電工技術學報
先進功率半導體器件及其封裝、集成與應用專題
- 先進功率半導體器件及其封裝、集成與應用專題特約主編寄語
- 考慮寄生振蕩的IGBT分段暫態(tài)模型對電磁干擾預測的影響分析
- SiC MOSFET串聯(lián)短路動態(tài)特性
- 計及芯片導通壓降溫變效應的功率模塊三維溫度場解析建模方法
- 壓接型IGBT芯片動態(tài)特性實驗平臺設計與實現(xiàn)
- 基于主動柵極驅動的IGBT開關特性自調節(jié)控制
- 基于GaN的高頻Boost變換器優(yōu)化設計
- 壓接型IGBT器件封裝退化監(jiān)測方法綜述
- 基于內置溫度傳感器的碳化硅功率模塊結溫在線提取方法
- 基于量化電壓并行比較的IGBT狀態(tài)監(jiān)測保護電路
- 高壓SiC器件封裝用有機硅彈性體高溫寬頻介電特性分析
- IGBT模塊壽命評估研究綜述