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對人工合成金剛石的三階非線性光學(xué)極化率的研究

2012-07-06 03:10趙建勛蔣大勇梁慶成秦杰明
科技視界 2012年30期
關(guān)鍵詞:鎖相克爾三階

趙建勛 蔣大勇 高 尚 梁慶成 秦杰明

(長春理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院 吉林 長春 130022)

0 引言

金剛石是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,其禁帶寬度為5.5eV[1]。人們研究發(fā)現(xiàn)金剛石具有很多優(yōu)秀的光學(xué)和電學(xué)性質(zhì),如高擊穿電場(~107V/cm)、高載流子遷移率(~0.2m2(V·s ))、高熱導(dǎo)率(~20W(cm·K))[2]、高電阻率(~1016Ω·cm )和低的介電常數(shù)(5.66)[3]。 金剛石對從 225nm 到遠(yuǎn)紅外波段的光有很好的透明性。

金剛石屬于m3m點(diǎn)群,具有反演對稱中心。根據(jù)電偶極矩近似理論,金剛石不能產(chǎn)生二階非線性光學(xué)效應(yīng),三階非線性光學(xué)效應(yīng)是金剛石最主要的非線性光學(xué)效應(yīng)。為了利用金剛石的三階非線性光學(xué)效應(yīng),其三階非線性光學(xué)極化率的測量是必需的,然而很少見到相關(guān)的報(bào)道。Anastassakis等在Ⅱ型金剛石中觀察到了克爾效應(yīng)[4],他們把雙折射晶體放在兩個正交的偏振片之間,測量由克爾效應(yīng)產(chǎn)生的相位差,得到克爾系數(shù),然而這種方法的誤差很大。Arva通過緊束縛軌道模型計(jì)算了三階非線性光學(xué)極化率[5]。Levenson采用混頻法研究了合成金剛石和天然金剛石的三階非線性光學(xué)極化率色散性質(zhì)[6],該方法使用的設(shè)備復(fù)雜且昂貴。

我們基于克爾效應(yīng)理論和橫向電光調(diào)制系統(tǒng),測量了人工合成的Ⅰ型金剛石的三階非線性光學(xué)極化率張量的元素。該方法所需設(shè)備簡單,測量過程簡單,同時具有較高的測量精度。

金剛石屬于立方晶系,其折射率是各向同性的。沒有外加電場時,金剛石的折射率橢球是球型;如果在金剛石上外加電場,其對稱性將降低,并變?yōu)殡p折射晶體。折射率的變化量正比于外加電場強(qiáng)度的平方。當(dāng)外加電場沿著金剛石晶體的[111]晶向,金剛石成為了單軸晶體,[111]晶向是其光軸。

1 實(shí)驗(yàn)方案

圖1 實(shí)驗(yàn)中使用的金剛石外形圖

理想的金剛石晶體外形為立方八面體,如圖1(a)所示。實(shí)驗(yàn)中使用的金剛石樣品為鄭州中南杰特有限公司提供。如圖1(b)所示,樣品是不規(guī)則的立方八面體外形,包括八個六邊形晶面和六個四邊形晶面。六邊形晶面為{111}面,四邊形晶面為{100}面。相對的六邊形(四邊形)晶面互相平行。純凈的金剛石晶體是透明無色的,在實(shí)驗(yàn)中,使用的是非故意摻雜的Ⅰ型金剛石。因?yàn)闃悠穬?nèi)含有一定量的氮,所以樣品呈現(xiàn)黃色。盡管樣品不是純凈的,樣品的電阻率仍然很好(~108Ω·cm),室溫下載流子濃度只有3×107cm-3。因此載流子效應(yīng)可以忽略。

當(dāng)調(diào)制電場E=E0cos(ωt)沿著[111]晶向作用在金剛石樣品上,根據(jù)克爾效應(yīng)的理論,沿著光軸([111]晶向),取[111]晶向?yàn)橹苯亲鴺?biāo)系中的z軸,可由下式表示,

式中Sij是克爾系數(shù),n0是無外加電場時金剛石的折射率,E0是外加電場強(qiáng)度。根據(jù)克爾系數(shù)與三階非線性光學(xué)極化率張量之間的關(guān)系,式(1)可寫為

當(dāng)光垂直于外加電場是,可以獲得最大的相位延遲

式中L是在外加電場作用下樣品中的光程,λ是探測光在真空中的波長。由于金剛石是硬度最高的材料,將金剛石處理成所需要的外形是很困難的。因此基于金剛石樣品的外形,我們選擇[111ˉ]軸為探測光的傳播方向,[111ˉ ]軸與光軸的夾角為 θ=70.53°,于是在(111ˉ)面內(nèi)的 o 光和e光的折射率分別為

所以,o光和e光的相位差為

2 實(shí)驗(yàn)過程

樣品被固定在兩個鋼質(zhì)電極之間,為了避免在電極與樣品之間有空氣隙,把軟金屬銦夾在了電極和樣品中間。電極和相對的(111)面接觸,為了避免放電,使用絕緣膠將電極包裹好。電極與樣品的接觸面略小于樣品表面。把樣品和電極安裝在一個中心有孔的絕緣板上,探測光將可通過該孔和樣品。實(shí)驗(yàn)中的電極結(jié)構(gòu)(如圖2所示)。在實(shí)驗(yàn)中,需要在樣品上外加很高的交流電壓,因此低頻信號發(fā)生器的輸出送入音頻功率放大器中,用來產(chǎn)生更高功率的信號,這一個高功率的信號再通過變壓器轉(zhuǎn)變?yōu)樾枰慕涣麟妷骸?/p>

