慈成剛 段雪梅 劉靖堯 孫家鐘

(吉林大學(xué)理論化學(xué)研究所，理論化學(xué)計(jì)算國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，長春 130023)

疊氮化氰的光解離機(jī)理

慈成剛 段雪梅 劉靖堯*孫家鐘

(吉林大學(xué)理論化學(xué)研究所，理論化學(xué)計(jì)算國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，長春 130023)

采用多參考態(tài)方法,在MRCI+Q//CAS(10,9)/6-311+G(2df)水平上對疊氮化氰(N3CN)的光解離機(jī)理進(jìn)行理論研究.優(yōu)化得到基態(tài)(S0)和低激發(fā)態(tài)(S1、S2、T1)勢能面上的極小點(diǎn)、過渡態(tài)、內(nèi)轉(zhuǎn)換交叉點(diǎn)(IC-S1/S0)和隙間竄躍交叉點(diǎn)(ISC-S1/T1)的結(jié)構(gòu)和能量,構(gòu)建反應(yīng)勢能面.在MRCI+Q//CAS(10,9)水平上計(jì)算N3CN的垂直激發(fā)能,并和實(shí)驗(yàn)值進(jìn)行對比.結(jié)果表明,在S0、S1、S2和T1態(tài)勢能面上,N—N鍵斷裂生成N2+NCN是主要解離途徑,而C—N鍵斷裂通道是次要通道.實(shí)驗(yàn)觀測到220 nm處的吸收峰對應(yīng)分子由S0態(tài)到S1態(tài)的激發(fā),對應(yīng)主要光解離產(chǎn)物為NCN[a1△g];而在275 nm處的吸收峰則對應(yīng)分子被激發(fā)到T1態(tài),然后直接生成基態(tài)產(chǎn)物NCN[X3Σ-g].我們的理論結(jié)果與實(shí)驗(yàn)測量符合得很好.

反應(yīng)機(jī)理; 疊氮化氰; 光解離; 勢能面交叉點(diǎn)

疊氮化氰(N3CN)作為疊氮化物[1-4]的氰基取代物,是合成化學(xué)中一種有用的高活性試劑[5].早期的一些實(shí)驗(yàn)[6-10]研究了它的光解離過程.實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn), N3CN在紫外光下可解離生成NCN，CN，N3等自由基.這些自由基由于具有重要的性質(zhì)，近年來受到了實(shí)驗(yàn)和理論的廣泛關(guān)注,如雙自由基NCN,既是燃燒化學(xué)中的重要中間體[11],也是合成高硬度碳氮材料的優(yōu)良增長物種[12].因此,鑒于其光解產(chǎn)物的重要性,從理論上詳細(xì)了解N3CN的光解離機(jī)理是十分必要的.

Marsh和 Hermes[13]在環(huán)己烷溶液中觀測到N3CN有兩個(gè)主要吸收帶,最大峰值分別在275和220 nm處,其中220 nm處為強(qiáng)吸收峰,摩爾消光系數(shù)比275 nm處的強(qiáng)約20倍.Kroto等[6]在對N3CN的光解實(shí)驗(yàn)研究中,提出N3CN存在兩種光解離途徑:

并且認(rèn)為通道(1)為主要解離通道,對應(yīng)解離產(chǎn)物為基態(tài)N2和NCN(1△g),通道(2)為次要光解離通道.Okabe和Mele[7]用短波長(λ≤206.2 nm)光源強(qiáng)行光解離N3CN,得到了與Kroto等[6]相同的結(jié)果.Milligen等[8-9]和Shoen[10]通過基質(zhì)分離技術(shù)研究了N3CN的光解離過程,提出了與Kroto等[6]略有不同的機(jī)理,指出N3CN在波長275 nm處先躍遷到一個(gè)不穩(wěn)定的三重態(tài),然后解離成NCN(3Σ-g)+N2;而在波長220 nm處伴隨著一個(gè)到不穩(wěn)定單重態(tài)的躍遷,然后解離生成NCN(1△g)+N2.

