2μm左右的碳界面層,在1000℃下,采用CVI SiC制得孔隙率為18% ~23%多孔C/SiC,加工成尺寸為φ100mm×3mm和3mm×10mm×20mm兩種試樣,浸漬20vol% 的ZrB2漿料后,用液態(tài)聚碳硅烷(廈門大學(xué)合成)重復(fù)5次浸漬-裂解(900 ℃)-熱處理(1400 ℃),CVI SiC 80h,制得2D C/SiC-ZrB2復(fù)合材料,具體過程參見文獻(xiàn)[11]。制得復(fù)合材料的開氣孔率為7.5%,彎曲強(qiáng)度為423MPa。
氧-乙炔燒蝕實驗按國軍標(biāo)GJB323A—1996要求進(jìn)行:氧氣壓力為0.4MPa,流量為1.512m3/h,乙炔壓力為0.095MPa,流量為1.116m3/h,噴嘴直徑為2mm,槍口到試樣燒蝕表面中心的距離為10mm,熱流密度(4186.8±418.68)kW/m2。燒蝕時間20s。試樣冷卻后,測量試樣的線燒蝕率和質(zhì)量燒蝕率。為取得統(tǒng)計平均值,每個實驗點均用5個燒蝕試樣。
實驗中采用氧氣壓力為 1.09MPa,流量為4.12g/s,甲烷壓力為 1.80MPa,流量為 0.8g/s,噴嘴直徑為40mm,槍口到試樣燒蝕表面中心的距離為50mm,火焰溫度為1800℃,燒蝕時間為30min。試樣冷卻后,測量試樣的質(zhì)量燒蝕率。
采用阿基米德排水法測量復(fù)合材料的開氣孔率。采用日本理學(xué)Rigaku D/max-2400多晶X射線衍射儀進(jìn)行物相分析,測試采用Cu Kα輻射,掃描速率為4°/min,步長為 0.02°,掃描角度為 15 ~ 75°。采用S4700型掃描電子顯微鏡分析材料的顯微結(jié)構(gòu)。
2.1.1 燒蝕性能
2D C/SiC-ZrB2在氧-乙炔焰中燒蝕20s后的線燒蝕率和質(zhì)量燒蝕率分別為6.1×10-2mm/s和1.0×10-2g/s,而僅采用CVI法制備致密C/SiC的線燒蝕率和質(zhì)量燒蝕率分別為2.3×10-2mm/s和9.1 ×10-3g/s[12]。實驗結(jié)果表明,用 ZrB2微粉對2D C/SiC基體進(jìn)行改性并不能有效改善復(fù)合材料在氧-乙炔焰中的燒蝕性能。王其坤等制備的2D C/SiCZrB2在氧-乙炔焰中燒蝕30s后的線燒蝕率和質(zhì)量燒蝕率分別為 1.5 ×10-2mm/s和 5 ×10-3g/s[8],表明其有更好的燒蝕性能,可能有兩方面的原因:一是采用涂刷法在試樣表層引入了更多的ZrB2;二是在氧-乙炔焰中氣流波動較大,燒蝕時間不同,溫度產(chǎn)生了波動。
2.1.2 燒蝕機(jī)理
圖1為2D C/SiC-ZrB2在氧-乙炔焰燒蝕20s后的表面形貌。從圖1可以看出,其形貌可分成三個區(qū)域:燒蝕中心區(qū)、燒蝕中心與邊緣過渡區(qū)、燒蝕邊緣區(qū),每個區(qū)域形貌不同。以下分別進(jìn)行討論。
圖1 C/SiC-ZrB2復(fù)合材料在氧-乙炔焰燒蝕20s后表面形貌 (a)宏觀形貌;(b)燒蝕中心;(c)束間基體;(d)束內(nèi)纖維;(e),(f)過渡區(qū)Fig.1 Morphology of the surface of 2D C/SiC-ZrB2ablated for 20s with an oxyacetylene flame (a)macro morphology;(b)ablation centre;(c)inter-bundle matrix;(d)intra-bundle fibre;(e),(f)transition region
(1)燒蝕中心區(qū)
在這區(qū)域主要以熱物理燒蝕和機(jī)械沖刷為主。在火焰最中心處存在一個明顯的層狀燒蝕坑,在纖維束間存在液滴狀物質(zhì)(圖1b),同時,纖維表面也存在大量小球狀物質(zhì)(圖1d)。能譜分析表明,液滴狀物質(zhì)主要由Zr,Si,O三種元素組成。從ZrB2氧化反應(yīng)機(jī)理可知,其化學(xué)反應(yīng)式為:
