2023年12期
刊物介紹
本刊由中國原子能科學(xué)研究院主辦,1959年創(chuàng)刊,國內(nèi)外公開發(fā)行,全國性學(xué)術(shù)與技術(shù)兼顧的原子能類核心期刊,先后被美國工程信息公司《EI Compendex》數(shù)據(jù)庫、美國化學(xué)文摘《CA》、日本《科學(xué)技術(shù)文獻(xiàn)速報》、《中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫》、《中國學(xué)術(shù)期刊(光盤版)》、《方正Apabi電子期刊》、《中國科技期刊數(shù)據(jù)庫》、《CEPS中文電子期刊服務(wù)》等收錄,并已入網(wǎng)“萬方數(shù)據(jù)——數(shù)字化期刊群”。主要刊登核科學(xué)技術(shù)方面具有創(chuàng)造性的科技成果,旨在促進(jìn)核科學(xué)與技術(shù)方面的交流、核技術(shù)與其它科學(xué)技術(shù)間的交叉滲透,推動核科技在國民經(jīng)濟方面的應(yīng)用。
原子能科學(xué)技術(shù)
器件輻射效應(yīng)研究及加固技術(shù)新進(jìn)展
- 一種新型高抗輻照可配置SOI器件技術(shù)
- 重離子引起SiC MOSFET柵氧化物潛在損傷研究
- 重離子輻照引發(fā)的25 nm NAND Flash存儲器數(shù)據(jù)位翻轉(zhuǎn)
- 位移損傷效應(yīng)對AlGaN/GaN HEMT器件的影響
- 用于單粒子效應(yīng)輻照實驗的CYCIAE-100白光中子源研究
- Effects of Strain Channel on Electron Irradiation Tolerance of InP-based HEMT Structures
- JFET區(qū)寬度對SiC MOSFET單粒子效應(yīng)的影響
- 基于實驗與仿真的SiC JFET單粒子效應(yīng)研究
- Laser-assisted Simulation of Dose Rate Effects of Wide Band Gap Semiconductor Devices
- Design of Novel and Low Cost Triple-node Upset Self-recoverable Latch
- Study on Color Information Degradation Induced by γ-ray Radiation in CMOS Cameras
- GaInP/GaAs/Ge三結(jié)太陽電池100 MeV質(zhì)子位移輻照損傷效應(yīng)實驗研究
- PE/CNT復(fù)合材料對空間質(zhì)子的屏蔽效能仿真分析