圖2 電極結(jié)構(gòu)的俯視圖

圖3 實(shí)驗(yàn)中使用的橫向電光調(diào)制系統(tǒng)裝置圖

實(shí)驗(yàn)中我們搭建了一個橫向電光調(diào)制系統(tǒng),如圖3所示,采用波長為650nm的連續(xù)波激光二極管作為光源,以硅光電探測器接收探測光束。[111ˉ]軸設(shè)置在水平方向。取空間豎直方向?yàn)閥′軸,起偏器的偏振方向與y′軸成45°,檢偏器的偏振方向與起偏器的偏振方向互相垂直,四分之一波片的快軸平行于y′軸,透鏡1把光束聚焦到樣品上,從樣品射出的光經(jīng)過透鏡2轉(zhuǎn)變?yōu)槠叫泄狻M哥R1和透鏡2都為長焦距透鏡,因而樣品內(nèi)的光束仍然可以被看做是平行光。從檢偏器輸出光束的光強(qiáng)經(jīng)瓊斯矩陣計(jì)算為

式中Iin是入射光的光強(qiáng),Δ?是式(7)表示的相位差。通常Δ?遠(yuǎn)小于1,因此式(8)可表示為

設(shè)調(diào)制電壓為V=V0cosωt,將該調(diào)制電壓加載在樣品上,d是電極之間的距離,所以外加電場強(qiáng)度可表示為E0=Vd=V0(cosωt)d,這樣式(9)可變?yōu)?/p>

從式(10)可以看出,輸出光束包括了直流成分和交流成分,其中直流成分不可被鎖相放大器探測到,交流成分可以被鎖相放大器探測到。當(dāng)沒有調(diào)制電壓加在樣品上時,輸出光強(qiáng)為I1=Iin2,斬波扇以284Hz將探測光束變?yōu)椴贿B續(xù)的光束,硅光電探測器與鎖相放大器相連,測得的光電信號為U1=MI1=MIin2=45.9mV,式中M為光學(xué)元件和鎖相放大器、光電探測器的響應(yīng)度有關(guān)的因子。被光電探測器接收的光信號是方波,它可以被表示成傅里葉級數(shù)形式,然而鎖相放大器只能探測基頻的正弦信號,因此應(yīng)考慮引入修正因子2π[7],

然后,移去斬波扇,把頻率為142Hz的調(diào)制電壓加在樣品上。鎖相放大器的參考信號平率設(shè)定在調(diào)制電壓的兩倍,這樣就可以探測到交流信號(2ω),探測到光電信號U2可以表示為

從式(11)和式(12)可以得到 U2U1的表達(dá)式為

U2U1與V0之間的關(guān)系可以通過改變調(diào)制電壓的幅度來測量,如圖4所示。測量結(jié)果表明,兩者之間是很好的二次函數(shù)關(guān)系。從擬合函數(shù)得到二次項(xiàng)系數(shù)為

使用游標(biāo)卡尺測得電極之間的距離為1.95mm,樣品中的光程為1.41mm,金剛石在650nm處的折射率為2.4105,因此根據(jù)式(14),可計(jì)算得三階非線性光學(xué)極化率張量的元素=2.17×10-22m2V2,根據(jù)克爾系數(shù)與三階非線性光學(xué)極化率元素之間的關(guān)系,可得克爾系數(shù)S44=S1212=1.93×10-23m2V2。

實(shí)驗(yàn)中不需要測量探測光的絕對光強(qiáng),而且橫向電光調(diào)制系統(tǒng)達(dá)到了最大的靈敏度和線性度,相位延遲也達(dá)到了現(xiàn)有樣品外形條件下的最大值,以上這些保證了測量的精度。

圖4 U2U1與V0之間的關(guān)系

3 結(jié)論

我們提出了一種測量寬禁帶半導(dǎo)體的三階非線性光學(xué)極化率張量的辦法,該方法簡便易行,且無需測量絕對光強(qiáng)。通過實(shí)驗(yàn)測得了人工合成的金剛石單晶的三階非線性光學(xué)極化率張量的一個非零元素。

[1]S.Almaviva,M.Marinelli,E.Milani,G.Prestopino,A.Tucciarone,C.Verona,G.Verona-Rinati,M.Angelone,M.Pillon,Extreme UV single crystal diamond Schottky photodiode in planar and transverse configuration,Diamond[J].Relat.Mater.2009,18:101-105.

[2]Z.C.Dong,A.S.Trifonov,N.V.Suetin,and P.V.Minakov,Electroluminescence of diamond films induced by a scanning tunneling microscope[J].Surface Science,2004,549:203-206.

[3]M.I.Eremets,Refractive index of diamond under pressure,Semicond[J].Sci.Technol.1991,6:439-442.

[4]E.Anastassakis and E.Burstein,second-order electro-optic effect in diamond,J.Opt[J].Soc.Am.1971,61:1618-1622.

[5]K.Arya,S.S.Jha,Dispersion in the anisotropy of optical third-harmonic generation in silicon,Phys[J].Rev.B 1979,20:1611-1618.

[6]M.D.Levenson,N.Bloembergen,Dispersion of the nonlinear optical susceptibility tensor in centrosymmetric media,Phys[J].Rev.B:1974,4447-4463.

[7]K.Cao,Z.Chen,C.Ren,G.Jia,T.Zhang,X.Liu,B.Shi,J.Zhao,Measurement of secondorder nonlinear optical susceptibility of cBN crystal synthesized at high pressure and high temperature[J].Microelectronics J.2009:40,70-73.

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