其中 ZrB2熔點為3200℃,ZrO2熔點為2700℃,而B2O3熔點為450℃,且具有較高的蒸氣壓,在高溫時容易揮發(fā)[13]。在火焰中心,材料表面最高溫度約3000℃,導(dǎo)致ZrB2氧化后在試樣表面殘存的產(chǎn)物主要為ZrO2。對于SiC基體,其熔點為2380℃,升華溫度為2700℃。盡管SiC處于升華狀態(tài),但在液態(tài)ZrO2的保護(hù)下,部分SiC氧化成SiO2。結(jié)合試樣燒蝕后表面XRD分析(圖2)可知,試樣表面主要物相有ZrO2,SiC,ZrB2和C,可以推測液滴狀物質(zhì)主要為ZrO2和SiO2混合物。結(jié)構(gòu)縫隙理論和實驗研究表明[14],在結(jié)構(gòu)縫隙的內(nèi)部,其熱流要遠(yuǎn)低于外部的熱流,導(dǎo)致液態(tài)ZrO2-SiO2并沒有完全被沖刷。纖維表面存在大量的小液滴表明,液態(tài)ZrO2-SiO2纖維的潤濕差,冷卻后收縮成液滴狀。
圖2 C/SiC-ZrB2復(fù)合材料在氧-乙炔焰燒蝕后表面XRD圖Fig.2 XRD pattern of the surface of 2D C/SiC-ZrB2 ablated with an oxyacetylene flame
在燒蝕坑外,試樣表面纖維束間覆蓋了一種白色多孔網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的物質(zhì)(圖1c)。能譜分析表明,纖維束間基體主要由 Zr,Si,O,C,B 元素組成,結(jié)合XRD可知,纖維束間基體的主要物相為ZrO2,同時還存在少量的ZrB2和SiC。形成多孔網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)主要有三方面原因:一是PIP致密化得到的基體還存在許多微小的閉氣孔,采用CVI進(jìn)一步致密化時,氣體無法滲入,導(dǎo)致纖維束間基體不完全致密;二是
ZrB2氧化生成的B2O3具有較大的蒸氣壓,它會向外逸出;三是從ZrO2-SiO2二元相圖[15]可知,盡管氧化生成的ZrO2-SiO2混合物中,ZrO2含量越高,熔點越高,但液態(tài)ZrO2-SiO2與C潤濕性差,易被燃?xì)饬鞔底?。另外,這種白色物質(zhì)與試樣的結(jié)合力差,容易產(chǎn)生剝落(圖1a右下角)。ZrO2在不同的溫度下具有三種同質(zhì)異形體,即單斜相(m-ZrO2)、四方相(t-ZrO2)和立方相(c-ZrO2),密度分別為5.65g/cm3,6.10g/cm3和6.27g/cm3。在不同溫度下出現(xiàn)晶型轉(zhuǎn)變:
ZrO2冷卻過程中體積膨脹[16],且ZrO2與C纖維及SiC基體存在熱膨脹系數(shù)失配,導(dǎo)致燒蝕后表面白色物質(zhì)容易剝落。
從以上分析可知,SiC-ZrB2基體不致密,在燒蝕過程中對碳纖維無法形成有效保護(hù),是導(dǎo)致2D C/SiC-ZrB2燒蝕性能比C/SiC差的主要原因。
(2)燒蝕中心與邊緣過渡區(qū)
與燒蝕中心區(qū)相比材料表面溫度和受沖刷程度有所降低,材料的燒蝕機(jī)制也由燒蝕中心的升華燒蝕轉(zhuǎn)變?yōu)橐詿嵫趸蜎_刷燒蝕為主。在靠近火焰中心一側(cè)存在較多液滴狀物質(zhì)(圖1f)。
(3)燒蝕邊緣區(qū)
試樣的溫度和壓力最低,導(dǎo)致燒蝕程度最低。從圖1e左上角中可以看出,由于試樣表層沉積了SiC涂層,在此區(qū)域內(nèi)幾乎沒有發(fā)生燒蝕現(xiàn)象,只附著了少量從試樣中心沖刷出的氧化物。
2.2.1 燒蝕性能
表1為C/SiC-ZrB2和沉積不同時間的C/SiC復(fù)合材料在1800℃甲烷風(fēng)洞環(huán)境中燒蝕30min后的質(zhì)量燒蝕率。其中C/SiC-I,C/SiC-II分別為多孔C/SiC再CVI SiC致密化兩次和三次(每次CVI時間為80h)制備的C/SiC復(fù)合材料。從表1可以看出,C/SiC-ZrB2的質(zhì)量燒蝕率最高,而C/SiC-II的質(zhì)量燒蝕率最低。對于C/SiC復(fù)合材料,孔隙率越大,質(zhì)量燒蝕率也越大。
2.2.2 燒蝕機(jī)理
