2012年12月14日,橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱 ST）與法國最著名的科研機(jī)構(gòu) CEA-Leti宣布來自意法半導(dǎo)體與 CEA-Leti的研究員團(tuán)隊(duì)榮獲 2012年 Général Ferrié大獎。被認(rèn)為法國電子研發(fā)領(lǐng)域最高榮譽(yù)的Général Ferrié大獎每年授予為電子技術(shù)發(fā)展及應(yīng)用做出突出貢獻(xiàn)的工程師或科學(xué)研發(fā)團(tuán)隊(duì)。

此次獲獎團(tuán)隊(duì)成員為來自 Leti的 Claire Fenouillet-Béranger和 Olivier Faynot與來自意法半導(dǎo)體的 Stéphane Monfray和 Frédéric Boeuf，他們在 FD-SOI（全耗盡絕緣體上硅）技術(shù)上取得重大突破而獲此殊榮。FD-SOI技術(shù)可進(jìn)一步縮小集成電路的尺寸。

自上個世紀(jì)60年代初，半導(dǎo)體工業(yè)一直按照摩爾定律提高芯片的計(jì)算性能。根據(jù)摩爾定律，集成電路的晶體管數(shù)量每兩年提高一倍。 然而，當(dāng)今半導(dǎo)體工業(yè)發(fā)展面臨一個重大限制：一旦晶體管尺寸縮小至100 nm以下，晶體管的電氣特性將越來越難以控制。意法半導(dǎo)體的先進(jìn)多模塊團(tuán)隊(duì)和Leti團(tuán)隊(duì)于本世紀(jì)初開始著手研發(fā)，經(jīng)過多年努力，終于使量化新方法提高傳統(tǒng)晶體管性能的程度成為了可能。

隨著時間的推移，研究人員提出了使用絕緣體上的超薄硅襯底上制造晶體管替代在無絕緣體的更厚的硅層上制造晶體管的概念，最終開發(fā)出全耗盡絕緣體上硅（FD-SOI）技術(shù)。這項(xiàng)技術(shù)有三大優(yōu)勢：

·制程非常接近現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)（單晶硅襯底所用的"體效應(yīng)"制造技術(shù)）。

·從體效應(yīng)技術(shù)向FD-SOI技術(shù)移植電路設(shè)計(jì)較向FinFET技術(shù)容易很多，因?yàn)镕D-SOI技術(shù)仍使用平面形狀的晶體管。

·這項(xiàng)技術(shù)對移動應(yīng)用非常有吸引力，如智能手機(jī)和平板電腦，這些應(yīng)用要求高性能與低功耗。

Leti首席執(zhí)行官Laurent Malier表示：“這項(xiàng)大獎?wù)J可了Leti在SOI領(lǐng)域20余年的研發(fā)努力。成功將這項(xiàng)技術(shù)開發(fā)至產(chǎn)業(yè)化水平，成為移動設(shè)備元器件備選制造工藝，實(shí)現(xiàn)出色的處理速度和功耗，這讓我們感到非常驕傲?！?/p>

意法半導(dǎo)體先進(jìn)器件總監(jiān)、IEEE 研究員 Thomas Skotnicki表示：“Claire、Frédéric、Olivier和 Stéphane 作為先進(jìn)器件研發(fā)團(tuán)隊(duì)的核心成員，以堅(jiān)強(qiáng)的毅力和品質(zhì)驗(yàn)證不同的薄膜晶體管概念，克服了阻擋新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化的所有障礙。”

于2012年12月3日舉行的頒獎典禮由SEE（法國電力、電子、信息技術(shù)與通信協(xié)會）主席Paul Friedel和法國科技協(xié)會顧問兼獎勵殊榮委員會主席Erich Spitz主持。

本項(xiàng)大獎是為紀(jì)念法國工程師、將軍和無線電廣播技術(shù)先驅(qū) Gustave-Auguste Ferrié（1868-1932）而設(shè)立，他是1904年在埃菲爾斜塔上安裝無線電發(fā)射臺的負(fù)責(zé)人。1917年，他的設(shè)備成功截獲了間諜Mata Hari發(fā)送的情報，幫助法國政府終結(jié)了她的間諜活動。 (意法半導(dǎo)體公司供稿)