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電場作用下氣泡行為的數(shù)值模擬

2011-06-23 03:01吳艷陽毛志慧
裝備制造技術(shù) 2011年11期
關(guān)鍵詞:電場力表面張力云圖

楊 俠,張 濤,吳艷陽,毛志慧

(武漢工程大學(xué) 機電工程學(xué)院,湖北 武漢 430073)

電場強沸騰換熱(EHD)是一種高效的換熱方式。其換熱的方式極其復(fù)雜,除了涉及傳統(tǒng)的速度場和溫度場之間的相互聯(lián)系外,還涉及到電場的作用,一些學(xué)者認(rèn)為是一種場協(xié)同的綜合換熱效應(yīng)[1]。

1 電場強化傳熱實驗研究現(xiàn)狀

近年來,電場強化傳熱的研究,主要集中在電場改變換熱面的形狀。

Cho對單氣泡進行了理論與實驗研究[2],結(jié)果表明,氣泡表面的電場呈非均勻的分布,使得氣泡的表面張力布局均勻,導(dǎo)致氣泡與沿著外施電場的平行方向被拉長。

Zaghdoudi等分析了氣泡外某一固定方向的上的速度之大小,并計算了法向和切向電場力對氣泡變形產(chǎn)生的影響[3]。

國內(nèi)一些學(xué)者對單個氣泡進行了研究,結(jié)果表明,氣泡的引入使得其兩側(cè)的場強增加、頂部及其底部的場強降低,氣泡內(nèi)部場強不為零[4]。

對于單個氣泡的研究,國內(nèi)學(xué)者的結(jié)論基本趨于一致。

氣泡上升主要取決氣泡的半徑,氣泡半徑的變化主要源于氣泡內(nèi)外的壓強的變化和氣體傳質(zhì)的影響,而氣泡半徑受制于氣泡上浮速度和氣泡半徑的影響,所以氣泡上升的速度、半徑的變化與傳熱過程,是一個相互制約、相互耦合的過程。

為了探討電場是否對對傳質(zhì)的影響,在小雷諾數(shù)蠕動流假設(shè)的基礎(chǔ)上,本文建立了氣泡上浮與傳質(zhì)過程中的耦合模型,數(shù)值模擬了單氣泡內(nèi)外速度和氣泡形狀的變化,并對比分析了不同電場電壓下的氣泡行為特征。結(jié)果表明,電場力可以影響氣泡內(nèi)外壓強、流場,以及氣泡上升過程中的形狀。表明外加電場有影響傳質(zhì)有一定的效果。

2 數(shù)值模型

2.1 控制方程

(1)表面張力動量方程[5]。

式中,

ν為速度矢量;

ρ為流體密度;

μ為粘性系數(shù);

P為壓強;

F為表面張力源項。

(2)不可壓縮連續(xù)性方程。

(3)VOF法追蹤界面相的輸運方程。

式中,ɑq為q相的體積分?jǐn)?shù)。

對于兩相流方程中的ρ和μ,由體積分?jǐn)?shù)決定

式中,μ1、μ2、ρ1、ρ2分別為兩種不同工質(zhì)的粘度和密度。

(4)電場力控制方程[6]。

式中,

qE為電場施加于介質(zhì)中的自由電荷上的力,稱為電泳力;

第二項為介電泳力,該項只有在不均勻的介質(zhì)中才存在;

第三項為電致收縮力,這種力為介質(zhì)本身所承受,表現(xiàn)為內(nèi)應(yīng)力。

2.2 幾何模型的建立與計算條件

本文的計算區(qū)域為0.1 m×0.1 m,如圖1所示。

圖1 幾何計算模型

通過 Gambit劃分網(wǎng)格,間距為(0.1×10–5)m;

計算的邊界條件:上頂設(shè)置為壓力出口,其余的壁面全部設(shè)置為wall;

電壓值 U(計量單位:kV) 分別設(shè)置為0,10,20,25,30,35。

圖1中,

氣泡的直徑D=2 mm,靜止在水中,其初始的壓強、速度為零;

氣泡的密度為空氣密度1.225 kg/m3;

粘度系數(shù)為 1.789×10–5N·S/m2

水的密度為fluent默認(rèn),設(shè)置為9.982×102kg/m3;

粘度系數(shù)為 1×10–3N·S/m2;

表面張力系數(shù)0.0728 N/m。

描述氣泡特性的常用的無量綱的參數(shù)有Morton數(shù)和 Reynolds數(shù)、Weber數(shù),密度比為 ρl/ρb,粘度比μl/μb,l下標(biāo)表示工質(zhì)水,b表示氣泡,本文考慮的是小雷諾數(shù)的蠕動情況,其密度比為 814.5,粘度比為55.9。

