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金屬氫化物法分離氫同位素研究進展

2011-07-18 01:25王偉偉周曉松龍興貴
同位素 2011年1期
關鍵詞:氫化物色譜法低溫

王偉偉,周曉松,龍興貴

(中國工程物理研究 院核物理與化學研究所,四川 綿陽 621900)

氫同位素分離的主要目的是獲得高純氚和高純氘,以滿足核武器生產(chǎn)、研制及核電站生產(chǎn)、熱核聚變實驗研究的需要。氫同位素分離主要通過氫同位素各組分的物理性質的微小差異(如熱擴散能力,沸點等),實現(xiàn)氕、氘、氚的分離?;谏鲜鑫锢硇再|的差異,研究人員研發(fā)出了熱擴散[1]、低溫精餾[2]等方法來強化氫同位素效應,從分離效果及實際應用效果看,低溫精餾法的技術最成熟,是目前唯一能進行大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)的氫同位素分離技術。該方法的缺點是氚滯留量大,建造成本、運行維護費用高,存在較多的安全隱患。

目前,金屬氫化物法是實驗室規(guī)模分離氫同位素比較成熟的技術。該方法利用了儲氫金屬(主要鈀及其合金)吸收氫同位素時表現(xiàn)出較明顯的氫同位素效應。美國SRS、LANL,法國CEA/Valduc,俄羅斯核研究中心,日本九州、富山大學,中國工程物理研究院等許多研究單位對這一方法做了大量研究工作。研究內(nèi)容主要包括分離材料的制備方法、分離方法和分離裝置的設計、分離性能,等。從1957年發(fā)表第一篇關于金屬氫化物分離文章至今,該方法有了長足的發(fā)展。從研究發(fā)展來看,研究人員主要關注于如何強化氫與材料相互作用時的氫同位素效應,研發(fā)高性能分離材料,高效分離工藝。本文主要對相關研究進行介紹,為今后的研究提供一個初步的建議。

1 金屬氫化物法分離研究進展

1.1 金屬氫化物法的發(fā)明(1957年)

20世紀30年代,Gillespie[3]及Sieverts[4]等測定了金屬鈀的吸氫和吸氘等溫曲線,發(fā)現(xiàn)了兩者吸附平衡壓存在顯著差異。直到1957年,Glueckauf[5]等開始利用鈀的氫同位素效應進行氫同位素的分離。將金屬鈀(20g)與載體材料(6g石棉等)混合后制成填充色譜柱,并對預抽真空的色譜柱充入一定壓力的氦氣。利用氫氣置換色譜柱內(nèi)的H-D原料氣,由于金屬鈀優(yōu)先吸附氫,在氣-固交換過程中,氫將固相中的氘置換出來,在色譜柱的前端形成高純度氘分布區(qū)域。這一方法可以獲得高濃度氘(大于99.9%),但一次置換并解析完全后會有痕量氕存在,下一次置換時產(chǎn)品氘純度不超過99.5%。并且由于置換過程不充分,常會有1%~2%的氘滯留在金屬鈀中。對此,可以通過加熱分離柱自身釋放氫同位素氣體作為置換氣體,而不需要額外引入置換氣。將三個鈀分離柱A、B、C串聯(lián)連接,A柱中吸附H-D氣體。加熱A柱釋放H-D氣體,被B柱吸收;加熱B柱釋放H-D氣體,被C柱吸收。最后加熱C柱,C柱末端可獲高純氘。含氘40%的原料氣通過這一自置換方法可獲得高純氘,濃度大于99.15%,產(chǎn)率大于95%。含氘2.76%的原料氣獲得了氘濃度23.77%的產(chǎn)品氣,產(chǎn)率為88.5%。