理論上,Jensen[14]和 Türker等[15]分別計(jì)算了N3CN的基態(tài)幾何結(jié)構(gòu),他們的計(jì)算結(jié)果和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)[16-17]符合得很好.Benard等[12]利用B3LYP/6-311+ G(2df)方法,在Cs對稱性下,對N3CN分子中的NN—NCN鍵做了掃描,得到了1A′和3A″態(tài)下的掃描勢能曲線.結(jié)果表明在3A″態(tài)下,NN—NCN鍵斷裂是一個(gè)直接解離過程,并且發(fā)現(xiàn)3A″態(tài)的勢能曲線末端與1A′態(tài)勢能曲線存在勢能面交叉.但他們的計(jì)算中沒有給出解離機(jī)理以及勢能面交叉點(diǎn)的信息.因此,本文將通過多參考態(tài)量子化學(xué)計(jì)算方法,研究N3CN基態(tài)和幾個(gè)低激發(fā)態(tài)穩(wěn)定點(diǎn)的結(jié)構(gòu),構(gòu)建反應(yīng)勢能面,進(jìn)而確定疊氮化氰的光解離機(jī)理.

1 計(jì)算方法

采用全活空間自洽場方法(CASSCF)[18-19]對N3CN基態(tài)和激發(fā)態(tài)穩(wěn)定點(diǎn)的幾何結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化,并通過頻率分析以確定得到的穩(wěn)定點(diǎn)是勢能面上的極小點(diǎn)(0個(gè)虛頻)或過渡態(tài)(1個(gè)虛頻).為了確定過渡態(tài)兩邊正確的連接關(guān)系,在CASSCF水平上進(jìn)行了內(nèi)稟反應(yīng)坐標(biāo)(IRC)[20]計(jì)算.使用態(tài)平均全活化空間自洽場方法(SA-CASSCF)確定勢能面交叉點(diǎn)的結(jié)構(gòu).另外,為了包含動態(tài)相關(guān)能,在CASSCF優(yōu)化結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上,應(yīng)用多參考組態(tài)相互作用 (MRCI)[21-22]方法,同時(shí)考慮Davidson校正(MRCI+Q),進(jìn)行單點(diǎn)能校正以得到體系更精確的能量值.

活化空間的選取是CASSCF計(jì)算的重要步驟.在此我們選取10個(gè)電子9個(gè)軌道的活化空間進(jìn)行計(jì)算,記作CAS(10,9).活化空間包括:N1═N3鍵的面上π和π*軌道,N3≡N4鍵的面上π和π*軌道及C2≡N5鍵的面內(nèi)π成鍵軌道.此外,因所研究體系涉及C2—N1和N1═N3鍵的斷裂,所以C2—N1鍵的σ和σ*軌道及N1═N3鍵的σ和σ*軌道也被包含在活化空間內(nèi).在MRCI+Q計(jì)算中,以CASSSF計(jì)算結(jié)果作為參考波函數(shù),C和N原子的1s電子作為凍結(jié)核軌道.文章中的計(jì)算基組全部采用6-311+G(2df).所有的計(jì)算均采用Molpro2006.1版本的程序包[23]完成.

2 結(jié)果與討論

2.1 平衡幾何結(jié)構(gòu)和能量

圖1給出了在CAS(10,9)/6-311+G(2df)水平上優(yōu)化得到的基態(tài)N3CN(S0-MIN)的平衡幾何結(jié)構(gòu)(原子序號、鍵長和鍵角標(biāo)于圖中),作為對比將實(shí)驗(yàn)[16-17]及前人的理論計(jì)算[15]結(jié)果同時(shí)列于圖中.可以看出本文的計(jì)算結(jié)果與已有的實(shí)驗(yàn)和理論結(jié)果符合得很好.基態(tài)N3CN為Cs對稱性,其中N1—C2的鍵長是0.1351 nm,明顯短于CH3HN2中的C—N單鍵鍵長0.1470 nm[24],這表明N1═N3鍵和C2≡N5鍵間存在很強(qiáng)的共軛作用.

在CAS(10,9)/6-311+G(2df)水平上,優(yōu)化得到了S1,T1和S2態(tài)的穩(wěn)定點(diǎn),分別記作S1-MIN,T1-MIN和S2-MIN,構(gòu)型見圖1.S1-MIN具有Cs對稱性,構(gòu)型改變主要集中在N1—N3—N4區(qū)域.可以看出π→π*躍遷導(dǎo)致S1態(tài)的N1—N3鍵長由基態(tài)的0.1270 nm增長到0.1410 nm,N3—N4鍵比基態(tài)的伸長了0.0075 nm,同時(shí),N1—N3—N4鍵角由基態(tài)的171.9°減小到117.7°,而N1—C2—N5區(qū)域的鍵長和鍵角與基態(tài)相比幾乎不變.T1態(tài)的穩(wěn)定點(diǎn)結(jié)構(gòu)與S1態(tài)類似,它們之間的最大差別在于T1-MIN不具有Cs對稱性,相應(yīng)的二面角N4—N3—N1—C2為116.0°,即N3N4部分扭轉(zhuǎn)出分子平面.分子激發(fā)到S2態(tài)后,基本上保持一個(gè)平面結(jié)構(gòu).和基態(tài)穩(wěn)定點(diǎn)相比,構(gòu)型改變主要集中在N1—C2—N5區(qū)域.可以看出N5≡C2鍵伸長了0.0109 nm,N1—C2鍵縮短了0.0091 nm.