3 模擬結(jié)果分析

3.1 電場對氣泡內(nèi)外壓強的影響

本文模擬了6種不同電壓下直徑D=2 mm氣泡在水中上升的情況,并對氣泡變形和速度場進行了數(shù)值模擬。

在電場、表面張力和重力作用下,氣泡為了保持自身的穩(wěn)定,氣泡內(nèi)外壓強差應(yīng)為零,同時表面張力作用在氣泡的表面,氣泡的內(nèi)部壓強大于氣泡的外部壓強,如圖2、圖3。其下表面所受的壓力梯度較大,其壓力差使氣泡向上運動。圖2表示在電壓為0時,3種不同時刻的氣泡內(nèi)外壓強大小圖。由于篇幅原因,只列舉U=1.0萬V電壓下的氣泡內(nèi)外的總壓強圖。

圖2 不同時刻的氣泡內(nèi)外的總壓強圖

圖3 在U=1.0萬V電壓下的不同時刻氣泡內(nèi)外的總壓強圖

由圖2和圖3得知,外加電場對于流場的壓強有一定的影響,外加電場引起了壓強梯度的變化,這導(dǎo)致氣泡變形加快。

3.2 電場對流場的影響

由圖3得知,電場影響氣泡周圍的壓強,也同時影響氣泡周圍的流速。圖4在2 ms時,6種不同電壓之下流場的流線圖,圖中,圓圈部分線條表示氣泡的形狀大小。

在流體力學(xué)中,理想不可壓縮無旋流繞過氣泡時,氣泡內(nèi)的流動是有旋的,氣泡將形成兩個球渦。圖4(a)表示無電壓工況下,氣泡內(nèi)外的流線圖,與文獻[7]描述的理論相符合。當(dāng)在容器的左右外加電壓時,外加電壓改變了流場的方向,氣泡內(nèi)的流體不存在漩渦,即流線穿過氣泡。

圖4 不同電壓的流線圖

3.3 氣泡的變形

氣泡的密度小于水的密度,導(dǎo)致氣泡上升,氣泡在上升過程中,無電場力時,主要是受到的是浮力,以及與之相平衡的氣液表面張力,即使無電場,氣泡上升過程中所受的浮力也會逐步增大,氣泡上升時,受到的壓力逐步減小,所受的機械浮力也相應(yīng)的減小,氣泡的變形也加快。如圖5所示,氣泡在無電壓的工況下,2 ms、6ms、12ms這3種時刻的氣泡變形的工況。

圖5 電壓U=0V時3種不同時刻的氣泡體積率云圖

圖6 電壓U=1kV時3種不同時刻的氣泡體積率云圖

圖7 電壓U=2kV時3種不同時刻的氣泡體積率云圖

圖8 電壓U=2.5kV時3種不同時刻的氣泡體積率云圖

圖中為氣泡的體積率云圖,表示氣泡在不同電壓下,不同時刻的氣泡位置和大小云圖。圖6、圖7、圖8分別與圖5比較表明,隨著氣泡的上升,電場作用使氣泡的上升變形發(fā)生了改變,外加電場之后,氣泡表面受到了電場力的作用,電場力使氣泡向著赤道橫向方向偏移,在極軸方向氣泡變長。圖6、圖7、圖8相互比較,可以看到,電場越大,氣泡在同一時刻不同電壓下變形顯著。如圖所示在12 ms時刻,氣泡的右側(cè)受到了電場力的作用,氣泡界面受到電拉伸力和電壓縮力作用,使得橫向拉長。在電壓越大的工況下,氣泡沿著場強方向變形越明顯。

4 結(jié)束語

本文建立了氣泡瞬態(tài)模型,在模型里導(dǎo)入電場,并探討不同電壓下氣泡內(nèi)外的壓強、流場和形狀的變化。

(1)模擬得到氣泡內(nèi)外壓強云圖,結(jié)果表明,電場改變了氣泡內(nèi)外的壓強的等值線。

(2)計算模擬了有無電場工況下氣泡周圍的速度場,表明電場可改變流場的流線。

(3)數(shù)值模擬得到了在不同電壓下,氣泡在不同時刻的形狀變化,電壓越大,在同一時刻,氣泡變形越顯著。

[1]石寶喜,傅玲瓊,董 偉,伊 新,魏冉冉,張云鵬.不同工質(zhì)中氣泡在電場作用下的變形[J].上海理工大學(xué)學(xué)報,2010,32(3):209-212.

[2]Cho H J,Kang I S,Kweon Y C.Numerical study of the behavior of a bubble attached to ATip in ANon-uniform electric field.[J].Multiphase Flow,1998,24(3):479-498.

[3]Zaghdoudi M C,Lallemand M.Analysis of the Polarity Influence on Nucleate Pool Boiling Under a DC Electric Field[J].Transactions of the ASME,1999,121(9):856-864.

[4]董 偉,李瑞陽,郁鴻凌.電場作用下氣泡的行為研究[J].能源研究與信息,2004,20(2):110-115.

[5]朱仁慶,李晏丞,倪永燕,侯 玲.氣泡在水中上升的數(shù)值模擬[J].江蘇科技大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版)2010,24(5):417-422.

[6]林宗虎,汪 軍,李瑞陽,崔國民,等.強化傳熱技術(shù)[M].北京:化學(xué)工業(yè)出版社,2007.

[7]陳懋章.粘性流體動力學(xué)基礎(chǔ)[M].北京:高等教育出版社,2002.

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