這一方法在之后的氚濃縮應用中顯現(xiàn)出一些不足。Hoy等[6]利用該方法濃縮水中的痕量氚,分離度比較低(約為90),而且裝置復雜,金屬鈀的使用量大(約1.4kg)。Tistchenko等[7]發(fā)現(xiàn)前沿色譜法(Frontal Chromatography)更適合于痕量氚的富集,將鈀負載在α-Al2O3(Pd百分含量為20%)上作為吸附劑可有效減少鈀的使用量。但Pd/Al2O3的氫同位素交換能力比純鈀要差些[8]。另一個明顯不足是惰性氣體(氦氣)的使用。在置換前柱中充入氦氣,主要目的是避免在柱中出現(xiàn)壓力梯度,以及防止氫同位素氣體出現(xiàn)明顯的軸向擴散,進而提高分離效率。充氦過程必然增加分離過程的操作步驟,同時使后續(xù)氫同位素的分析操作增加了難度。分析設備熱導檢測器(TCD)在氦含量降為零后開始測量,因此需要額外的測量設備來確定氦含量變?yōu)榱愕臅r刻[6]。氦氣會污染產(chǎn)品氣,干擾測試結果(如利用質譜分析);由于與載氣接觸的是產(chǎn)品氣中純度最高的一部份,為使產(chǎn)品氣中不含氦氣,其代價是損失產(chǎn)品氣總產(chǎn)量,進而影響色譜分離度的測定。Andreev等[9]發(fā)現(xiàn),降低溫度可降低鈀α-β相變的吸附平衡壓,進而在無氦氣載帶下減少吸附前端的壓力梯度。降低溫度還可提高Pd的分離因子及吸附容量,進而減少Pd的使用量,或縮小分離柱的尺寸。

1.2 金屬氫化物法的研究及應用(20世紀60—80年代)

盡管置換色譜法存在諸多不足,首座利用Pd-H2體系進行色譜分離氫同位素的生產(chǎn)工號于1973年左右在法國建成[10]。1988年英國聚變能研究堆JET項目建設中,考慮使用該方法建立一套氫同位素分離裝置,由4根容量為5L的Pd/氧化鋁填充色譜柱組成,T2與D2的設計產(chǎn)量分別為5和15mol/d[11]。為了提高置換色譜方法的分離效率,改變原有單批次生產(chǎn)模式,此后又開發(fā)了多種半連續(xù)[12~14]、連續(xù)生產(chǎn)模式[15,16],這些方法中均避免了額外氫置換氣及氦氣的使用。在半連續(xù)生產(chǎn)模式中,以熱循環(huán)吸附方法(Thermal Cycling Absorption Process,TCAP)最為有名。1980年,Lee等[14]首次提出這一分離方法。加熱解吸分離柱前端的一部分氫同位素氣體作為置換氣,對分離柱中部和末端的氫同位素進行置換,由于溫度引起Pd分離因子的變化,使得一個置換過程后產(chǎn)生一定的分離效果,經(jīng)過多次循環(huán)置換后分離柱內(nèi)形成一個濃度穩(wěn)態(tài)分布,末端可得到高純氚,尾氣端獲得高純氕或氘。該方法的缺點是存在顯著的混合效應(分離柱中部呈現(xiàn)連續(xù)的濃度分布),而且工藝控制要求高,操作不連續(xù)等。Andreev等[17]利用對流單元柱法(Counterflow Sectioned Column Separation,CSCS)連續(xù)生產(chǎn)模式較好地解決了這一問題。該分離裝置由若干個相同分離柱(至少大于3個)單元組成。加熱處于底部的分離柱單元,解吸出來的氫同位素氣體向上流動,依次經(jīng)過各分離柱單元到達最上端分離柱單元。底部解吸完畢的分離柱單元移到最高處,其余分離柱單元向下移動。按照上述過程循環(huán)多次,底部分離柱單元內(nèi)可獲得高純氕或氘,頂部分離柱可獲得高純氚。

