據(jù)美國物理學家組織網近日發(fā)表在最新一期《自然·光子學》雜志上的研究報告顯示，研究人員展示了一種可結合兩種硬盤寫入方式的新型數(shù)據(jù)存儲方法，其可將目前硬盤約為每平方英寸數(shù)百吉字節(jié)（1吉字節(jié)相當于1000兆字節(jié)）的存儲密度提升至1太位（1太字節(jié)相當于100萬兆字節(jié)），并有望將介質的存儲容量最高提升到每平方英寸10太位左右，可被應用于光刻、生物傳感器和納米操控等諸多領域。

兩種寫入方式之一的“熱輔助磁記錄技術”（TAR）通過激光照射寫入點對盤片微粒進行加熱的方式，加以輔助磁頭寫入來改變記錄單元的屬性。即硬盤介質受熱后，會使磁盤微粒按一定方向被磁化，數(shù)據(jù)位就形成了“1”和“0”的表示。熱量的產生能更容易地將數(shù)據(jù)記錄在盤片上，之后隨著快速冷卻，又可使已寫入的數(shù)據(jù)變得穩(wěn)定，從而達到永久存儲的目的，而寫入時間也可小幅縮短。

事實上，當硬盤上的存儲單元彼此距離極小時，便會產生所謂的超順磁性現(xiàn)象。硬盤讀寫頭在向存儲單元中寫入數(shù)據(jù)時產生的熱量會致使該存儲單元周圍的數(shù)據(jù)損壞，而隨著硬盤存儲密度的提升，避免超順磁現(xiàn)象發(fā)生也變得越來越有難度。而此時，另一種名為“位式記錄技術”（BPR）的寫入方式會對記錄介質表面進行光刻處理，利用磁島分隔每個獨立的寫入事件，從而使“超順磁效應”不會對周圍的存儲單元造成影響。

研究人員表示，單獨使用這兩種寫入技術之一時，數(shù)據(jù)的存儲密度并不會有太大的提升，最多可提升到每平方英寸200吉字節(jié)至300吉字節(jié)左右。而將兩種技術結合使用，“位式記錄技術”的磁島可使“熱輔助磁記錄技術”因存儲介質顆粒偏小造成的不穩(wěn)定性不再棘手，而“熱輔助磁記錄技術”則可放寬“位式記錄技術”對讀寫頭尺寸的苛刻要求，彌補兩種技術各自的缺陷，從而實現(xiàn)存儲密度的極大提升。而隨著單位存儲密度的提升，硬盤容量也有望提升數(shù)十倍，令傳統(tǒng)硬盤重獲新生。