Diodes公司推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器，讓反激式電源設(shè)計(jì)師能以MOSFET替換低效率的肖特基整流器，作為理想驅(qū)動(dòng)二極管。同時(shí)，ZXGD3105N8還能使機(jī)頂盒取得少于100 MW的待機(jī)功耗，以及逾87%的滿(mǎn)載效率。

該控制器具備少于1 mA的靜態(tài)電流，并能以低至4.5 V的電源電壓運(yùn)作，遠(yuǎn)勝于其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的解決方案。此外，該控制器還能提供超越“能源之星”待機(jī)評(píng)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)的反激式電源。

ZXGD3105N8以SO8封裝供應(yīng)，可用于工業(yè)及消費(fèi)性產(chǎn)品中的交流-直流與直流-直流內(nèi)部及外部的電源供應(yīng)器。同時(shí)，該控制器還能在高達(dá)500 kHz的開(kāi)關(guān)頻率下運(yùn)作，有助減小變壓器的體積，從而實(shí)現(xiàn)更纖細(xì)的外形設(shè)計(jì)。

該MOSFET控制器作為比例式閘極驅(qū)動(dòng)器運(yùn)作，可防止不必要的MOSFET關(guān)閉，并使MOSFET關(guān)閉傳播延遲降低至15 ns，從而減少反向電流，有助最大幅度地提升電源電路效率。