陳小林　成永紅　任成燕　謝小軍　楊　樾

摘要：針對目前國內(nèi)外局部放電仿真模型不能客觀反映局部放電物理過程的問題，提出了一種單氣隙局部放電仿真模型的修正方法，并確定了影響仿真結(jié)果的一些關鍵參數(shù)．該修正方法將氣隙分為氣隙絕緣電阻和氣隙沿面絕緣電阻，引入了氣隙沿面半導電化過程，并在仿真計算中考慮了氣隙放電的時間過程以及放電的電子雪崩過程．根據(jù)放電的實際物理過程，應用工程近似計算方法，確定了仿真模型中放電起始電壓、放電熄滅電壓和氣隙等效電阻、等效電容等關鍵仿真參數(shù)，從而使仿真模擬接近于絕緣試樣中氣隙實際放電過程，仿真得到的氣隙局部放電波形不同于國外仿真得到的鋸齒波，十分接近于實際測量波形，為深入開展局部放電仿真研究奠定了基礎．

關鍵詞：局部放電；單氣隙；數(shù)值仿真

中圖分類號：TM85文獻標識碼：A文章編號：0253—987X(2004)08—0815—05