基于基態(tài)穩(wěn)定構(gòu)型,在MRCI+Q/6-311+G(2df)水平上對 N3CN的垂直激發(fā)能進(jìn)行了計(jì)算,在Frank-Condon區(qū)域按能量由低到高的次序依次為13A″、11A″和 21A′,分別對應(yīng) T1、S1和 S2態(tài).在MRCI+Q水平上計(jì)算得到的11A′→13A″躍遷的垂直激發(fā)能為476.0 kJ·mol-1.結(jié)合實(shí)驗(yàn)所測光譜數(shù)據(jù)可知,對應(yīng)吸收峰為275 nm(435.1 kJ·mol-1)處的躍遷.MRCI+Q計(jì)算的結(jié)果略高于實(shí)驗(yàn)值.而實(shí)驗(yàn)上220 nm(543.9 kJ·mol-1)處吸收峰則對應(yīng)11A′→11A″的躍遷.理論計(jì)算的垂直激發(fā)能為506.5 kJ·mol-1,略低于實(shí)驗(yàn)值.通過自然軌道分析可知11A′→13A″和11A′→11A″的躍遷均為電子由N1—N3—N4面上π軌道向π*軌道的激發(fā).此外,在MRCI+Q//CAS (10,9)/6-311+G(2df)水平上,S0態(tài)到T1、S1和S2態(tài)的絕熱激發(fā)能分別為249.0、232.3和499.9 kJ·mol-1.

勢能面之間的交叉點(diǎn)在光解離反應(yīng)中扮演著一個(gè)重要的角色,使用SA-CAS(10,9)/6-311G+(2df)方法尋找勢能面之間的交叉點(diǎn),在Frank-Condon區(qū)域,我們找到S1態(tài)和S0態(tài)之間及S1態(tài)和T1態(tài)之間的勢能面交叉點(diǎn),分別記作IC-S1/S0和ISC-S1/ T1.IC-S1/S0是一個(gè)N3—N4鍵扭轉(zhuǎn)遠(yuǎn)離C2—N5鍵的構(gòu)型,而ISC-S1/T1則是一個(gè)N3—N4鍵靠近C2—N5鍵的接近平面構(gòu)型.在MRCI+Q水平上, IC-S1/S0和ISC-S1/T1的能量分別比S1態(tài)穩(wěn)定點(diǎn)的高44.6和6.4 kJ·mol-1.

2.2 S0、T1、S1和S2態(tài)上N1═N3鍵的斷裂

圖2繪出了在MRCI+Q水平上,N3CN在S0, S1,T1和S2態(tài)的反應(yīng)勢能面示意圖.S0態(tài)上N3CN的N1═N3鍵斷裂過程存在一個(gè)過渡態(tài)TSN—N(S0),此時(shí),N1—N3鍵伸長到0.1783 nm,C2—N1—N3鍵角減小到101.9°,N1—N3—N4和N1—C2—N5角度基本沒發(fā)生改變.MRCI+Q計(jì)算得到的反應(yīng)能壘為146.2 kJ·mol-1.IRC計(jì)算表明此過渡態(tài)在反應(yīng)物方向連接著S0穩(wěn)定點(diǎn),產(chǎn)物方向連接著NCN [a1△g]+N2[X1Σ+g]碎片,相對能量為53.0 kJ·mol-1.