金屬鈀有優(yōu)異的分離性能,但價格昂貴,為了尋找更廉價的替代品,人們對其他過渡金屬及合金(釩,鈦合金,鑭鎳合金等)的氫同位素效應進行了研究,主要研究了溫度、氫含量、同位素比例、材料顆粒度、晶胞參數(shù)、物相、電子結構等因素對材料的熱力學、動力學同位素效應的影響[18]。到目前為止,金屬鈀出色的分離性能使其它金屬(合金)材料很難取代。

1.3 金屬氫化物法的發(fā)展(20世紀90年代至今)

在聚變能源研究及軍事安全的需求牽引下,各國根據(jù)自身情況依托相關科研院所,發(fā)展了基于金屬氫化物的氫同位素分離技術,其發(fā)展概況列于表1。

表1 各國金屬氫化物分離氫同位素發(fā)展概況

俄羅斯聯(lián)邦核研究中心發(fā)展了連續(xù)CSCS法,主要用于聚變能源研究,滿足大規(guī)模生產(chǎn)的需要,以期替代低溫精餾方法[19]。分離裝置由12個分離柱單元組成,其中9個單元組成分離生產(chǎn)區(qū)域,總填鈀量為175.5g,產(chǎn)品氚濃度最高達到96%,尾氣中氚濃度約為0.1%,氣體處理量為4.5mol/d。

美國薩瓦納河研究基地(SRS)發(fā)展半連續(xù)TCAP分離方法的主要目的是滿足軍事方面的需求。從1980年開始,經(jīng)過10多年的發(fā)展,建立了第一套TCAP分離裝置,由于系統(tǒng)體積小巧,因此可以放在手套箱內(nèi)操作。1994年具備了氘氚分離的能力,實現(xiàn)了高純氚的生產(chǎn)及尾氣中少量氚的去除[24]。美國SRS和Sandia實驗室對TCAP方法進行了系統(tǒng)的實驗研究和計算機模擬,包括分離材料的制備[25]及氫同位素交換 性 能[26,27]、分 離 柱 的 性 能 考 核 及 影 響 因素[28,29]、材 料 的 老 化[30]和 分 離 柱 加 熱 冷 卻 方式[24]等方面。2006年,美國國家實驗室LANL和SRS合作研制了一套中等規(guī)模的TCAP分離裝置[31],裝置的導熱介質由之前的氮氣替換成液體來增加導熱效率,加快了循環(huán)速度以提高分離效率,系統(tǒng)結構更為緊湊。

法國CEA/Valduc氚工廠于1995年開始對TCAP進行研究,并取得了顯著的成績。在分離柱冷卻方面,采用液態(tài)水(約10℃)作為冷卻劑以提高導熱效率[21]。采用載鈀氧化鋁作為分離材料,該材料應用于置換色譜研究已有30多年的歷史[32]。在相同分離柱載鈀量的情況下,載鈀氧化鋁(Pd/Al2O3)的分離效率高于載鈀硅藻土(Pd/k)[29],可能與載體的比表面積、空隙率和平均孔徑的差異有關[33]。在開展實驗研究的同時,他們還發(fā)展了一套應用于TCAP的模擬軟件。該軟件可以對復雜TCAP過程進行準確描述,并發(fā)現(xiàn)了一些實驗中無法測量的影響因素,通過數(shù)值模擬還可以獲得不同含量原料氣分離工藝的優(yōu)化參數(shù)[34]。該軟件還可以對Pd中氚衰變對分離性能的影響進行模擬,模擬結果顯示,鈀中氦含量大于0.15時才會對分離效果產(chǎn)生顯著影響,由于分布于氧化鋁上的Pd比表面積較大,有助于3He釋放進而緩解氚衰變的影響[35]。從實際應用效果來看,TCAP比較適合于氚的濃縮,而低溫(液氮溫度)氣相色譜法更適合于H與D中痕量氚的去除[36]。

