陳大昊　張劍云　鄧鵬飛

摘要：非均勻稀布直線陣列通常具有較高的旁瓣，為了降低旁瓣，對傳統(tǒng)遺傳算法進(jìn)行改進(jìn)用于陣列優(yōu)化。為了更好的解決早熟收斂問題，利用兩級遞階遺傳算法THGA(Two-level Hierarchic Genetic Algorithm)在各陣列電流激勵(lì)幅度相同的情況下對陣元位置進(jìn)行了優(yōu)化，最大旁瓣降低至-15．2498dB。在各陣列電流激勵(lì)幅度不同的情況下，提出了“微調(diào)”“粗調(diào)”的思想對激勵(lì)和陣元位置同時(shí)進(jìn)行優(yōu)化。仿真結(jié)果表明，對于一個(gè)孔徑為50λ的25個(gè)陣元組成的稀布直線陣列，可獲得了更低的旁瓣，最大旁瓣可降至-22．5955dB。

關(guān)鍵詞：兩級遞階遺傳算法；稀布直線陣列；優(yōu)化；旁瓣

中圖分類號：TP823

文獻(xiàn)標(biāo)識碼：A

文章編號：1003—6199(2005)04—0058—03