在CAS(10,9)/6-311+G(2df)水平上,優(yōu)化得到S1態(tài)上N1—N3鍵斷裂的過渡態(tài)TSN—N(S1),其中N1—N3鍵伸長至0.1622 nm,頻率分析顯示唯一的虛振動模式為N1—N3的伸縮振動.經(jīng)過MRCI+Q高水平單點(diǎn)能校正后,TSN—N(S1)的能量僅比 S1-MIN高6.4 kJ·mol-1.在S1態(tài),N1—N3鍵斷裂是一個(gè)很容易發(fā)生的過程.IRC計(jì)算顯示TSN—N(S1)連接S1態(tài)穩(wěn)定點(diǎn)和S0態(tài)產(chǎn)物NCN[a1△g]+N2[X1Σ+g].

TSN—N(T1)為CASSCF水平上T1態(tài)N1—N3鍵解離的過渡態(tài),連接三重態(tài)基態(tài)產(chǎn)物NCN[X3Σ-g]和N2[X1Σ+g]分子.此解離通道在CASSCF水平上存在反應(yīng)能壘(13.8 kJ·mol-1).然而,經(jīng)過MRCI+Q水平的單點(diǎn)能量校正后,該過渡態(tài)的相對能量為215.2 kJ·mol-1,比T1-MIN(232.3 kJ·mol-1)反應(yīng)物的還低17.1 kJ·mol-1.鑒于此情況,我們對反應(yīng)路徑上的點(diǎn)都進(jìn)行MRCI+Q單點(diǎn)能量計(jì)算,結(jié)果表明在T1態(tài), N1—N3鍵的斷裂過程無反應(yīng)能壘存在,是一個(gè)直接解離的放熱過程,也就是說,TSN-N(T1)并不是一個(gè)真正的反應(yīng)過渡態(tài).這個(gè)結(jié)果與Benard等[12]用B3LYP/6-311+G(2df)方法,證明3A″態(tài)是一個(gè)排斥態(tài)的結(jié)論相符.MRCI+Q計(jì)算得到的NCN[X3Σ-g]+N2[X1Σ+g]的相對能量為-3.2 kJ·mol-1.

另外,利用SA-CAS(10,9)/6-311+G(2df)方法在靠近基態(tài)N1═N3鍵解離產(chǎn)物方向找到了S0態(tài)與T1態(tài)勢能面的交叉點(diǎn)(ISC-T1/S0),意味著N3CN分子在S0態(tài)的解離可以通過此交叉點(diǎn)生成T1態(tài)的基態(tài)產(chǎn)物.ISC-T1/S0的結(jié)構(gòu)中除了N1—N3鍵長伸長至0.1820 nm外,其它的鍵參數(shù)和S0態(tài)的過渡態(tài)TSN—N(S0)十分接近.在MRCI+Q水平上,此交叉點(diǎn)低于S0態(tài)過渡態(tài)2.9 kJ·mol-1.Benard等[12]曾在B3LYP/6-311+G(2df)水平上,以基態(tài)N3CN構(gòu)型為基礎(chǔ),掃描得到了3A″態(tài)和1A′態(tài)上N1—N3解離勢能曲線,發(fā)現(xiàn)在N1—N3鍵長約為0.18 nm處存在一個(gè)勢能面交叉點(diǎn).可以看到他們的計(jì)算結(jié)果和本文的相一致.

在S2態(tài)勢能面上同樣找到了N1—N3鍵解離的過渡態(tài),TSN—N(S2),相應(yīng)的產(chǎn)物碎片為NCN[c1Πu]+ N2[X1Σ+g].此時(shí)N1—N3鍵長為0.1554 nm,比相應(yīng)的S2-MIN伸長了 0.0210 nm,N1—N3—N4鍵角由S2-MIN中的125.1°變?yōu)?15.6°.在MRCI+Q水平上,此反應(yīng)能壘為89.3 kJ·mol-1.

2.3 S0、S2、S1和T1態(tài)上的N1—C2鍵斷裂

在S0態(tài)勢能面上,沒有找到N3CN的N—C鍵斷裂的過渡態(tài),我們發(fā)現(xiàn)此反應(yīng)是直接鍵解離的吸熱過程,對應(yīng)的解離產(chǎn)物為N3[X2Πg]+CN[X2Σ+].在MRCI+Q水平上,N—C鍵解離能為414.0 kJ·mol-1.在298 K,此通道的反應(yīng)焓為393.8 kJ·mol-1,可以看到MRCI+Q的結(jié)果和實(shí)驗(yàn)值(399.3±20)kJ·mol-1(其中N3CN,(450±20)kJ·mol-1;CN,435.1 kJ·mol-1;N3, 414.2 kJ·mol-1)[25]符合得很好.

