2020年4期
刊物介紹
《電源學(xué)報(bào)》(原《電源技術(shù)學(xué)報(bào)》)，國內(nèi)統(tǒng)一連續(xù)出版物號(hào)(刊號(hào))為：CN12-1420/TM，第一主辦單位是：中國電源學(xué)會(huì)。《電源學(xué)報(bào)》代表中國電源科技界的最高學(xué)術(shù)水平，是科技人員職稱晉級(jí)和學(xué)位評(píng)定的重要參考。
電源學(xué)報(bào)
寬禁帶器件應(yīng)用技術(shù)專題
- 寬禁帶器件應(yīng)用技術(shù)專輯主編評(píng)述
- 平面柵SiC MOSFET設(shè)計(jì)研究
- 3300V SiC MOSFET柵氧可靠性研究
- 無壓低溫?zé)Y(jié)納米銀封裝電力電子器件的進(jìn)展與思考
- 基于橋式電路的氮化鎵開關(guān)損耗測試
- SiC MOSFET與Si IGBT器件溫度敏感電參數(shù)對(duì)比研究
- 基于遺傳算法的SiC MOSFET導(dǎo)通電阻模型
- 高性能軟件旋變-數(shù)字變換器在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用
- 基于氮化鎵功率器件的過流保護(hù)電路研究
- Si IGBT/SiC MOSFET混合器件及其應(yīng)用研究
- 基于碳化硅功率器件的高頻感應(yīng)焊機(jī)設(shè)計(jì)
- 基于大電流通態(tài)壓降的IGBT功率模塊結(jié)溫監(jiān)測方法的研究