人工晶體學(xué)報(bào)
研究論文
- 斜切角對(duì)β-Ga2O3(100)面襯底加工的影響研究
- 鐵電單晶三維定向的X射線衍射方法
- Li摻雜濃度對(duì)NaI∶Tl,Li晶體光學(xué)和閃爍性能的影響
- 移動(dòng)加熱器法碲鋅鎘晶體生長(zhǎng)系統(tǒng)熱場(chǎng)研究
- Er摻雜MnBi2Te4晶體生長(zhǎng)及其微結(jié)構(gòu)研究
- 基于納米壓痕與納米劃痕實(shí)驗(yàn)的單晶硅超精密切削特性研究
- Cu對(duì)Al-50%Si合金法提純太陽(yáng)能級(jí)多晶硅過(guò)程中初晶硅Al含量影響研究
- Janus二維雙層MoSSe/WSSe異質(zhì)結(jié)光電性質(zhì)的第一性原理研究
- (AlxGa1-x)2O3結(jié)構(gòu)、電子和光學(xué)性質(zhì)的第一性原理研究
- 多孔GaN薄膜的制備與光學(xué)性能研究
- 氨基酸輔助增強(qiáng)Cs3Cu2I5鈣鈦礦熒光粉及其藍(lán)光LED的性能研究
- TiN、Ti插入層對(duì)ITO與GaN歐姆接觸性能影響的研究
- 高效Mo-Ni5P4雙功能電催化劑的制備及其電解水性能研究
- Ru摻雜Ni3N催化劑的電催化析氫反應(yīng)
- 鈷摻雜碳活化過(guò)硫酸氫鉀降解四環(huán)素
- 基于金屬錫摻雜濃度變化的光學(xué)性能可調(diào)諧ITO薄膜制備研究
- 制備方法與Ce3+對(duì)二水硫酸鈣晶須形貌的影響
- 1 060 nm銻化物應(yīng)變補(bǔ)償有源區(qū)激光二極管仿真及其性能研究
- 橫向磁場(chǎng)下坩堝轉(zhuǎn)速對(duì)半導(dǎo)體級(jí)直拉單晶硅熔體中流場(chǎng)與氧濃度的影響機(jī)制