從S1和S2態(tài)的穩(wěn)定點(diǎn)出發(fā),在CAS(10,9)/6-311+G(2df)水平上,分別找到了N1—C2鍵斷裂的過渡態(tài)TSC—N(S1)和TSC—N(S2),對應(yīng)的解離產(chǎn)物分別為N3[2Πu]+CN[X2Σ+]和N3[2Πu]+CN[A2Π].與S1和S2態(tài)上各自的極小點(diǎn)相比,這兩個(gè)過渡態(tài)的構(gòu)型中:N1—C2鍵明顯伸長,而N1—N3鍵的距離變短,接近正常N═N雙鍵鍵長,同時(shí)N1—C2—N5鍵角分別由各自極小點(diǎn)的接近180°扭曲成153.5°和109.4°.另外,在TSC—N(S2)中,C2≡N5鍵扭曲伸出分子平面,幾乎與N1—N3—N4面垂直,二面角N5—C2—N1—N3由S2-MIN中的180°變?yōu)?98.4°.在MRCI+Q//CAS(10,9)水平上,S2態(tài)和S1態(tài)的C2—N1鍵的活化能壘分別為170.2和246.8 kJ· mol-1.在T1態(tài),我們雖然也找到了C—N鍵解離的過渡態(tài),然而由于在T1態(tài)勢能面沿著N—N鍵解離是一個(gè)排斥態(tài),因此,認(rèn)為此反應(yīng)路徑并不具有實(shí)際意義.

值得注意的是,對此體系,我們曾在CASPT2/6-311+G(2df)水平上進(jìn)行了單點(diǎn)能量校正.但計(jì)算結(jié)果表明,在CASPT2//CASSCF水平上得到的垂直激發(fā)能以及基態(tài)N3CN的N—N鍵和C—N鍵的解離能都與實(shí)驗(yàn)值存在較大誤差,也就是說,CASPT2方法不足以正確描述此反應(yīng)體系的能量性質(zhì).因此,對于本文研究體系,需要使用更加精確的MRCI方法進(jìn)行計(jì)算.

2.4 N3CN的光解離機(jī)理

由以上計(jì)算可以看到,N3CN分子存在兩條光解離途徑,即N—N鍵和C—N鍵的解離通道.由于在S0,S1,S2和T1勢能面,前者的反應(yīng)能壘遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于后者(約80.9 kJ·mol-1或以上),因此,N—N鍵的斷裂(反應(yīng)通道(1))是N3CN分子在基態(tài)和三個(gè)低激發(fā)態(tài)勢能面上絕對主要的解離通道,而C—N鍵解離是次要反應(yīng)途徑,只可能在一定的激發(fā)能下觀測到,理論上預(yù)測的光解離機(jī)理和實(shí)驗(yàn)推測[6-7]相一致.

另外,實(shí)驗(yàn)上觀測到N3CN分子的光解在220和275 nm處有兩個(gè)吸收峰[5].計(jì)算表明220 nm處的吸收峰對應(yīng)分子由S0到S1態(tài)的激發(fā).當(dāng)分子被激發(fā)到S1-MIN后主要存在三種去活化方式:一是經(jīng)由過渡態(tài)TSN—N(S1)解離生成NCN[a1△g]+N2[X1Σ+g],即

S1-MIN→TSN—N(S1)→NCN[a1△g]+N2[X1Σ+g]

這個(gè)過程需要克服6.4 kJ·mol-1的能壘;二是經(jīng)由交叉點(diǎn)IC-S1/S0內(nèi)轉(zhuǎn)換到S0態(tài),再經(jīng)過TSN—N(S0),生成同上的解離產(chǎn)物碎片,或在S0態(tài)TSN—N(S0)的解離產(chǎn)物路徑方向,經(jīng)過隙間竄躍交叉點(diǎn) ISCS0/T1生成基態(tài)產(chǎn)物NCN[X3Σ-g]+N2[X1Σ+g].具體解離途徑可表示成:

這個(gè)過程中,交叉點(diǎn)IC-S1/S0的能量比S1-MIN高出44.6 kJ·mol-1;三是由S1態(tài)經(jīng)由交叉點(diǎn)ISC-S1/ T1隙間竄躍到T1態(tài),繼而發(fā)生無能壘的N—N鍵解離生成基態(tài)產(chǎn)物NCN[X3Σ-g]+N2[X1Σ+g].此交叉點(diǎn)能量比S1-MIN高出6.4 kJ·mol-1.此解離途徑可以表達(dá)成:

對比這三種反應(yīng)通道,可知N3CN分子在S1態(tài)上的絕熱解離是最可能的去活化途徑.此外,在275 nm處的吸收峰相應(yīng)于N3CN分子從S0態(tài)到T1態(tài)的躍遷,由于這是個(gè)自旋禁阻的過程,因而實(shí)驗(yàn)上觀測到這個(gè)吸收峰強(qiáng)度很弱.分子激發(fā)到T1態(tài)后,從T1態(tài)Frank-Condon點(diǎn)開始馳豫,沿著N—N鍵解離反應(yīng)路徑無能壘地生成基態(tài)產(chǎn)物NCN[X3Σ-g]+N2[X1Σ+g].本文在MRCI+Q//CAS(10,9)水平上得到的N3CN光解離機(jī)理與實(shí)驗(yàn)推測[8-10]的反應(yīng)機(jī)理一致.

3 結(jié) 論

在MRCI+Q//CAS(10,9)/6-311+G(2df)水平上,計(jì)算了N3CN分子在基態(tài)和低激發(fā)態(tài)(S1、S2和T1)上的解離勢能面.研究了其光解離機(jī)理并分析了可能的解離產(chǎn)物.結(jié)果表明,在S0、S1、S2和T1態(tài)上, N—N鍵斷裂是N3CN絕對主要的解離通道,而C—N鍵斷裂是次要解離途徑.并且通過垂直激發(fā)能計(jì)算可以確定實(shí)驗(yàn)上觀測到的275和220 nm處吸收峰分別對應(yīng)S0→T1和S0→S1態(tài)的躍遷.在S1態(tài)上,N3CN可以經(jīng)過IC-S1/S0交叉點(diǎn)發(fā)生內(nèi)轉(zhuǎn)換到S0態(tài)或通過ISC-S1/T1交叉點(diǎn)發(fā)生隙間竄躍到T1態(tài),但在S1態(tài)上絕熱解離生成NCN[a1△g]是最有利的反應(yīng)途徑.在T1態(tài)上,N3CN則沿著N—N鍵斷裂反應(yīng)路徑無能壘地解離生成基態(tài)產(chǎn)物NCN[X3Σ-g].本文理論計(jì)算得到的光解離機(jī)理與實(shí)驗(yàn)推測一致.

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Photodissociation Mechanism of Cyanogen Azide

CI Cheng-Gang DUAN Xue-Mei LIU Jing-Yao*SUN Chia-Chung
(State Key Laboratory of Theoretical and Computational Chemistry,Institute of Theoretical Chemistry, Jilin University,Changchun 130023,P.R.China)

We investigated the photodissociation mechanism of cyanogen azide(N3CN)at the MRCI+Q//CAS(10, 9)/6-311+G(2df)level of theory using the multi-reference state method.The optimized structures and energies of the minima,transition states,singlet/singlet conical intersection and singlet/triplet crossing points of the ground and lowlying excited states were obtained to explore the potential energy surfaces of N3CN.The vertical excited energies calculated at the MRCI+Q//CAS(10,9)level were compared with the experimental data.It is shown that N—N bond fission to form N2+NCN is the predominant dissociation pathway on the S0,S1,S2,and T1 surfaces whereas the C—N bond fission channel is the minor pathway.The 220 nm absorption peak observed experimentally corresponds to an excitation from the S0 to the S1 state leading to the major photodissociation product NCN[a1△g].The 275 nm absorption peak corresponds to the S0-T1 transition leading to the formed ground-state product NCN[X3Σ-g]via the barrierlessly direct dissociation in the T1 state.Our theoretical results agree well with experimental observations.

Reaction mechanism; Cyanogens azide; Photodissociation; Potential energy surface intersection point

O641

Received:May 4,2010;Revised:June 2,2010;Published on Web:July 13,2010.

*Corresponding author.Email:ljy121@jlu.edu.cn;Tel:+86-431-8498016;Fax:+86-431-8498026.

The project was supported by the National Natural Science Foundation of China(20333050,20303007,20973077)and Program for New Century Excellent Talents in University,China(NCET).

國家自然科學(xué)基金(20333050,20303007,20973077)和教育部新世紀(jì)優(yōu)秀人才支持計(jì)劃(NCET)資助項(xiàng)目

?Editorial office of Acta Physico-Chimica Sinica