在1800℃甲烷風(fēng)洞中燒蝕30min后,各試樣表面涂層具有相似的形貌。圖3為 C/SiC-ZrB2在1800℃燒蝕30min后的形貌。從圖3可以看出,燒蝕對涂層影響不大,但存在液態(tài)物質(zhì)及細(xì)小的孔洞。從XRD分析結(jié)果可知(圖4),氧化產(chǎn)物為晶態(tài)SiO2。從試樣斷面形貌可見,部分纖維被氧化。
表1 不同復(fù)合材料在1800℃甲烷風(fēng)洞環(huán)境的燒蝕性能
Table 1 Ablation properties of different specimens under 1800℃methane combustion wind tunnel
Specimen Porosity/% Density/(g·cm-3) Mass ablation rate/(10-5g·min-1)C/SiC-ZrB2 C/SiC-I C/SiC-II 7.5 13.9 12.9 2.3 2.04 2.13 21.33 3.00 1.78
圖3C/SiC-ZrB2在1800℃燒蝕30min后形貌 (a),(b)表面涂層;(c),(d)斷面Fig.3 SEM of C/SiC-ZrB2composite after ablation at 1800℃for 30min (a)surface coating;(b)surface coating;(c)cross section;(d)cross section
圖4 C/SiC-ZrB2復(fù)合材料在1800℃燒蝕30min后表面XRD圖Fig.4 XRD of the coating of C/SiC-ZrB2composite after ablation at 1800℃for 30min
在1800℃甲烷風(fēng)洞環(huán)境中,試樣表面SiC涂層直接暴露在燃?xì)庵校跓g過程SiC涂層與燃?xì)庵械腛2和 H2O 產(chǎn)生一系列復(fù)雜反應(yīng),主要有[17~20]:
雖然SiC生成液態(tài)SiO2產(chǎn)生增重,但液態(tài)SiO2轉(zhuǎn)變成氣態(tài)物質(zhì)以及少量碳纖維氧化產(chǎn)生失重,導(dǎo)致C/SiC-II質(zhì)量燒蝕率很小。對于C/SiC-ZrB2復(fù)合材料,試樣內(nèi)部的ZrB2基本不產(chǎn)生氧化[21,22]。涂層的缺陷使復(fù)合材料的開氣隙率成為試樣內(nèi)部碳相氧化的控制因素,開氣孔率越大,碳相越容易被氧化,試樣質(zhì)量燒蝕率也就越大。
為了進(jìn)一步了解涂層缺陷和孔隙率對質(zhì)量燒蝕率的影響,將多孔C/SiC滲入ZrB2漿料后直接CVI SiC致密化二次(每次CVI時間為80h),其沉積主要在試樣表層,制得復(fù)合材料的孔隙率為16.2%,其質(zhì)量燒蝕率為3.78×10-5g/min,僅比C/SiC-I的質(zhì)量燒蝕率略大。微觀結(jié)構(gòu)表明,各種涂層表層單位面積上裂紋長度、寬度基本相同,增加沉積次數(shù),涂層厚度(層數(shù))增加,在燒蝕過程中增加了燒蝕氣氛的擴(kuò)展路徑。實驗結(jié)果表明,在1800℃甲烷風(fēng)洞燒蝕環(huán)境中,表面涂層的致密度對復(fù)合材料的質(zhì)量燒蝕率起著主要作用,涂層致密度基本相同時,復(fù)合材料開氣孔隙率越大,質(zhì)量燒蝕率也越大。
(1)用ZrB2微粉,采用化學(xué)氣相滲透結(jié)合漿料浸漬及先驅(qū)體浸漬裂解工藝對2D C/SiC基體進(jìn)行改性,不能有效提高C/SiC復(fù)合材料在氧-乙炔焰及1800℃甲烷風(fēng)洞環(huán)境中的抗燒蝕性能。
(2)在氧-乙炔焰中,2D C/SiC-ZrB2復(fù)合材料燒蝕后,纖維束間基體呈多孔狀,氧化生成的液態(tài)ZrO2-SiO2與纖維的潤濕性差。
(3)在1800℃甲烷風(fēng)洞中,表面涂層的致密度對質(zhì)量燒蝕率起主要作用,涂層致密度相同時,復(fù)合材料的開氣孔率越大,質(zhì)量燒蝕率越大。
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