在核電站及聚變能源研究方面,日本依托本國大學進行金屬氫化物的氫同位素分離研究。九州大學研究重點在于分離方法,采用前沿色譜法濃縮了天然氫中的氘[37],在前沿色譜法基礎上發(fā)展了自置換色譜法[38]、多柱級聯(lián)色譜法[39]、雙柱逆流色譜法[40]。雙柱逆流法可以看作是TCAP方法的一個升級,將具有與金屬鈀相反氫同位素效應的低溫分子篩填充柱作為返流柱PFR,美國SRS實驗室發(fā)現(xiàn)這一設計可有效提高TCAP的分離效率[41]。富山大學偏重于分離材料的研究,重點開發(fā)Pd-Pt合金[42-44]用于氫同位素的分離。Pd中添加少量Pt后可降低氫化物的形成焓,使其分離平衡時間進一步縮短,更加適合于接近于室溫下的操作。該材料應用于自置換色譜中,起到了一定的氚濃縮作用[22]。

國內(nèi)重點研究了金屬鈀的氫同位素置換,對TCAP,雙柱逆流法也有所研究。研究發(fā)現(xiàn),在Pd、LaNi5和ZrCo等儲氫材料中,Pd具有最好的置換效果[45]。在高流速條件下,Pd依然能保持較好的置換效率,原因是氣體壓力增加使分子間碰撞幾率增加[46]。目前已建立了一套中等規(guī)模的TCAP裝置,填充載鈀氧化鋁約1.6kg,柱長約16m。摩爾比為1∶1的H-D混合氣經(jīng)過全回流30個循環(huán)后,柱底部氘豐度達到了98.8%,頂部氕豐度達到了98.4%,初步具備了氫同位素分離能力[23]。利用LaNiAl合金填充柱替代低溫分子篩色譜柱,減少了低溫附屬設備,并使雙柱逆流法可以在室溫附近操作[47]。李夢[48]等制備出具有自支撐特性的多孔鈀,比表面積是松裝鈀粉的5倍多,孔隙率達到87%左右,氘排代交換率為86.2%,為新型分離材料的研制提供了一種思路。

1.4 氫同位素分離方法展望

金屬氫化物法分離氫同位素,可以較好地滿足中小規(guī)模高純氚的生產(chǎn),不過在大規(guī)模工業(yè)化應用方面,由于Pd成本較高受到了很大的限制,可以考慮使用低溫精餾方法;在低豐度氚的分離方面,低溫氣相色譜法也具有很大的優(yōu)勢。在實際應用中,可以根據(jù)應用情況選擇合適的分離方法。

從金屬氫化物法發(fā)明至今,基于Pd-H2體系化學平衡吸附的分離原理沒有根本改變,使得通過氣-固氫同位素交換實現(xiàn)氫同位素分離的方法未發(fā)生根本變化??梢钥闯?,氫與材料相互作用過程中表現(xiàn)出的氫同位素效應,是該分離方法的基礎。雖然目前還很難尋找一種比Pd更好的分離材料,隨著新型儲氫金屬(合金)材料的不斷涌現(xiàn),獲得分離性能更為優(yōu)異,價格更為低廉的分離材料是很有可能的。

除了化學吸附平衡存在氫同位素效應外,氫在材料的吸附動力學性能如擴散性能方面也具有應用的潛質,如多孔無機材料5A分子篩在低溫(液氮溫度)下吸附氫同位素,具有明顯的氘濃縮效果[49]。低溫下3A分子篩在一定溫度下對氫同位素具有篩分效應,表現(xiàn)出較明顯的氫同位素效應[50,51]。因此,探索材料與氫同位素相互作用時存在的差異,是發(fā)展新型氫同位素分離方法的途徑之一。

2 結束語

近50多年來,氫同位素分離研究集中于氫同位素與材料的相互作用,材料的性能在其中起到了關鍵的作用。新型材料的研究將是未來氫同位素分離研究發(fā)展的主要動力。隨著高分離性能材料的出現(xiàn),相應的強化分離效果的工藝技術也將隨之出現(xiàn)。

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